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IDT70V3569S4BFGI

产品描述Dual-Port SRAM, 16KX36, 4.2ns, PBGA208, FINE PITCH, BGA-208
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文件大小212KB,共15页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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IDT70V3569S4BFGI概述

Dual-Port SRAM, 16KX36, 4.2ns, PBGA208, FINE PITCH, BGA-208

IDT70V3569S4BFGI规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码BGA
包装说明TFBGA,
针数208
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A991.B.2.B
最长访问时间4.2 ns
其他特性PIPELINED OUTPUT MODE; SELF TIMED WRITE CYCLE
JESD-30 代码S-PBGA-B208
JESD-609代码e1
长度15 mm
内存密度589824 bit
内存集成电路类型DUAL-PORT SRAM
内存宽度36
湿度敏感等级3
功能数量1
端子数量208
字数16384 words
字数代码16000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织16KX36
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TFBGA
封装形状SQUARE
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)3.45 V
最小供电电压 (Vsup)3.15 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层TIN SILVER COPPER
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间30
宽度15 mm
Base Number Matches1

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HIGH-SPEED 3.3V 16K x 36
SYNCHRONOUS PIPELINED
DUAL-PORT STATIC RAM
WITH 3.3V OR 2.5V I/O
Features:
x
x
PRELIMINARY
IDT70V3569S
x
x
x
x
True Dual-Port memory cells which allow simultaneous
access of the same memory location
High-speed clock to data access
– Commercial: 4.2/5/6ns (max.)
Pipelined output mode
Counter enable and reset features
Dual chip enables allow for depth expansion without
additional logic
Full synchronous operation on both ports
– 7.5ns cycle time, 133MHz operation (9.6 Gbps bandwidth)
– Fast 4.2ns clock to data out
– 1.8ns setup to clock and 0.7ns hold on all control, data, and
address inputs @ 133MHz
x
x
x
x
x
– Data input, address, byte enable and control registers
– Self-timed write allows fast cycle time
Separate byte controls for multiplexed bus and bus
matching compatibility
LVTTL- compatible, single 3.3V (±150mV) power supply for
core
LVTTL- compatible, selectable 3.3V (±150mV)/2.5V (±125mV)
power supply for I/Os
Industrial temperature range (-40°C to +85°C) is
available for selected speeds
Available in a 208-pin Plastic Quad Flatpack (PQFP) and
208-ball fine-pitch Ball Grid Array
Functional Block Diagram
BE
3L
BE
3R
BE
2L
BE
1L
BE
0L
BE
2R
BE
1R
BE
0R
R/W
L
B
W
0
L
B
W
1
L
B
W
2
L
B B
WW
3 3
L R
BB
WW
2 1
RR
B
W
0
R
R/W
R
CE
0L
CE
1L
CE
0R
CE
1R
OE
L
Dout0-8_L
Dout9-17_L
Dout18-26_L
Dout27-35_L
Dout0-8_R
Dout9-17_R
Dout18-26_R
Dout27-35_R
OE
R
16K x 36
MEMORY
ARRAY
I/O
0L
- I/O
35L
Din_L
Din_R
I/O
0R
- I/O
35R
CLK
L
A
13L
A
0L
CNTRST
L
ADS
L
CNTEN
L
CLK
R
,
Counter/
Address
Reg.
A
13R
ADDR_L
ADDR_R
Counter/
Address
Reg.
A
0R
CNTRST
R
ADS
R
CNTEN
R
4831 tbl 01
OCTOBER 1999
1
©1999 Integrated Device Technology, Inc.
DSC 4831/6

IDT70V3569S4BFGI相似产品对比

IDT70V3569S4BFGI IDT70V3569S4DRGI IDT70V3569S4BFI IDT70V3569S4DRI
描述 Dual-Port SRAM, 16KX36, 4.2ns, PBGA208, FINE PITCH, BGA-208 Dual-Port SRAM, 16KX36, 4.2ns, PQFP208, PLASTIC, QFP-208 Dual-Port SRAM, 16KX36, 4.2ns, PBGA208, FINE PITCH, BGA-208 Dual-Port SRAM, 16KX36, 4.2ns, PQFP208, PLASTIC, QFP-208
是否无铅 不含铅 不含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 符合 符合 不符合 不符合
厂商名称 IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码 BGA QFP BGA QFP
包装说明 TFBGA, FQFP, TFBGA, FQFP,
针数 208 208 208 208
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant
ECCN代码 3A991.B.2.B 3A991.B.2.B 3A991.B.2.B 3A991.B.2.B
最长访问时间 4.2 ns 4.2 ns 4.2 ns 4.2 ns
其他特性 PIPELINED OUTPUT MODE; SELF TIMED WRITE CYCLE PIPELINED OUTPUT MODE; SELF TIMED WRITE CYCLE PIPELINED OUTPUT MODE; SELF TIMED WRITE CYCLE PIPELINED OUTPUT MODE; SELF TIMED WRITE CYCLE
JESD-30 代码 S-PBGA-B208 S-PQFP-G208 S-PBGA-B208 S-PQFP-G208
JESD-609代码 e1 e3 e0 e0
长度 15 mm 28 mm 15 mm 28 mm
内存密度 589824 bit 589824 bit 589824 bit 589824 bit
内存集成电路类型 DUAL-PORT SRAM DUAL-PORT SRAM DUAL-PORT SRAM DUAL-PORT SRAM
内存宽度 36 36 36 36
湿度敏感等级 3 3 3 3
功能数量 1 1 1 1
端子数量 208 208 208 208
字数 16384 words 16384 words 16384 words 16384 words
字数代码 16000 16000 16000 16000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C
组织 16KX36 16KX36 16KX36 16KX36
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 TFBGA FQFP TFBGA FQFP
封装形状 SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE
封装形式 GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH FLATPACK, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH FLATPACK, FINE PITCH
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) 260 260 225 225
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1.2 mm 4.1 mm 1.2 mm 4.1 mm
最大供电电压 (Vsup) 3.45 V 3.45 V 3.45 V 3.45 V
最小供电电压 (Vsup) 3.15 V 3.15 V 3.15 V 3.15 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子面层 TIN SILVER COPPER MATTE TIN TIN LEAD TIN LEAD
端子形式 BALL GULL WING BALL GULL WING
端子节距 0.8 mm 0.5 mm 0.8 mm 0.5 mm
端子位置 BOTTOM QUAD BOTTOM QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间 30 30 20 20
宽度 15 mm 28 mm 15 mm 28 mm

 
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