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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> DTA143TERN
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DTA143TERN

产品描述Small Signal Bipolar Transistor
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小204KB，共3页
制造商Taiwan Semiconductor
官网地址http://www.taiwansemi.com/
标准
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

DTA143TERN概述

Small Signal Bipolar Transistor

DTA143TERN规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
Reach Compliance Codecompliant
Base Number Matches1

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DTA143 TM/TE/TUA/TCA/TSA
PNP Small Signal Transistor
Small Signal Product
Features
◇
Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter
circuit without connecting external input resistor
(see equivalent circuit).
◇
The bias resistors consist of thin-film resistors with
complete isolation to allow negative biasing of the input.
They also have the advantage of almost completely
eliminating parasitic effects.
◇
Only the on/off conditions need to be set for
operation, marking device design easy.
◇
Green compound (Halogen free) with suffix "G" on
packing code and prefix "G" on date code.
Equivalent Circuit
Ordering Information (example)
Part No.
DTA143 TM
Package
SOT-723
Packing
8K / 7" Reel
Packing code
RM
Packing code
(Green)
RMG
Marking
93
Manufacture code
M0
Note : Detail please see "Ordering Information(detail, example)" below.
Maximum Ratings and Electrical Characteristics
Rating at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.
Value
TM
100
TE
150
TUA / TCA
200
-50
-50
-5
-100
-55 to + 150
TSA
300
Parameter
Power Dissipation
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Junction and Storage Temperature Range
Symbol
P
D
V
(BR)CBO
V
(BR)CEO
V
(BR)EBO
I
C
T
J
, T
STG
Unit
mW
V
V
V
mA
°C
Notes : 1. Valid provided that electrodes are kept at ambient temperature
Parameter
Collector-Base Breakdown Voltage
Collector-Emitter Breakdown Voltage
Emitter-Base Breakdown Voltage
Collector Cut-Off Current
Emitter Cut-Off Current
DC Current Gain
Input Resistance
Resistance Ratio
Transition Frequency
Symbol
V
(BR)CBO
V
(BR)CEO
V
(BR)EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE(sat)
h
FE
R
1
f
T
Min
-50
-50
-5
Typ
Max
Condtion
Ic= -50μA , I
E
=0
Ic= -1mA , I
B
=0
I
E
= -50μA , I
C
=0
Unit
V
V
V
μA
μA
V
KΩ
-0.5
-0.5
-0.3
100
3.29
4.7
250
600
6.11
V
CB
= -50V , I
E
=0
V
EB
= -4V , I
C
=0
I
C
= -5mA , I
B
= -0.25mA
V
CE
= -5V , I
C
= -1mA
V
CE
= -10V , I
E
=5mA , f=100MHz
MHz
Version : B13

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描述 Small Signal Bipolar Transistor Small Signal Bipolar Transistor Small Signal Bipolar Transistor Small Signal Bipolar Transistor Small Signal Bipolar Transistor Small Signal Bipolar Transistor Small Signal Bipolar Transistor Small Signal Bipolar Transistor Small Signal Bipolar Transistor Small Signal Bipolar Transistor
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合 符合 符合 符合 符合 符合
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compliant compliant compliant compliant compliant compliant
Base Number Matches 1 1 1 1 1 1 - - - -
厂商名称 - Taiwan Semiconductor Taiwan Semiconductor Taiwan Semiconductor Taiwan Semiconductor - Taiwan Semiconductor Taiwan Semiconductor Taiwan Semiconductor Taiwan Semiconductor

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