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HM5-8816HB-8

产品描述SRAM Module, 16KX8, 70ns, CMOS
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文件大小146KB,共5页
制造商Harris
官网地址http://www.harris.com/
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HM5-8816HB-8概述

SRAM Module, 16KX8, 70ns, CMOS

HM5-8816HB-8规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明DIP, DIP28,.6
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码3A001.A.2.C
最长访问时间70 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-XDMA-T28
JESD-609代码e0
内存密度131072 bit
内存集成电路类型SRAM MODULE
内存宽度8
功能数量1
端口数量1
端子数量28
字数16384 words
字数代码16000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织16KX8
输出特性3-STATE
可输出NO
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码DIP
封装等效代码DIP28,.6
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行PARALLEL
电源5 V
认证状态Not Qualified
筛选级别38535Q/M;38534H;883B
最大待机电流0.00032 A
最小待机电流2 V
最大压摆率0.93 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
Base Number Matches1

HM5-8816HB-8相似产品对比

HM5-8816HB-8
描述 SRAM Module, 16KX8, 70ns, CMOS
是否Rohs认证 不符合
包装说明 DIP, DIP28,.6
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 3A001.A.2.C
最长访问时间 70 ns
I/O 类型 COMMON
JESD-30 代码 R-XDMA-T28
JESD-609代码 e0
内存密度 131072 bit
内存集成电路类型 SRAM MODULE
内存宽度 8
功能数量 1
端口数量 1
端子数量 28
字数 16384 words
字数代码 16000
工作模式 ASYNCHRONOUS
最高工作温度 125 °C
最低工作温度 -55 °C
组织 16KX8
输出特性 3-STATE
可输出 NO
封装主体材料 UNSPECIFIED
封装代码 DIP
封装等效代码 DIP28,.6
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行 PARALLEL
电源 5 V
认证状态 Not Qualified
筛选级别 38535Q/M;38534H;883B
最大待机电流 0.00032 A
最小待机电流 2 V
最大压摆率 0.93 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V
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温度等级 MILITARY
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE
端子节距 2.54 mm
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