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RA45H7687M1-101

产品描述RF MOSFET MODULE 764-870MHz 45W 12.8V, 2 Stage Amp. For MOBILE RADIO
产品类别无线/射频/通信    射频和微波   
文件大小166KB,共9页
制造商Mitsubishi(日本三菱)
官网地址http://www.mitsubishielectric.com/semiconductors/
标准
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RA45H7687M1-101概述

RF MOSFET MODULE 764-870MHz 45W 12.8V, 2 Stage Amp. For MOBILE RADIO

RA45H7687M1-101规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Mitsubishi(日本三菱)
包装说明FLNG,2.4"H.SPACE
Reach Compliance Codeunknow
特性阻抗50 Ω
构造MODULE
最大输入功率 (CW)20 dBm
JESD-609代码e3
功能数量1
最大工作频率870 MHz
最小工作频率763 MHz
最高工作温度100 °C
最低工作温度-30 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装等效代码FLNG,2.4"H.SPACE
电源12.8 V
射频/微波设备类型NARROW BAND MEDIUM POWER
端子面层Matte Tin (Sn)
最大电压驻波比3
Base Number Matches1

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