IC 12-BIT FLASH METHOD ADC, PARALLEL ACCESS, CDIP28, CERDIP-28, Analog to Digital Converter
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | ADI(亚德诺半导体) |
| 零件包装代码 | DIP |
| 包装说明 | CERDIP-28 |
| 针数 | 28 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | 3A001.A.2.C |
| 最大模拟输入电压 | 7.3 V |
| 最小模拟输入电压 | -7.3 V |
| 最长转换时间 | 1 µs |
| 转换器类型 | ADC, FLASH METHOD |
| JESD-30 代码 | R-GDIP-T28 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 最大线性误差 (EL) | 0.048% |
| 标称负供电电压 | -5 V |
| 位数 | 12 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 28 |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 输出位码 | BINARY |
| 输出格式 | PARALLEL, WORD |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP28,.6 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 电源 | +-5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 5.72 mm |
| 最大压摆率 | 30 mA |
| 标称供电电压 | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 15.24 mm |
| Base Number Matches | 1 |
| AD7586SQ | AD7586BQ | AD7586AQ | |
|---|---|---|---|
| 描述 | IC 12-BIT FLASH METHOD ADC, PARALLEL ACCESS, CDIP28, CERDIP-28, Analog to Digital Converter | IC 12-BIT FLASH METHOD ADC, PARALLEL ACCESS, CDIP28, CERDIP-28, Analog to Digital Converter | IC 12-BIT FLASH METHOD ADC, PARALLEL ACCESS, CDIP28, CERDIP-28, Analog to Digital Converter |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| 零件包装代码 | DIP | DIP | DIP |
| 包装说明 | CERDIP-28 | CERDIP-28 | CERDIP-28 |
| 针数 | 28 | 28 | 28 |
| Reach Compliance Code | unknown | not_compliant | unknown |
| ECCN代码 | 3A001.A.2.C | EAR99 | EAR99 |
| 最大模拟输入电压 | 7.3 V | 7.3 V | 7.3 V |
| 最小模拟输入电压 | -7.3 V | -7.3 V | -7.3 V |
| 最长转换时间 | 1 µs | 1 µs | 1 µs |
| 转换器类型 | ADC, FLASH METHOD | ADC, FLASH METHOD | ADC, FLASH METHOD |
| JESD-30 代码 | R-GDIP-T28 | R-GDIP-T28 | R-GDIP-T28 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 |
| 最大线性误差 (EL) | 0.048% | 0.036% | 0.048% |
| 标称负供电电压 | -5 V | -5 V | -5 V |
| 位数 | 12 | 12 | 12 |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 28 | 28 | 28 |
| 最高工作温度 | 125 °C | 85 °C | 85 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C | -40 °C | -40 °C |
| 输出位码 | BINARY | BINARY | BINARY |
| 输出格式 | PARALLEL, WORD | PARALLEL, WORD | PARALLEL, WORD |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED | CERAMIC, GLASS-SEALED | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码 | DIP | DIP | DIP |
| 封装等效代码 | DIP28,.6 | DIP28,.6 | DIP28,.6 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE | IN-LINE | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 电源 | +-5 V | +-5 V | +-5 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 5.72 mm | 5.72 mm | 5.72 mm |
| 最大压摆率 | 30 mA | 30 mA | 30 mA |
| 标称供电电压 | 5 V | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | NO | NO | NO |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm | 2.54 mm | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 15.24 mm | 15.24 mm | 15.24 mm |
| 厂商名称 | ADI(亚德诺半导体) | - | ADI(亚德诺半导体) |
| Base Number Matches | 1 | 1 | - |
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