电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

ICS8440259AK-05LF

产品描述Clock Generator, 5 X 5 MM, 0.925 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, MO-220, VFQFN-32
产品类别嵌入式处理器和控制器    微控制器和处理器   
文件大小315KB,共16页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
标准  
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览 文档解析

ICS8440259AK-05LF在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
ICS8440259AK-05LF - - 点击查看 点击购买

ICS8440259AK-05LF概述

Clock Generator, 5 X 5 MM, 0.925 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, MO-220, VFQFN-32

ICS8440259AK-05LF规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码QFN
包装说明5 X 5 MM, 0.925 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, MO-220, VFQFN-32
针数32
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
JESD-30 代码S-XQCC-N32
JESD-609代码e3
长度5 mm
端子数量32
最高工作温度70 °C
最低工作温度
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码HVQCCN
封装形状SQUARE
封装形式CHIP CARRIER, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度)260
主时钟/晶体标称频率25 MHz
认证状态Not Qualified
座面最大高度1 mm
最大供电电压3.465 V
最小供电电压3.135 V
标称供电电压3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层MATTE TIN
端子形式NO LEAD
端子节距0.5 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间30
宽度5 mm
uPs/uCs/外围集成电路类型CLOCK GENERATOR, OTHER
Base Number Matches1

文档解析

ICS8440259-05频率合成器的电源和温度范围信息如下:

  1. 电源范围

    • 该设备设计为在3.3V供电下工作,但数据表中提到了电源电压的最小值和典型值。例如,在电源供应DC特性表(TABLE 4A)中,核心电源电压(VDD)的最小值为3.135V,典型值为3.3V,最大值为3.465V。对于LVCMOS和LVDS输出电源(VDDO_LVCMOS, VDDO_LVDS),最小值也是3.135V,而最大值是3.465V。
  2. 温度范围

    • 设备的工作环境温度范围是0°C到70°C(TA = 0°C TO 70°C),这是在DC特性和AC特性表中提到的标准工作温度范围。
    • 存储温度范围更宽,从-65°C到150°C(TSTG)。
  3. 适应性分析

    • 电源适应性:该频率合成器对电源电压有一定的容忍度,允许在3.135V到3.465V之间变化,这为电源设计提供了一定的灵活性,以适应不同的电源解决方案和可能的电压波动。
    • 温度适应性:0°C到70°C的工作温度范围适用于大多数商业和一些工业环境。对于那些需要在更极端温度下运行的应用,可能需要额外的考虑或定制。
  4. 额外考虑

    • 设备的热设计非常重要,因为高温可能会影响设备的可靠性和性能。数据表中提供了热阻(θJA)的信息,这有助于设计合适的散热解决方案。
    • 考虑到设备在不同负载和供电条件下的总功耗,以及如何通过适当的PCB布局和散热设计来管理热量,以保持结温(Tj)在推荐的最大值125°C以下。

总结来说,ICS8440259-05频率合成器的电源和温度范围使其适用于多种商业和一些工业应用场景,但设计者需要仔细考虑电源管理和热设计,以确保设备在预期的工作条件下稳定运行。

ICS8440259AK-05LF相似产品对比

ICS8440259AK-05LF ICS8440259AK-05LFT
描述 Clock Generator, 5 X 5 MM, 0.925 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, MO-220, VFQFN-32 Clock Generator, 5 X 5 MM, 0.925 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, MO-220, VFQFN-32
是否无铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合
厂商名称 IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码 QFN QFN
包装说明 5 X 5 MM, 0.925 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, MO-220, VFQFN-32 5 X 5 MM, 0.925 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, MO-220, VFQFN-32
针数 32 32
Reach Compliance Code compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
JESD-30 代码 S-XQCC-N32 S-XQCC-N32
JESD-609代码 e3 e3
长度 5 mm 5 mm
端子数量 32 32
最高工作温度 70 °C 70 °C
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装代码 HVQCCN HVQCCN
封装形状 SQUARE SQUARE
封装形式 CHIP CARRIER, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE CHIP CARRIER, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度) 260 260
主时钟/晶体标称频率 25 MHz 25 MHz
认证状态 Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1 mm 1 mm
最大供电电压 3.465 V 3.465 V
最小供电电压 3.135 V 3.135 V
标称供电电压 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES YES
技术 CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 MATTE TIN MATTE TIN
端子形式 NO LEAD NO LEAD
端子节距 0.5 mm 0.5 mm
端子位置 QUAD QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间 30 30
宽度 5 mm 5 mm
uPs/uCs/外围集成电路类型 CLOCK GENERATOR, OTHER CLOCK GENERATOR, OTHER
Base Number Matches 1 1
求指导如何选择单片机和步进电机
我们在做一个本科生创新基金项目,项目中要用到[size=4][color=darkgreen]单片机控制步进电机转动[/color][/size]刚刚开始做,我们也在网上查了很多资料,但是还是不是特别了解各器件的性能和要求,具体的价位只能在淘宝上看到[size=5][color=red]我们的项目要求:单片机我们准备选择52S系列的单片机(待定),大体就是在教室里进行人体跟踪那种,性价比比较高的,...
热释电 工控电子
有助于确保PCB设计成功的四个步骤
[align=left][color=rgb(62, 62, 62)]pcb是电子产品的躯体,最终产品的性能、寿命和可靠性依赖于其所构成的电气系统。如果设计得当,具有高质量电路的产品将具有较低的现场故障率和现场退货率。因此,产品的生产成本将更低,利润更高。为了按时生产高质量的 PCB 板,同时不增加设计时间且不产生代价高昂的返工,必须尽早在设计流程中发现设计和电路完整性问题。[/color][/a...
ohahaha PCB设计
关于TIVA C Launchpad课程EEworld什么时候开始送板子呢?
[img]http://www.ti.com/diagrams/med_ek-tm4c123gxl_tivalp_angle_new.jpg[/img]I love it!:kiss:[[i] 本帖最后由 qinkaiabc 于 2013-9-10 13:32 编辑 [/i]]...
qinkaiabc 微控制器 MCU
LM324 与单片机的接法
做了个驱动小车.需直流电机带动轮子转动.想请问下.LM324与直流电机的接法!...
yuanyxy 嵌入式系统
如何消除启动中这个错误!
s3c6410平台。[OAL] --OEMInit()[FMD] FMD_OEMIoControl() : IOCTL_FMD_GET_INTERFACE:[FMD] ++FMD_Init() ****[FMD:INF] FMD_Init() : Read ID = 0x0000ecda[FMD] FMD_Init() : NUM_OF_BLOCKS = 2048[FMD] FMD_Init() ...
浪儿飘 嵌入式系统
一种实用化的互补双极工艺技术
一种实用化的互补双极工艺技术 张正元 张正璠 摘 要:在3 μm工艺条件下开发了一套实用的互补双极工艺(CB)。利用此工艺制造出特征频率分别为3.2 GHz和1.6 GHz的高性能NPN与PNP管,并成功地 集成在压摆率高达2200 V/μs的高速运算放大器芯片中。关键词:互补双极工艺;双极工艺;半导体制造;半导体器件;运 算放大器中图分类号:TN405 文献标识码:A文章编号:1004-3365...
fighting 模拟电子

技术资料推荐更多

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 36  1039  1386  1693  1706 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved