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5962-8771202XA

产品描述Non-Volatile SRAM, 512X8, 300ns, CMOS, 0.600 INCH, DIP-28
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制造商Xicor Inc
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5962-8771202XA概述

Non-Volatile SRAM, 512X8, 300ns, CMOS, 0.600 INCH, DIP-28

5962-8771202XA规格参数

参数名称属性值
厂商名称Xicor Inc
包装说明0.600 INCH, DIP-28
Reach Compliance Codeunknown
最长访问时间300 ns
JESD-30 代码R-XDIP-T28
内存密度4096 bit
内存集成电路类型NON-VOLATILE SRAM
内存宽度8
功能数量1
端子数量28
字数512 words
字数代码512
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织512X8
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码DIP
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
认证状态Not Qualified
筛选级别MIL-STD-883
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置DUAL
Base Number Matches1

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A
DESCRIPTION
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Boilerplate update, part of 5-year review. ksr
Update drawing to meet current MIL-PRF-38535 requirements. – glg
DATE (YR-MO-DA)
90-01-08
APPROVED
Michael A. Frye
B
C
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91-12-13
10-04-23
17-07-21
Michael A. Frye
Charles F. Saffle
Charles Saffle
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PREPARED BY
Kenneth S. Rice
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14
STANDARD
MICROCIRCUIT
DRAWING
THIS DRAWING IS AVAILABLE
FOR USE BY ALL
DEPARTMENTS
AND AGENCIES OF THE
DEPARTMENT OF DEFENSE
CHECKED BY
Charles Reusing
DLA LAND AND MARITIME
COLUMBUS, OHIO 43218-3990
http://www.landandmaritime.dla.mil
APPROVED BY
Michael A. Frye
DRAWING APPROVAL DATE
88-01-12
AMSC N/A
MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL,
512 X 8 BIT NONVOLATILE STATIC
RAM, MONOLITHIC SILICON
SIZE
A
SHEET
CAGE CODE
REVISION LEVEL
D
67268
1 OF
14
5962-87712
5962-E477-17
DSCC FORM 2233
APR 97
DISTRIBUTION STATEMENT A. Approved for public release. Distribution is unlimited.

5962-8771202XA相似产品对比

5962-8771202XA 5962-8771202XX
描述 Non-Volatile SRAM, 512X8, 300ns, CMOS, 0.600 INCH, DIP-28 Non-Volatile SRAM, 512X8, 300ns, CMOS, 0.600 INCH, DIP-28
厂商名称 Xicor Inc Xicor Inc
包装说明 0.600 INCH, DIP-28 0.600 INCH, DIP-28
Reach Compliance Code unknown unknown
最长访问时间 300 ns 300 ns
JESD-30 代码 R-XDIP-T28 R-XDIP-T28
内存密度 4096 bit 4096 bit
内存集成电路类型 NON-VOLATILE SRAM NON-VOLATILE SRAM
内存宽度 8 8
功能数量 1 1
端子数量 28 28
字数 512 words 512 words
字数代码 512 512
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 125 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C
组织 512X8 512X8
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装代码 DIP DIP
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified
筛选级别 MIL-STD-883 MIL-STD-883
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V
表面贴装 NO NO
技术 CMOS CMOS
温度等级 MILITARY MILITARY
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 DUAL DUAL
Base Number Matches 1 1
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