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NAND16GW3C4BN6F

产品描述8 or 16 Gbit, 2112 byte page, 3 V supply, multilevel, multiplane, NAND Flash memory
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文件大小1MB,共60页
制造商Numonyx ( Micron )
官网地址https://www.micron.com
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NAND16GW3C4BN6F概述

8 or 16 Gbit, 2112 byte page, 3 V supply, multilevel, multiplane, NAND Flash memory

NAND16GW3C4BN6F规格参数

参数名称属性值
厂商名称Numonyx ( Micron )
零件包装代码TSOP
包装说明TSOP1,
针数48
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码3A991.B.1.A
最长访问时间25 ns
JESD-30 代码R-PDSO-G48
长度18.4 mm
内存密度17179869184 bit
内存集成电路类型FLASH
内存宽度8
功能数量1
端子数量48
字数2147483648 words
字数代码2000000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织2GX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP1
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行PARALLEL
编程电压3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)2.7 V
标称供电电压 (Vsup)3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式GULL WING
端子节距0.5 mm
端子位置DUAL
类型MLC NAND TYPE
宽度12 mm

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NAND08GW3C2B
NAND16GW3C4B
8 or 16 Gbit, 2112 byte page,
3 V supply, multilevel, multiplane, NAND Flash memory
Target Specification
Features
High density multilevel cell (MLC) Flash
memory
– Up to 16 Gbit memory array
– Up to 512 Mbit spare area
– Cost-effective solutions for mass storage
applications
NAND interface
– x8 bus width
– Multiplexed address/data
Supply voltage: V
DD
= 2.7 to 3.6 V
Page size: (2048 + 64 spare) bytes
Block size: (256K + 8K spare) bytes
Multiplane architecture
– Array split into two independent planes
– Program/erase operations can be
performed on both planes at the same time
Memory cell array:
(2 K + 64 ) bytes x 128 pages x 4096 blocks
Page read/program
– Random access: 60 µs (max)
– Sequential access: 25 ns (min)
– Page program operation time: 800 µs (typ)
Multipage program time (2 pages): 800 µs (typ)
Copy-back program
– Fast page copy
Fast block erase
– Block erase time: 2.5 ms (typ)
Multiblock erase time (2 blocks): 2.5 ms (typ)
Status register
Electronic signature
TSOP48 12 x 20 mm (N)
LGA52 12 x 17 mm (N)
Serial number option
Chip enable ‘don’t care’
Data protection
– Hardware program/erase locked during
power transitions
Development tools
– Error correction code models
– Bad block management and wear leveling
algorithm
– HW simulation models
Data integrity
– 10,000 program/erase cycles (with ECC)
– 10 years data retention
ECOPACK
®
packages available
March 2008
Rev 2
1/60
www.numonyx.com
1
This is preliminary information on a new product foreseen to be developed. Details are subject to change without notice.
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