DS1245W-IND,DS1245W-IND pdf中文资料,DS1245W-IND引脚图,DS1245W-IND电路-Datasheet-电子工程世界

DS1245W-IND: 产品描述Non-Volatile SRAM Module, 128KX8, 150ns, CMOS,; 产品类别存储存储; 文件大小38KB，共1页; 制造商DALLAS; 官网地址http://www.dalsemi.com

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DS1245W-IND概述

Non-Volatile SRAM Module, 128KX8, 150ns, CMOS,

DS1245W-IND规格参数

参数名称	属性值
Reach Compliance Code	unknown
最长访问时间	150 ns
其他特性	10 YEARS OF DATA RETENTION PERIOD
JESD-30 代码	R-XDMA-N32
内存密度	1048576 bit
内存集成电路类型	NON-VOLATILE SRAM MODULE
内存宽度	8
功能数量	1
端子数量	32
字数	131072 words
字数代码	128000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	128KX8
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行	PARALLEL
认证状态	Not Qualified
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子形式	NO LEAD
端子位置	DUAL
Base Number Matches	1

DS1245W-IND相似产品对比

	DS1245W-IND	DS1245WP	DS1245WP-IND
描述	Non-Volatile SRAM Module, 128KX8, 150ns, CMOS,	Non-Volatile SRAM Module, 128KX8, 150ns, CMOS,	Non-Volatile SRAM Module, 128KX8, 150ns, CMOS,
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown
最长访问时间	150 ns	150 ns	150 ns
其他特性	10 YEARS OF DATA RETENTION PERIOD	10 YEARS OF DATA RETENTION PERIOD	10 YEARS OF DATA RETENTION PERIOD
JESD-30 代码	R-XDMA-N32	R-XDMA-N34	R-XDMA-N34
内存密度	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit
内存集成电路类型	NON-VOLATILE SRAM MODULE	NON-VOLATILE SRAM MODULE	NON-VOLATILE SRAM MODULE
内存宽度	8	8	8
功能数量	1	1	1
端子数量	32	34	34
字数	131072 words	131072 words	131072 words
字数代码	128000	128000	128000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	70 °C	85 °C
最低工作温度	-40 °C	-	-40 °C
组织	128KX8	128KX8	128KX8
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL
端子形式	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL
厂商名称	-	DALLAS	DALLAS

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