NAND08GW4B2DZL1E,NAND08GW4B2DZL1E pdf中文资料,NAND08GW4B2DZL1E引脚图,NAND08GW4B2DZL1E电路-Datasheet-电子工程世界

NAND08GW4B2DZL1E: 产品描述512M X 8 FLASH 3V PROM, 25000 ns, PDSO48; 产品类别存储; 文件大小2MB，共69页; 制造商Numonyx ( Micron ); 官网地址https://www.micron.com

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NAND08GW4B2DZL1E概述

512M X 8 FLASH 3V PROM, 25000 ns, PDSO48

512M × 8 FLASH 3V 可编程只读存储器, 25000 ns, PDSO48

参数名称	属性值
功能数量	1
端子数量	48
最小工作温度	-40 Cel
最大工作温度	85 Cel
额定供电电压	3 V
最小供电/工作电压	2.7 V
最大供电/工作电压	3.6 V
加工封装描述	12 X 20 MM, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP-48
状态	Transferred
ype	NAND TYPE
sub_category	Flash Memories
ccess_time_max	25000 ns
command_user_interface	YES
data_polling	NO
jesd_30_code	R-PDSO-G48
存储密度	4.29E9 bit
内存IC类型	FLASH
内存宽度	8
umber_of_sectors_size	4K
位数	5.37E8 words
位数	512M
操作模式	ASYNCHRONOUS
组织	512MX8
包装材料	PLASTIC/EPOXY
ckage_code	TSSOP
ckage_equivalence_code	TSSOP48,.8,20
包装形状	RECTANGULAR
包装尺寸	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
ge_size__words_	2K
串行并行	PARALLEL
wer_supplies__v_	3/3.3
gramming_voltage__v_	3
qualification_status	COMMERCIAL
eady_busy	YES
seated_height_max	1.2 mm
sector_size__words_	128K
standby_current_max	5.00E-5 Amp
最大供电电压	0.0300 Amp
表面贴装	YES
工艺	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子涂层	NOT SPECIFIED
端子形式	GULL WING
端子间距	0.5000 mm
端子位置	DUAL
ggle_bi	NO
length	18.4 mm
width	12 mm

器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

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