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NAND08GW3C2AN6E

产品描述8/16 Gbit, 2112 byte page, 3 V supply, multilevel, multiplane, NAND Flash memory
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文件大小1MB,共58页
制造商Numonyx ( Micron )
官网地址https://www.micron.com
标准
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NAND08GW3C2AN6E概述

8/16 Gbit, 2112 byte page, 3 V supply, multilevel, multiplane, NAND Flash memory

NAND08GW3C2AN6E规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Numonyx ( Micron )
零件包装代码TSOP
包装说明TSSOP, TSSOP48,.8,20
针数48
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码3A991.B.1.A
最长访问时间60000 ns
命令用户界面YES
数据轮询NO
JESD-30 代码R-PDSO-G48
长度18.4 mm
内存密度8589934592 bi
内存集成电路类型FLASH
内存宽度8
功能数量1
部门数/规模8K
端子数量48
字数1073741824 words
字数代码1000000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织1GX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSSOP
封装等效代码TSSOP48,.8,20
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
页面大小2K words
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源3/3.3 V
编程电压3 V
认证状态Not Qualified
就绪/忙碌YES
座面最大高度1.2 mm
部门规模128K
最大待机电流0.00005 A
最大压摆率0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)2.7 V
标称供电电压 (Vsup)3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式GULL WING
端子节距0.5 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
切换位NO
类型MLC NAND TYPE
宽度12 mm

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NAND08GW3C2A
NAND16GW3C4A
8/16 Gbit, 2112 byte page,
3 V supply, multilevel, multiplane, NAND Flash memory
Features
High density multilevel cell (MLC) Flash
memory
– Up to 16 Gbit memory array
– Up to 512 Mbit spare area
– Cost-effective solutions for mass storage
applications
NAND interface
– x 8 bus width
– Multiplexed address/data
Supply voltage: V
DD
= 2.7 to 3.6 V
Page size: (2048 + 64 spare) bytes
Block size: (256K + 8K spare) bytes
Multiplane architecture
– Array split into two independent planes
– Program/erase operations can be
performed on both planes at the same time
Page read/program
– Random access: 60 µs (max)
– Sequential access: 25 ns (min)
– Page program operation time: 800 µs (typ)
Multipage program time (2 pages): 800 µs (typ)
Fast block erase
– Block erase time: 2.5 ms (typ)
Multiblock erase time (2 blocks): 2.5 ms (typ)
Status register
Electronic signature
Serial number option
Chip enable ‘don’t care’
TSOP48 12 x 20 mm (N)
LGA52 12 x 17 mm (N)
Data protection
– Hardware program/erase locked during
power transitions
Development tools
– Error correction code models
– Bad block management and wear leveling
algorithm
– HW simulation models
Data integrity
– 10,000 program/erase cycles (with ECC)
– 10 years data retention
ECOPACK
®
packages available
January 2008
Rev 2
1/58
www.numonyx.com
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