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5962-9561325HYC

产品描述Standard SRAM, 512KX8, 45ns, CMOS, CDIP32, 0.600 INCH, CERAMIC, DIP-32
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文件大小136KB,共17页
制造商Micross
官网地址https://www.micross.com
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5962-9561325HYC概述

Standard SRAM, 512KX8, 45ns, CMOS, CDIP32, 0.600 INCH, CERAMIC, DIP-32

5962-9561325HYC规格参数

参数名称属性值
厂商名称Micross
零件包装代码DIP
包装说明DIP, DIP32,.6
针数32
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A001.A.2.C
最长访问时间45 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-CDIP-T32
JESD-609代码e4
长度41.525 mm
内存密度4194304 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
功能数量1
端子数量32
字数524288 words
字数代码512000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织512KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码DIP
封装等效代码DIP32,.6
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
电源5 V
认证状态Not Qualified
筛选级别MIL-STD-883
座面最大高度7.493 mm
最大待机电流0.0026 A
最小待机电流2 V
最大压摆率0.2 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层GOLD
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
宽度15.24 mm
Base Number Matches1
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