电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

85C72I/P

产品描述128 X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDIP8, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-8
产品类别存储    存储   
文件大小103KB,共8页
制造商Microchip(微芯科技)
官网地址https://www.microchip.com
标准  
下载文档 详细参数 全文预览

85C72I/P概述

128 X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDIP8, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-8

85C72I/P规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Microchip(微芯科技)
零件包装代码DIP
包装说明0.300 INCH, PLASTIC, DIP-8
针数8
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最大时钟频率 (fCLK)0.1 MHz
数据保留时间-最小值200
耐久性1000000 Write/Erase Cycles
I2C控制字节1010DDDR
JESD-30 代码R-PDIP-T8
JESD-609代码e3
内存密度1024 bit
内存集成电路类型EEPROM
内存宽度8
功能数量1
端子数量8
字数128 words
字数代码128
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织128X8
输出特性OPEN-DRAIN
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装等效代码DIP8,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行SERIAL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
串行总线类型I2C
最大待机电流0.0001 A
最大压摆率0.00425 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
最长写入周期时间 (tWC)1 ms
Base Number Matches1

文档预览

下载PDF文档
85C72/82/92
1K/2K/4K 5.0V CMOS Serial EEPROM
FEATURES
Low power CMOS technology
Two wire serial interface bus, I
2
C
compatible
5 volt only operation
Self-timed write cycle (including auto-erase)
Page-write buffer
1ms write cycle time for single byte
1,000,000 ERASE/WRITE cycles guaranteed
Data retention >200 years
8-pin DIP or SOIC package
Available for extended temperature ranges:
- Commercial: 0˚C to +70˚C
- Industrial: -40˚C to +85˚C
- Automotive: -40˚C to +125˚C
PACKAGE TYPE
DIP
A0
A1
A2
V
SS
1
2
3
4
8
V
CC
NC
SCL
SDA
85C72
85C82
85C92
7
6
5
8-lead
SOIC
A0
A1
A2
1
2
3
4
8
V
CC
NC
SCL
SDA
85C72
85C82
85C92
7
6
5
85C72
Organization
Page Write
Buffer
128 x 8
2 Bytes
85C82
256 x 8
2 Bytes
85C92
2 x 256 x 8
8 Bytes
14-lead
SOIC
V
SS
NC
A0
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
NC
V
CC
NC
NC
SCL
SDA
NC
DESCRIPTION
The Microchip Technology Inc. 85C72/82/92 is a 1K/
2K/4K bit Electrically Erasable PROM. The device is
organized as shown with a two wire serial interface.
Advanced CMOS technology allows a significant
reduction in power over NMOS serial devices. The
85C72/82/92 also has a page-write capability for up to
8 bytes of data (see chart). Up to eight 85C72/82/92s
may be connected to the two wire bus. The 85C72/82/
92 is available in standard 8-pin DIP and surface mount
SOIC packages.
A1
NC
A2
V
SS
NC
85C92
11
10
9
8
BLOCK DIAGRAM
DATA
BUFFER
(FIF0)
DATA REG.
SDA
V
CC
V
SS
V
PP
R/W AMP
SLAVE ADR.
AP
DO
MEMORY
D I
RN
ARRAY
E T A0 to
S E A7
SR
INCREMENT
SCL
CONTROL
LOGIC
A0 A1 A2
I
2
C is a trademark of Philips Corporation
©
1995 Microchip Technology Inc.
DS11182C-page 1

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 1086  2045  2688  2123  1931  22  42  55  43  39 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved