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2SC2859G

产品描述Small Signal Bipolar Transistor,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小228KB,共4页
制造商Galaxy Microelectronics
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2SC2859G概述

Small Signal Bipolar Transistor,

2SC2859G规格参数

参数名称属性值
厂商名称Galaxy Microelectronics
Reach Compliance Codeunknown
最大集电极电流 (IC)0.5 A
集电极-发射极最大电压30 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)200
JESD-30 代码R-PDSO-G3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型NPN
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)300 MHz
Base Number Matches1

2SC2859G相似产品对比

2SC2859G 2SC2859Y 2SC2859O 2SC2859
描述 Small Signal Bipolar Transistor, Small Signal Bipolar Transistor, Small Signal Bipolar Transistor, General Purpose NPN Bipolar Transistor; Polarity: NPN; V(BR)CEO Min (V): 30V; IC (A): 0.5A; HFE Min: 70; HFE Max: 400; VCE (V): 1V; IC (mA): 100mA; VCE(SAT) (V): 0.25V; IC (mA)1: 100mA; IB (mA): 10mA; FT Min (MHz): 300+ MHz; PTM Max (W): 0.15W; Package: SOT-23; package_code: SOT-23; mfr_package_code: SOT-23
厂商名称 Galaxy Microelectronics Galaxy Microelectronics Galaxy Microelectronics Galaxy Microelectronics
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown
最大集电极电流 (IC) 0.5 A 0.5 A 0.5 A 0.5 A
集电极-发射极最大电压 30 V 30 V 30 V 30 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 200 120 70 25
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
元件数量 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 NPN NPN NPN NPN
表面贴装 YES YES YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 300 MHz 300 MHz 300 MHz 300 MHz
Base Number Matches 1 1 1 1
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C 150
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C -55

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