电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

85EPS12

产品描述DIODE 85 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, POWIRTAB-1, Rectifier Diode
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小120KB,共6页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

85EPS12概述

DIODE 85 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, POWIRTAB-1, Rectifier Diode

85EPS12规格参数

参数名称属性值
厂商名称Vishay(威世)
包装说明R-PSFM-D1
针数1
Reach Compliance Codeunknown
应用GENERAL PURPOSE
外壳连接CATHODE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码R-PSFM-D1
最大非重复峰值正向电流1500 A
元件数量1
相数1
端子数量1
最高工作温度150 °C
最低工作温度-40 °C
最大输出电流85 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压1200 V
表面贴装NO
端子形式SOLDER LUG
端子位置SINGLE
Base Number Matches1

文档预览

下载PDF文档
Bulletin I2139 rev. C 10/02
SAFE
IR
Series
85EPS..
INPUT RECTIFIER DIODE
I
F(RMS)
= 160A
V
F
I
FSM
< 1.15V @ 85A
= 1400A
V
RRM
800 and 1200V
Major Ratings and Characteristics
Characteristics
I
F(AV)
Sine waveform
@ T
C
= 95° C
I
F(RMS)
V
RRM
range
I
FSM
V
F
T
J
@ 85A, T
J
= 25°C
range
(*)
Description/ Features
Units
A
A
V
A
V
°C
The 85EPS.. rectifier
SAFE
IR
series has been
optimized for very low forward voltage drop, with
moderate leakage.
The glass passivation technology used has reliable
operation up to 150° C junction temperature.
Available in the new
Pow
IR
tab
TM
package, this new
series is suitable for a large range of applications
combining excellent die to footprint ratio and sturdeness
connectivity for use in high current environments.
85EPS..
85
160
800 and 1200
1400
1.15
- 40 to 150
Case Styles
85EPS..
85EPS..J
(*)
for higher voltage up to 1600V contact factory
www.irf.com
1

85EPS12相似产品对比

85EPS12 85EPS08 85EPS08J
描述 DIODE 85 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, POWIRTAB-1, Rectifier Diode DIODE 85 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, POWIRTAB-1, Rectifier Diode DIODE 85 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, POWIRTAB-1, Rectifier Diode
厂商名称 Vishay(威世) Vishay(威世) Vishay(威世)
包装说明 R-PSFM-D1 R-PSFM-D1 R-PSFM-X1
针数 1 1 1
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
应用 GENERAL PURPOSE GENERAL PURPOSE GENERAL PURPOSE
外壳连接 CATHODE CATHODE CATHODE
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码 R-PSFM-D1 R-PSFM-D1 R-PSFM-X1
最大非重复峰值正向电流 1500 A 1500 A 1500 A
元件数量 1 1 1
相数 1 1 1
端子数量 1 1 1
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C
最大输出电流 85 A 85 A 85 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 1200 V 800 V 800 V
表面贴装 NO NO NO
端子形式 SOLDER LUG SOLDER LUG UNSPECIFIED
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE
Base Number Matches 1 1 1

技术资料推荐更多

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 661  178  2527  1627  1299  8  24  12  9  33 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved