电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

NAND08GW3B4CN1E

产品描述512M X 8 FLASH 3V PROM, 25000 ns, PDSO48
产品类别存储    存储   
文件大小2MB,共69页
制造商Numonyx ( Micron )
官网地址https://www.micron.com
下载文档 详细参数 全文预览

NAND08GW3B4CN1E概述

512M X 8 FLASH 3V PROM, 25000 ns, PDSO48

512M × 8 FLASH 3V 可编程只读存储器, 25000 ns, PDSO48

NAND08GW3B4CN1E规格参数

参数名称属性值
厂商名称Numonyx ( Micron )
零件包装代码TSOP
包装说明TSSOP,
针数48
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码3A991.B.1.A
最长访问时间25000 ns
JESD-30 代码R-PDSO-G48
长度18.4 mm
内存密度8589934592 bi
内存集成电路类型FLASH
内存宽度8
功能数量1
端子数量48
字数1073741824 words
字数代码1000000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织1GX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSSOP
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行PARALLEL
编程电压3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)2.7 V
标称供电电压 (Vsup)3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式GULL WING
端子节距0.5 mm
端子位置DUAL
宽度12 mm

文档预览

下载PDF文档
NAND04G-B2D, NAND08G-BxC
4 Gbit, 8 Gbit, 2112 byte/1056 word page
multiplane architecture, 1.8 V or 3 V, NAND Flash memories
Preliminary Data
Features
High density NAND Flash Memory
– Up to 8 Gbit memory array
– Cost-effective solution for mass storage
applications
NAND interface
– x8 or 16x bus width
– Multiplexed address/data
Supply voltage: 1.8 V or 3.0 V device
Page size
– x8 device: (2048 + 64 spare) bytes
– x16 device: (1024 + 32 spare) words
Block size
– x8 device: (128K + 4 K spare) bytes
– x16 device: (64K + 2 K spare) words
Multiplane architecture
– Array split into two independent planes
– Program/erase operations can be
performed on both planes at the same time
Page read/program
– Random access: 25 µs (max)
– Sequential access: 25 ns (min)
– Page program time: 200 µs (typ)
– Multiplane page program time (2 pages):
200 µs (typ)
Copy back program with automatic error
detection code (EDC)
Cache read mode
Fast block erase
– Block erase time: 1.5 ms (typ)
– Multiblock erase time (2 blocks):
1.5 ms (typ)
Status Register
Electronic signature
Chip Enable ‘don’t care’
Serial number option
NAND08G-BxC
TSOP48 12 x 20 mm (N)
LGA
LGA52 12 x 17 mm (ZL)
r
Data protection:
– Hardware program/erase disabled during
power transitions
– Non-volatile protection option
ONFI 1.0 compliant command set
Data integrity
– 100 000 program/erase cycles (with ECC
(error correction code))
– 10 years data retention
ECOPACK
®
packages
Device Summary
Part number
NAND04GR3B2D
Table 1.
Reference
NAND04G-B2D
NAND04GW3B2D
NAND04GR4B2D
(1)
NAND04GW4B2D
(1)
NAND08GR3B2C,
NAND08GW3B2C
NAND08GR4B2C
(1)
NAND08GW4B2C
(1)
NAND08GR3B4C
NAND08GW3B4C
1. x16 organization only available for MCP products.
December 2007
Rev 3
1/69
www.numonyx.com
1
This is preliminary information on a new product now in development or undergoing evaluation. Details are subject to
change without notice.
晒一下活动送滴象印杯子,嘿嘿!
又收到了EE送来的礼物,很高兴!辛苦管理员们~\(≧▽≦)/~啦啦啦! 293394293395 保温性能很棒,晚上接的开水,早上起床,还是温的,超级棒, 上边还有TI的logo感谢TI咯,蟹蟹EE,嘿嘿! ......
sunduoze 聊聊、笑笑、闹闹
芯片丝印AO34是TI的那个型号?
封装是SO-23-6 找TI客服人家要单号,我没有 ...
kangkls TI技术论坛
求问国内医疗电子现状
如题,刚刚开始关注国内的医疗电子行业,有没有知情人士说一下现在的情况,有哪些好一点的公司,或者有哪些公司是可以自主做大型医疗器械的,先谢过大家了~~ ...
pouty7447 医疗电子
EEWORLD大学堂----TI 针对穿戴设备应用的系统化解决方案详解
TI 针对穿戴设备应用的系统化解决方案详解:https://training.eeworld.com.cn/course/5237...
hi5 DIY/开源硬件专区
更新:11-03历年元器件清单,大家对照题目研究,会大有收获
本帖最后由 paulhyde 于 2014-9-15 09:42 编辑 大家对照题目研究,会大有收获,比如用不用小车,用不用无线模块等等。 本帖最后由 依风152 于 2011-8-25 14:42 编辑 ] ...
依风152 电子竞赛
日期调整界面设计问题。
我需要自己设计日期调整的界面。 年月调整好说,可以日期调整如何设计呢? 因为有的月份30天有的月份31天,2月份还有28的。 这个要怎么设计...
liujiehaodi 嵌入式系统

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 2154  155  877  1721  2560  3  52  16  21  7 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved