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NAND08GW3B2DZL6E: 产品描述512M X 8 FLASH 3V PROM, 25000 ns, PDSO48; 产品类别存储; 文件大小2MB，共69页; 制造商Numonyx ( Micron ); 官网地址https://www.micron.com

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NAND08GW3B2DZL6E概述

512M X 8 FLASH 3V PROM, 25000 ns, PDSO48

512M × 8 FLASH 3V 可编程只读存储器, 25000 ns, PDSO48

NAND08GW3B2DZL6E规格参数

参数名称	属性值
功能数量	1
端子数量	48
最小工作温度	-40 Cel
最大工作温度	85 Cel
额定供电电压	3 V
最小供电/工作电压	2.7 V
最大供电/工作电压	3.6 V
加工封装描述	12 X 20 MM, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP-48
状态	Transferred
ype	NAND TYPE
sub_category	Flash Memories
ccess_time_max	25000 ns
command_user_interface	YES
data_polling	NO
jesd_30_code	R-PDSO-G48
存储密度	4.29E9 bit
内存IC类型	FLASH
内存宽度	8
umber_of_sectors_size	4K
位数	5.37E8 words
位数	512M
操作模式	ASYNCHRONOUS
组织	512MX8
包装材料	PLASTIC/EPOXY
ckage_code	TSSOP
ckage_equivalence_code	TSSOP48,.8,20
包装形状	RECTANGULAR
包装尺寸	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
ge_size__words_	2K
串行并行	PARALLEL
wer_supplies__v_	3/3.3
gramming_voltage__v_	3
qualification_status	COMMERCIAL
eady_busy	YES
seated_height_max	1.2 mm
sector_size__words_	128K
standby_current_max	5.00E-5 Amp
最大供电电压	0.0300 Amp
表面贴装	YES
工艺	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子涂层	NOT SPECIFIED
端子形式	GULL WING
端子间距	0.5000 mm
端子位置	DUAL
ggle_bi	NO
length	18.4 mm
width	12 mm

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NAND04G-B2D, NAND08G-BxC

4 Gbit, 8 Gbit, 2112 byte/1056 word page

multiplane architecture, 1.8 V or 3 V, NAND Flash memories

Preliminary Data

Features

■

High density NAND Flash Memory

– Up to 8 Gbit memory array

– Cost-effective solution for mass storage

applications

NAND interface

– x8 or 16x bus width

– Multiplexed address/data

Supply voltage: 1.8 V or 3.0 V device

Page size

– x8 device: (2048 + 64 spare) bytes

– x16 device: (1024 + 32 spare) words

Block size

– x8 device: (128K + 4 K spare) bytes

– x16 device: (64K + 2 K spare) words

Multiplane architecture

– Array split into two independent planes

– Program/erase operations can be

performed on both planes at the same time

Page read/program

– Random access: 25 µs (max)

– Sequential access: 25 ns (min)

– Page program time: 200 µs (typ)

– Multiplane page program time (2 pages):

200 µs (typ)

Copy back program with automatic error

detection code (EDC)

Cache read mode

Fast block erase

– Block erase time: 1.5 ms (typ)

– Multiblock erase time (2 blocks):

1.5 ms (typ)

Status Register

Electronic signature

Chip Enable ‘don’t care’

Serial number option

NAND08G-BxC

TSOP48 12 x 20 mm (N)

LGA

■

LGA52 12 x 17 mm (ZL)

■

Data protection:

– Hardware program/erase disabled during

power transitions

– Non-volatile protection option

ONFI 1.0 compliant command set

Data integrity

– 100 000 program/erase cycles (with ECC

(error correction code))

– 10 years data retention

ECOPACK

packages

Device Summary

Part number

NAND04GR3B2D

■

Table 1.

Reference

■

NAND04G-B2D

NAND04GW3B2D

NAND04GR4B2D

(1)

NAND04GW4B2D

(1)

NAND08GR3B2C,

NAND08GW3B2C

NAND08GR4B2C

(1)

NAND08GW4B2C

(1)

NAND08GR3B4C

NAND08GW3B4C

■

1. x16 organization only available for MCP products.

December 2007

Rev 3

1/69

www.numonyx.com

This is preliminary information on a new product now in development or undergoing evaluation. Details are subject to

change without notice.

Contents

NAND04G-B2D, NAND08G-BxC

Contents

Description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7

Memory array organization . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14

Signal descriptions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16

3.1

3.2

3.3

3.4

3.5

3.6

3.7

3.8

3.9

3.10

3.11

Inputs/outputs (I/O0-I/O7) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16

Inputs/Outputs (I/O8-I/O15) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16

Address Latch Enable (AL) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16

Command Latch Enable (CL) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16

Chip Enable (E) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16

Read Enable (R) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16

Write Enable (W) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17

Write Protect (WP) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17

Ready/Busy (RB) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17

supply voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17

ground . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17

Bus operations . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18

4.1

4.2

4.3

4.4

4.5

4.6

Command input . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18

Address input . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18

Data input . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18

Data output . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18

Write protect . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19

Standby . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19

Command set . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21

Device operations . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22

6.1

Read memory array . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22

6.1.1

6.1.2

Random read . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22

Page read . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22

6.2

Cache read . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24

2/69

NAND04G-B2D, NAND08G-BxC

Contents

6.3

Page program . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26

6.3.1

6.3.2

Sequential input . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26

Random data input in page . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26

6.4

6.5

6.6

6.7

6.8

6.9

6.10

6.11

Multiplane page program . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28

Copy back program . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29

Multiplane copy back program . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30

Block erase . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31

Multiplane block erase . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32

Error detection code (EDC) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32

Reset . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33

Read Status Register . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34

6.11.1

6.11.2

6.11.3

6.11.4

6.11.5

Write protection bit (SR7) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34

P/E/R Controller and cache ready/busy bit (SR6) . . . . . . . . . . . . . . . . . 34

P/E/R Controller bit (SR5) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34

Error bit (SR0) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34

SR4, SR3, SR2 and SR1 are reserved . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35

6.12

6.13

6.14

6.15

6.16

Read status enhanced . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35

Read EDC Status Register . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35

Read electronic signature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36

Read ONFI signature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39

Read parameter page . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39

Concurrent operations and extended read status . . . . . . . . . . . . . . . . 43

Data protection . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 43

Software algorithms . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44

9.1

9.2

9.3

9.4

9.5

Bad block management . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44

NAND Flash memory failure modes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45

Garbage collection . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 46

Wear-leveling algorithm . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 46

Error correction code . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 47

Program and erase times and endurance cycles . . . . . . . . . . . . . . . . . 48

3/69

NAND04G-B2D, NAND08G-BxC

List of tables

Table 1.

Table 2.

Table 3.

Table 4.

Table 5.

Table 6.

Table 7.

Table 8.

Table 9.

Table 10.

Table 11.

Table 12.

Table 13.

Table 14.

Table 15.

Table 16.

Table 17.

Table 18.

Table 19.

Table 20.

Table 21.

Table 22.

Table 23.

Table 24.

Table 25.

Table 26.

Table 27.

Table 28.

Table 29.

Table 30.

Table 31.

Table 32.

Table 33.

Table 34.

Table 35.

Device Summary . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1

Product description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8

Signal names . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10

Valid Blocks . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14

Bus operations . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19

Address insertion (x8 devices) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19

Address insertion (x16 devices) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20

Address definition (x8 devices) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20

Address definition (x16 devices) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20

Commands . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21

Copy back program addresses . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29

Address definition for EDC units (x8 devices) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33

Address definition for EDC units (x16 devices) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33

Status Register bits. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35

EDC Status Register bits . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36

Electronic signature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37

Electronic signature byte 3 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37

Electronic signature byte 4 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38

Electronic signature byte 5 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38

Read ONFI signature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39

Parameter page data structure . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40

Extended Read Status Register commands . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 43

Block failure . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45

Program erase times and program erase endurance cycles . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 48

Absolute maximum ratings . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 49

