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D315CH21C4GO

产品描述Silicon Controlled Rectifier, 2110A I(T)RMS, 2100V V(DRM), 2100V V(RRM), 1 Element
产品类别模拟混合信号IC    触发装置   
文件大小273KB,共5页
制造商IXYS
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D315CH21C4GO概述

Silicon Controlled Rectifier, 2110A I(T)RMS, 2100V V(DRM), 2100V V(RRM), 1 Element

D315CH21C4GO规格参数

参数名称属性值
包装说明DISK BUTTON, O-CEDB-N2
Reach Compliance Codeunknown
其他特性FAST
标称电路换相断开时间140 µs
配置SINGLE
关态电压最小值的临界上升速率20 V/us
最大直流栅极触发电流300 mA
最大直流栅极触发电压3 V
JESD-30 代码O-CEDB-N2
元件数量1
端子数量2
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状ROUND
封装形式DISK BUTTON
认证状态Not Qualified
最大均方根通态电流2110 A
重复峰值关态漏电流最大值100000 µA
断态重复峰值电压2100 V
重复峰值反向电压2100 V
表面贴装YES
端子形式NO LEAD
端子位置END
触发设备类型SCR
Base Number Matches1
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