81RIA60M概述

Silicon Controlled Rectifier, 80000mA I(T), 600V V(DRM)

81RIA60M规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	International Rectifier （ Infineon ）
包装说明	,
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
标称电路换相断开时间	350 µs
关态电压最小值的临界上升速率	500 V/us
最大直流栅极触发电流	270 mA
最大直流栅极触发电压	2.5 V
最大维持电流	150 mA
最大漏电流	15 mA
通态非重复峰值电流	1700 A
最大通态电流	80000 A
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-40 °C
断态重复峰值电压	600 V
表面贴装	NO
触发设备类型	SCR
Base Number Matches	1

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81RIA60M相似产品对比

	81RIA60M	71RIA40M	71RIA60M	71RIA80M	81RIA20M	71RIA10M	71RIA20M
描述	Silicon Controlled Rectifier, 80000mA I(T), 600V V(DRM)	Silicon Controlled Rectifier, 70000mA I(T), 400V V(DRM)	Silicon Controlled Rectifier, 70000mA I(T), 600V V(DRM)	Silicon Controlled Rectifier, 70000mA I(T), 800V V(DRM)	Silicon Controlled Rectifier, 80000mA I(T), 200V V(DRM)	Silicon Controlled Rectifier, 70000mA I(T), 100V V(DRM)	Silicon Controlled Rectifier, 70000mA I(T), 200V V(DRM)
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
标称电路换相断开时间	350 µs	110 µs	110 µs	110 µs	350000000 µs	110 µs	110 µs
关态电压最小值的临界上升速率	500 V/us	500 V/us	500 V/us	500 V/us	500 V/us	500 V/us	500 V/us
最大直流栅极触发电流	270 mA	250 mA	250 mA	250 mA	270 mA	250 mA	250 mA
最大直流栅极触发电压	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V
最大维持电流	150 mA	200 mA	200 mA	200 mA	150 mA	200 mA	200 mA
最大漏电流	15 mA	20 mA	20 mA	20 mA	15 mA	20 mA	20 mA
通态非重复峰值电流	1700 A	1300 A	1300 A	1300 A	1700 A	1300 A	1300 A
最大通态电流	80000 A	70000 A	70000 A	70000 A	80000 A	70000 A	70000 A
最高工作温度	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C
断态重复峰值电压	600 V	400 V	600 V	800 V	200 V	100 V	200 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO
触发设备类型	SCR	SCR	SCR	SCR	SCR	SCR	SCR
厂商名称	International Rectifier （ Infineon ）	-	-	-	International Rectifier （ Infineon ）	International Rectifier （ Infineon ）	International Rectifier （ Infineon ）
Base Number Matches	1	1	1	1	1	-	-

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