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IDT70V9369L9PFI8

产品描述Dual-Port SRAM, 16KX18, 9ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100
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制造商IDT (Integrated Device Technology)
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IDT70V9369L9PFI8概述

Dual-Port SRAM, 16KX18, 9ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100

IDT70V9369L9PFI8规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码QFP
包装说明TQFP-100
针数100
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A991.B.2.B
最长访问时间9 ns
JESD-30 代码S-PQFP-G100
JESD-609代码e0
长度14 mm
内存密度294912 bit
内存集成电路类型DUAL-PORT SRAM
内存宽度18
湿度敏感等级3
功能数量1
端子数量100
字数16384 words
字数代码16000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织16KX18
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LFQFP
封装形状SQUARE
封装形式FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)240
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.6 mm
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距0.5 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间20
宽度14 mm
Base Number Matches1

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HIGH-SPEED 3.3V 16K x 18
SYNCHRONOUS PIPELINED
DUAL-PORT STATIC RAM
.eatures:
x
x
PRELIMINARY
IDT70V9369L
x
x
x
x
True Dual-Ported memory cells which allow simultaneous
access of the same memory location
High-speed clock to data access
– Commercial: 7.5/9/12ns (max.)
– Industrial: 9ns (max.)
Low-power operation
– IDT70V9369L
Active: 500mW (typ.)
Standby: 1.5mW (typ.)
Flow-Through or Pipelined output mode on either port via
the
FT/PIPE
pins
Counter enable and reset features
Dual chip enables allow for depth expansion without
additional logic
x
x
x
x
x
Full synchronous operation on both ports
– 4ns setup to clock and 0ns hold on all control, data, and
address inputs
– Data input, address, and control registers
– Fast 7.5ns clock to data out in the Pipelined output mode
– Self-timed write allows fast cycle time
– 12ns cycle time, 83MHz operation in Pipelined output mode
Separate upper-byte and lower-byte controls for
multiplexed bus and bus matching compatibility
LVTTL- compatible, single 3.3V (±0.3V) power supply
Industrial temperature range (–40°C to +85°C) is
available for selected speeds
Available in a 100-pin Thin Quad Flatpack (TQFP)
.unctional Block Diagram
R/
W
L
UB
L
CE
0L
R/
W
R
UB
R
CE
0R
CE
1L
LB
L
OE
L
1
0
0/1
1
0
0/1
CE
1R
LB
R
OE
R
FT
/PIPE
L
0/1
1b 0b
b a
1a 0a
0a 1a
a
b
0b 1b
0/1
FT
/PIPE
R
I/O
9L
-I/O
17L
I/O
0L
-I/O
8L
I/O
Control
I/O
9R
-I/O
17R
I/O
Control
I/O
0R
-I/O
8R
A
13L
A
0L
CLK
L
Counter/
Address
Reg.
MEMORY
ARRAY
Counter/
Address
Reg.
A
13R
A
0R
CLK
R
ADS
L
CNTEN
L
CNTRST
L
ADS
R
CNTEN
R
CNTRST
R
5648 drw 01
JANUARY 2002
1
©2002 Integrated Device Technology, Inc.
DSC-5648/1

IDT70V9369L9PFI8相似产品对比

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描述 Dual-Port SRAM, 16KX18, 9ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100 Dual-Port SRAM, 16KX18, 12ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100 Dual-Port SRAM, 16KX18, 7.5ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100 Dual-Port SRAM, 16KX18, 9ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100 Application Specific SRAM, 16KX18, 9ns, CMOS, PQFP100, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-100
是否无铅 含铅 不含铅 不含铅 不含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 符合 符合 符合 不符合
厂商名称 IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology)
包装说明 TQFP-100 LFQFP, LFQFP, LFQFP, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-100
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant not_compliant
ECCN代码 3A991.B.2.B 3A991.B.2.B 3A991.B.2.B 3A991.B.2.B 3A991.B.2.B
最长访问时间 9 ns 12 ns 7.5 ns 9 ns 9 ns
JESD-30 代码 S-PQFP-G100 S-PQFP-G100 S-PQFP-G100 S-PQFP-G100 S-PQFP-G100
JESD-609代码 e0 e3 e3 e3 e0
内存密度 294912 bit 294912 bit 294912 bit 294912 bit 294912 bit
内存集成电路类型 DUAL-PORT SRAM DUAL-PORT SRAM DUAL-PORT SRAM DUAL-PORT SRAM APPLICATION SPECIFIC SRAM
内存宽度 18 18 18 18 18
湿度敏感等级 3 3 3 3 3
功能数量 1 1 1 1 1
端子数量 100 100 100 100 100
字数 16384 words 16384 words 16384 words 16384 words 16384 words
字数代码 16000 16000 16000 16000 16000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 70 °C 70 °C 85 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C - - -40 °C -40 °C
组织 16KX18 16KX18 16KX18 16KX18 16KX18
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 LFQFP LFQFP LFQFP LFQFP QFP
封装形状 SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE
封装形式 FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH FLATPACK
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) 240 260 260 260 240
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL COMMERCIAL COMMERCIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) MATTE TIN MATTE TIN MATTE TIN Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子节距 0.5 mm 0.5 mm 0.5 mm 0.5 mm 0.5 mm
端子位置 QUAD QUAD QUAD QUAD QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间 20 30 30 30 20
Base Number Matches 1 1 1 1 1
零件包装代码 QFP QFP QFP QFP -
针数 100 100 100 100 -
长度 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm -
座面最大高度 1.6 mm 1.6 mm 1.6 mm 1.6 mm -
宽度 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm -
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