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DRAF114Y

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ML3-N4-B, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小419KB,共3页
制造商Panasonic(松下)
官网地址http://www.panasonic.co.jp/semicon/e-index.html
标准  
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DRAF114Y概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ML3-N4-B, 3 PIN

DRAF114Y规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
包装说明CHIP CARRIER, R-XBCC-N3
针数3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性BULIT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.7
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)0.1 A
集电极-发射极最大电压50 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)80
JESD-30 代码R-XBCC-N3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式CHIP CARRIER
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)0.1 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式NO LEAD
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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