Technische Information / Technical Information
Schnelle Gleichrichterdiode
Fast Diode
D 348 S 16...20
T
vj
= - 25°C...T
vj max
S
Elektrische Eigenschften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak forward reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
RMS forward current
Dauergrenzstrom
mean forward current
Stoßstrom-Grenzwert
surge foward current
T
C
=100°C
T
C
=86°C
T
vj
= 25°C, tp = 10 ms
T
vj
= T
vj max
, tp = 10 ms
T
vj
= 25°C, tp = 1 ms
T
vj
= T
vj max
, tp = 1 ms
V
RRM
1600
1800
2000
1700
1900
2100
645
348
410
5600
4600
12750
10470
156800
105800
81280
54810
V
V
V
V
V
V
A
A
A
A
A
A
A
A²s
A²s
A²s
A²s
T
vj
= + 25°C...T
vj max
V
RSM
I
FRMSM
I
FAVM
I
FSM
Grenzlastintegral
T
vj
= 25°C, tp = 10ms
T
vj
= T
vj max
, tp = 10ms
T
vj
= 25°C, tp = 1ms
I²t
I²t-value
T
vj
= T
vj max
, tp = 1ms
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
forward voltage
Schleusenspannung
threshold voltage
Ersatzwiderstand
forward slope resistance
Typischer Wert der Durchlaßverzögerungsspannung
typical value of forward recovery voltage
Durchlaßverzögerungszeit
forward recovery time
Sperrstrom
reverse current
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
Sperrverzögerungszeit
reverse recovered time
Sanftheit
Softness
T
vj
= T
vj max
, i
F
= 1200 A
v
F
V
(TO)
r
T
V
FRM
max.
2,25
1
0,9
V
V
mΩ
V
1)
T
vj
= T
vj max
T
vj
= T
vj max
IEC 747-2
T
vj
= T
vj max
di
F
/dt=50A/µs, v
R
=0V
IEC 747-2, Methode / method II
T
vj
= T
vj max,
i
FM
=1200A
di
F
/dt=50 A/µs, v
R
=0V
T
vj
= 25°C,
v
R
=V
RRM
typ
11
t
fr
typ
4,2
µs
1)
i
R
I
RM
T
vj
= T
vj max
, v
R
= V
RRM
DIN IEC 747-2, T
vj
=T
vj max
i
FM
=410A,-di
F
/dt=50A/µs
v
R
=100V, v
RM<
=200 V
DIN IEC 747-2, T
vj
=T
vj max
i
FM
=410 A,-di
F
/dt=50A/µs
v
R
=100V, v
RM<
=200 V
DIN IEC 747-2, T
vj
=T
vj max
i
FM
=410A,-di
F
/dt=50A/µs
v
R
=100 V; v
RM<
=200V
T
vj
= T
vj max
i
FM
=A,-di
F
/dt=A/µs
v
R
<=0,5 V
RRM
, v
RM
=0,8 V
RRM
max.
max.
10
100
123
mA
mA
A
1)
Q
r
650
µAs
1)
t
rr
6,2
µs
1)
SR
µs/A
2)
1) Richtwert für obere Streubereichsgrenze / Upper limit of scatter range (standard value)
2) Richtwert für untere Streubereichsgrenze / Lower limit of scatter range (standard value)
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Schnelle Gleichrichterdiode
Fast Diode
D 348 S 16...20
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided,
Θ
=180°sin
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode,
Θ
=180°sin
Anode / anode, DC
Kathode / cathode,
Θ
=180°sin
Kathode / cathode, DC
S
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resitance, junction to case
R
thJC
max. 0,08
max. 0,075
max. 0,125
max. 0,12
max. 0,205
max.
0,2
R
thCK
max. 0,015
max. 0,030
T
vj max
T
c op
T
stg
150
-40...+150
-40...+150
°C/W
°C/W
°C
°C
°C
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
Übergangs- Wärmewiderstand
thermal resitance, case to heatsink
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
max. junction temperature
Betriebstemperatur
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
einseitig / single-sided
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see appendix
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Anpreßkraft
clamping force
Gewicht
weight
Kriechstrecke
creepage distance
Feuchteklasse
humidity classification
Schwingfestigkeit
vibration resistance
DIN 40040
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Durchmesser/diameter 21mm
F
G
typ.
3,2...7,6
60
17
C
5x9,81
kN
g
mm
f = 50Hz
m/s²
Kühlkörper / heatsinks: K0,12F ; K0,17F ; K0,36S ; KL42
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt
in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen./ The technical Information specifies semiconductors devices but
promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.
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Schnelle Gleichrichterdiode
Fast Diode
D 348 S 16...20
S
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Schnelle Gleichrichterdiode
Fast Diode
D 348 S 16...20
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z
thJC
für DC
Analytical ementes of transient thermal impedance Z
thJC
for DC
Pos.n
1
2
0,00955
3
0,00862
0,028
0,00642
0,0233
0,00883
0,0319
n
max
n=1
S
Kühlung
cooling
4
0,03159
0,081
0,0412
0,0897
0,0307
0,0778
5
0,025
0,546
0,06262
3,96
0,0722
2,04
7
beidseitig
two-sided
anodenseitig
anode-sided
kathodenseitig
cathode-sided
R
thn
[°C/W] 0,00024
τ
n
[s]
τ
n
[s]
τ
n
[s]
0,000535 0,00156
0,00952
R
thn
[°C/W] 0,00024
0,000537 0,00155
0,00969
0,00158
R
thn
[°C/W] 0,00027
0,00053
0,07831
4,86
Analytische Funktion / analytical function : Z
thJC
=
=∑
R
thn
( 1 - EXP ( - t /
τ
n
))
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Schnelle Gleichrichterdiode
Fast Diode
D 348 S 16...20
S
2.000
1.800
1.600
1.400
1.200
i
F
[A]
1.000
800
600
400
200
0
0,5
1
1,5
v
F
[V]
Grenzdurchlaßkennlinie / Limiting 0n-state characteristic i
F
=f(v
F
)
T
vj
= T
vj max
2
2,5
3
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嵌入式系统
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