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NAND08GW4B2CZL6E

产品描述512M X 8 FLASH 3V PROM, 25000 ns, PDSO48
产品类别存储    存储   
文件大小2MB,共69页
制造商Numonyx ( Micron )
官网地址https://www.micron.com
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NAND08GW4B2CZL6E概述

512M X 8 FLASH 3V PROM, 25000 ns, PDSO48

512M × 8 FLASH 3V 可编程只读存储器, 25000 ns, PDSO48

NAND08GW4B2CZL6E规格参数

参数名称属性值
厂商名称Numonyx ( Micron )
零件包装代码LGA
包装说明VBGA,
针数52
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
最长访问时间25000 ns
JESD-30 代码R-PBGA-B52
长度17 mm
内存密度8589934592 bi
内存集成电路类型FLASH
内存宽度16
功能数量1
端子数量52
字数536870912 words
字数代码512000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织512MX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码VBGA
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE
并行/串行PARALLEL
编程电压3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度0.65 mm
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)2.7 V
标称供电电压 (Vsup)3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式BALL
端子节距1 mm
端子位置BOTTOM
类型SLC NAND TYPE
宽度12 mm
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