256 X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8, 0.150 INCH, PLASTIC, SOIC-8
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | Microchip(微芯科技) |
| 零件包装代码 | SOIC |
| 包装说明 | 0.150 INCH, PLASTIC, SOIC-8 |
| 针数 | 8 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 其他特性 | AUTOMATIC WRITE; 2 WIRE INTERFACE |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 0.1 MHz |
| 数据保留时间-最小值 | 10 |
| 耐久性 | 100000 Write/Erase Cycles |
| I2C控制字节 | 1010DDDR |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 长度 | 4.9 mm |
| 内存密度 | 2048 bit |
| 内存集成电路类型 | EEPROM |
| 内存宽度 | 8 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 8 |
| 字数 | 256 words |
| 字数代码 | 256 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 组织 | 256X8 |
| 输出特性 | OPEN-DRAIN |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | SOP |
| 封装等效代码 | SOP8,.25 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 并行/串行 | SERIAL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 电源 | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 1.75 mm |
| 串行总线类型 | I2C |
| 最大待机电流 | 0.0001 A |
| 最大压摆率 | 0.0085 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 |
| 宽度 | 3.9 mm |
| 最长写入周期时间 (tWC) | 1 ms |
| Base Number Matches | 1 |
| 85C82-I/SN | 85C82/SN | |
|---|---|---|
| 描述 | 256 X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8, 0.150 INCH, PLASTIC, SOIC-8 | 256 X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8, 0.150 INCH, PLASTIC, SOIC-8 |
| 是否无铅 | 不含铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 |
| 厂商名称 | Microchip(微芯科技) | Microchip(微芯科技) |
| 零件包装代码 | SOIC | SOIC |
| 包装说明 | 0.150 INCH, PLASTIC, SOIC-8 | 0.150 INCH, PLASTIC, SOIC-8 |
| 针数 | 8 | 8 |
| Reach Compliance Code | compliant | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
| 其他特性 | AUTOMATIC WRITE; 2 WIRE INTERFACE | AUTOMATIC WRITE; 2 WIRE INTERFACE |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 0.1 MHz | 0.1 MHz |
| 数据保留时间-最小值 | 10 | 10 |
| 耐久性 | 100000 Write/Erase Cycles | 100000 Write/Erase Cycles |
| I2C控制字节 | 1010DDDR | 1010DDDR |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码 | e3 | e3 |
| 长度 | 4.9 mm | 4.9 mm |
| 内存密度 | 2048 bit | 2048 bit |
| 内存集成电路类型 | EEPROM | EEPROM |
| 内存宽度 | 8 | 8 |
| 湿度敏感等级 | 1 | 1 |
| 功能数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 8 | 8 |
| 字数 | 256 words | 256 words |
| 字数代码 | 256 | 256 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C | 70 °C |
| 组织 | 256X8 | 256X8 |
| 输出特性 | OPEN-DRAIN | OPEN-DRAIN |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | SOP | SOP |
| 封装等效代码 | SOP8,.25 | SOP8,.25 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
| 并行/串行 | SERIAL | SERIAL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 | 260 |
| 电源 | 5 V | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 1.75 mm | 1.75 mm |
| 串行总线类型 | I2C | I2C |
| 最大待机电流 | 0.0001 A | 0.0001 A |
| 最大压摆率 | 0.0085 mA | 0.007 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4 V | 4 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | YES | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Matte Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式 | GULL WING | GULL WING |
| 端子节距 | 1.27 mm | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 | 40 |
| 宽度 | 3.9 mm | 3.9 mm |
| 最长写入周期时间 (tWC) | 1 ms | 1 ms |
| Base Number Matches | 1 | 1 |
电源技术
模拟电子
微控制器 MCU
stm32/stm8
下载中心专版
stm32/stm8
电子工程世界版权所有
京B2-20211791
京ICP备10001474号-1
电信业务审批[2006]字第258号函
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
