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LDTC144WLT3G

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, NPN, Silicon,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小301KB,共3页
制造商LRC
官网地址http://www.lrc.cn
标准
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LDTC144WLT3G概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, NPN, Silicon,

LDTC144WLT3G规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
最大集电极电流 (IC)0.1 A
最小直流电流增益 (hFE)56
元件数量1
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.2 W
表面贴装YES
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
Bias Resistor Transistor
NPN Silicon Surface Mount Transistor
with Monolithic Bias Resistor Network
Applications
Inverter, Interface, Driver
3
LDTC144WLT1G
Features
1) Built-in bias resistors enable the configuration of an
inverter circuit without connecting external input
resistors (see equivalent circuit).
2) The bias resistors consist of thin-film resistors with
complete isolation to allow positive biasing of the input.
They also have the advantage of almost completely
eliminating parasitic effects.
3) Only the on/off conditions need to be set for operation,
making the device design easy.
We declare that the material of product compliance with
RoHS requirements.
1
2
SOT-23
Absolute maximum ratings
(Ta=25°C)
Parameter
Symbol
Limits
Unit
1
BASE
R1
R2
3
COLLECTOR
2
EMITTER
Supply voltage
Input voltage
Output current
Power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
V
CC
V
IN
I
O
I
C(Max.)
P
D
Tj
Tstg
50
−10
to
+40
30
100
200
150
−55
to
+150
V
V
mA
mW
°C
°C
DEVICE MARKING AND RESISTOR VALUES
Device
LDTC144WLT1G
LDTC144WLT3G
Marking
A8P
A8P
R1 (K)
47
47
R2 (K)
22
22
Shipping
3000/Tape & Reel
10000/Tape & Reel
Electrical characteristics
(Ta=25°C)
Parameter
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Conditions
Input voltage
Output voltage
Input current
Output current
DC current gain
Input resistance
Resistance ratio
Transition frequency
V
I(off)
V
I(on)
V
O(on)
I
I
I
O(off)
G
I
R
1
R
2
/R
1
f
T
4
56
32.9
0.37
0.1
47
0.47
250
0.8
0.3
0.16
0.5
61.1
0.57
V
V
mA
µA
kΩ
MHz
V
CC
=
5V, I
O
=
100µA
V
O
=
0.3V, I
O
=
2mA
I
O
=
10mA, I
I
=
0.5mA
V
I
=
5V
V
CC
=
50V, V
I
=
0V
I
O
=
5mA, V
O
=
5V
V
CE
=
10V, I
E
=
−5mA,
f
=
100MHz
Characteristics of built-in transistor
1/3

LDTC144WLT3G相似产品对比

LDTC144WLT3G LDTC144WLT1G
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, NPN, Silicon,
是否Rohs认证 符合 符合
Reach Compliance Code unknown unknown
最大集电极电流 (IC) 0.1 A 0.1 A
最小直流电流增益 (hFE) 56 56
元件数量 1 1
极性/信道类型 NPN NPN
最大功率耗散 (Abs) 0.2 W 0.2 W
表面贴装 YES YES
晶体管元件材料 SILICON SILICON
Base Number Matches 1 1
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