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CHDTC363EUPTGP

产品描述Transistor,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小128KB,共3页
制造商CHENMKO
官网地址http://www.chenmko.com/
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CHDTC363EUPTGP概述

Transistor,

CHDTC363EUPTGP规格参数

参数名称属性值
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
Base Number Matches1

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CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD
SURFACE MOUNT
NPN Digital Silicon Transistor
VOLTAGE 20 Volts
APPLICATION
* Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit.
CHDTC363EUPT
CURRENT 600 mAmpere
FEATURE
* Small surface mounting type. (SC-70/SOT-323)
* High current gain.
* Suitable for high packing density.
* Low colloector-emitter saturation.
* High saturation current capability.
* Internal isolated NPN transistors in one package.
* Built in bias resistor(R1=6.8kΩ, Typ. )
(2)
(3)
SC-70/SOT-323
1.3±0.1
0.3±0.1
0.65
2.0±0.2
0.65
(1)
CONSTRUCTION
* One NPN transistors and bias of thin-film resistors in one
package.
1.25±0.1
MARKING
EUG
Gnd
In
1
0.05~0.2
0.1Min.
0.8~1.1
0~0.1
2.0~2.45
CIRCUIT
2
R2
TR
R1
3
Out
Dimensions in millimeters
SC-70/SOT-323
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
SYMBOL
V
CC
V
IN
I
C
P
TOT
T
STG
T
J
J-S
Note
1. Transistor mounted on an FR4 printed-circuit board.
2005-06
PARAMETER
Supply voltage
Input voltage
DC Output current
Total power dissipation
Storage temperature
Junction temperature
Thermal resistance
CONDITIONS
MIN.
MAX.
20
+10
600
200
+150
150
140
V
V
UNIT
-10
T
amb
25
O
C, Note 1
−55
junction - soldering point
mA
mW
O
C
C
C/W
O
O
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