Aerospace 160 MHz Rail-to-Rail Amplifier with Disable
| 参数名称 | 属性值 |
| Brand Name | Analog Devices Inc |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | ADI(亚德诺半导体) |
| 零件包装代码 | DIP |
| 包装说明 | DIP, DIP8,.3 |
| 针数 | 8 |
| 制造商包装代码 | Q-8 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER |
| 架构 | VOLTAGE-FEEDBACK |
| 最大平均偏置电流 (IIB) | 3.4 µA |
| 25C 时的最大偏置电流 (IIB) | 3.4 µA |
| 标称共模抑制比 | 70 dB |
| 频率补偿 | YES |
| 最大输入失调电压 | 9500 µV |
| JESD-30 代码 | R-GDIP-T8 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 低-偏置 | NO |
| 低-失调 | NO |
| 微功率 | NO |
| 负供电电压上限 | -6.3 V |
| 标称负供电电压 (Vsup) | -2.5 V |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 8 |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP8,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 功率 | NO |
| 电源 | +-2.5/+-5/5 V |
| 可编程功率 | NO |
| 认证状态 | Qualified |
| 筛选级别 | MIL-PRF-38535 Class V |
| 座面最大高度 | 5.08 mm |
| 标称压摆率 | 160 V/us |
| 最大压摆率 | 6.1 mA |
| 供电电压上限 | 6.3 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 2.5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | BIPOLAR |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 总剂量 | 100k Rad(Si) V |
| 最小电压增益 | 15000 |
| 宽带 | YES |
| 宽度 | 7.62 mm |
| Base Number Matches | 1 |
| 5962R9683902VPA | 5962L9683903VHA | 5962R9683902VHA | |
|---|---|---|---|
| 描述 | Aerospace 160 MHz Rail-to-Rail Amplifier with Disable | Aerospace 160 MHz Rail-to-Rail Amplifier with Disable | Aerospace 160 MHz Rail-to-Rail Amplifier with Disable |
| Brand Name | Analog Devices Inc | Analog Devices Inc | Analog Devices Inc |
| 是否无铅 | 含铅 | 含铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| 包装说明 | DIP, DIP8,.3 | DFP, | QFF, FL10,.24 |
| 针数 | 8 | 10 | 10 |
| 制造商包装代码 | Q-8 | QC-10 | QC-10 |
| Reach Compliance Code | unknown | compliant | unknown |
| 放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER | OPERATIONAL AMPLIFIER | OPERATIONAL AMPLIFIER |
| 最大平均偏置电流 (IIB) | 3.4 µA | 3.4 µA | 3.4 µA |
| 标称共模抑制比 | 70 dB | 70 dB | 70 dB |
| 最大输入失调电压 | 9500 µV | 9500 µV | 9500 µV |
| JESD-30 代码 | R-GDIP-T8 | R-GDFP-F10 | X-GDFP-F10 |
| 负供电电压上限 | -6.3 V | -6.3 V | -6.3 V |
| 标称负供电电压 (Vsup) | -2.5 V | -2.5 V | -2.5 V |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 8 | 10 | 10 |
| 最高工作温度 | 125 °C | 125 °C | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C | -55 °C | -55 °C |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED | CERAMIC, GLASS-SEALED | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码 | DIP | DFP | QFF |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | UNSPECIFIED |
| 封装形式 | IN-LINE | FLATPACK | FLATPACK |
| 筛选级别 | MIL-PRF-38535 Class V | MIL-PRF-38535 Class V | MIL-PRF-38535 Class V |
| 标称压摆率 | 160 V/us | 160 V/us | 160 V/us |
| 供电电压上限 | 6.3 V | 6.3 V | 6.3 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 2.5 V | 2.5 V | 2.5 V |
| 表面贴装 | NO | YES | YES |
| 温度等级 | MILITARY | MILITARY | MILITARY |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | FLAT | FLAT |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL |
| 总剂量 | 100k Rad(Si) V | 50k Rad(Si) V | 100k Rad(Si) V |
| Base Number Matches | 1 | 1 | 1 |
| 厂商名称 | ADI(亚德诺半导体) | - | ADI(亚德诺半导体) |
| 零件包装代码 | DIP | - | DFP |
| ECCN代码 | EAR99 | - | EAR99 |
| 架构 | VOLTAGE-FEEDBACK | - | VOLTAGE-FEEDBACK |
| 25C 时的最大偏置电流 (IIB) | 3.4 µA | - | 3.4 µA |
| 频率补偿 | YES | - | YES |
| 低-偏置 | NO | - | NO |
| 低-失调 | NO | - | NO |
| 微功率 | NO | - | NO |
| 封装等效代码 | DIP8,.3 | - | FL10,.24 |
| 功率 | NO | - | NO |
| 电源 | +-2.5/+-5/5 V | - | +-2.5/+-5/5 V |
| 可编程功率 | NO | - | NO |
| 认证状态 | Qualified | - | Qualified |
| 座面最大高度 | 5.08 mm | - | 2.29 mm |
| 最大压摆率 | 6.1 mA | - | 6.1 mA |
| 技术 | BIPOLAR | - | BIPOLAR |
| 端子节距 | 2.54 mm | - | 1.27 mm |
| 最小电压增益 | 15000 | - | 15000 |
| 宽带 | YES | - | YES |
| 宽度 | 7.62 mm | - | 6.35 mm |
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