Operating and AC measurement conditions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50

Capacitance . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50

DC characteristics (1.8 V devices) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 51

DC characteristics (3 V devices). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 52

AC characteristics for command, address, data input . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 52

AC characteristics for operations . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 53

TSOP48 - 48 lead plastic thin small outline, 12 x 20 mm, package mechanical data. . . . . 65

LGA52 12 x 17 mm, 1 mm pitch, package mechanical data . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 66

Ordering information scheme . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 67

Document revision history . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 68

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传四维图新收购鉴智机器人进入最后阶段，发力中高阶智驾方案

8月24日消息，据媒体从不同人士处获悉，A股上市公司四维图新拟收购智驾公司鉴智机器人，进度接近完成。四维图新回复表示请以官方信息为准。截至发稿前，鉴智机器人未有回应。　　报道称，作为国内最大数字地图提供商，四维图新从2021年开始发展智驾ADAS业务，并于2023年立下转型为智能驾驶Tier1的发展战略。它每年都增大对智驾业务的投入，扩充智驾团队规模，引进高级智驾人才，并寻找可收购标...[详细]
塔克热系统在中国光博会隆重推出高性能光电应用中的最新主动制冷技术

能够为人工智能算力、智能感测和自动驾驶系统提供精确、高效的热管理 2025年8月25日，中国深圳 – 先进热管理领域的全球头部厂商塔克热系统（Tark Thermal Solutions）（前身为莱尔德热系统，Laird Thermal Systems）将于9月10 - 12日在深圳国际会展中心举行的第二十六届中国国际光电博览会（中国光博会，CIOE 2025...[详细]
专为AI PC应用打造，格科推出高性能图像传感器GC5605

该产品专为AI PC应用打造，具备高分辨率、高动态、超低功耗三大特性，助力AI PC提升视频会议、高清拍摄等应用场景的影像质量；实现智能唤醒、手势控制等更智能的人机交互。 GC5606规格参数 GC5605搭载 GalaxyCell ® 2.0 工艺平台的 1.116μm 像素，针对多种拍摄环境，尤其是暗光场景，显著增强成像细节并有效降低像素暗...[详细]
智能座舱Tier1研究：AI座舱新产品层出不穷，助力座舱全场景生态布局

佐思汽研发布《2025年智能座舱 Tier1研究报告（国内篇）》。本报告主要是对中国十几家座舱Tier1企业经营情况、座舱计算平台、座舱软件系统方案、 AI大模型、人机交互、座舱显示、座舱视觉、车载通讯、网联系统等座舱业务相关产品与方案的布局现状、创新产品以及发展趋势进行分析，以探究智能座舱市场创新方向和发展演进路线。主要智能座舱创新产品发展演进趋势 AI座舱域控、舱驾...[详细]
一种BLDC电机驱动的洗衣机控制器设计方案

　　引言　　随着“节能减排”成了国家经济发展“十一五”规划纲要的指标，人们在绿色环保方面的意识也逐渐增加。对已经普及的洗衣机来说，洗衣机的能耗和洗净率指标要求越来越高，所以现阶段洗衣机技术主要强调的是变频节能、低噪声和高洗净。尤其在高端洗衣机功能中，除了突出有触摸按键的人机界面或带除菌技术的健康洗之外，主要就体现在变频控制整机性能的提升。同时，从上世纪70年代电容启动式的单相异步电机控制技术...[详细]
一种新型的电气火灾监控报警系统应用探讨

引言　　据《中国火灾统计年鉴》显示，近十年的火灾事故中，电气火灾所占比例在30%以上，且呈逐年上升的趋势，已成为火灾的主要致灾因素，引起巨大的人财物损失。电气火灾产生的主要原因有短路、过载、接触电阻过大、静电等，其中接地性电弧短路是最危险也多发的电气火灾成因，主要是由于故障点接触不良，未被熔融而迸发出电或者电火花。而且发生电弧性短路的故障点阻抗较大，它的短路电流并不大(略大于300mA的电流...[详细]
为什么旧风扇要拨一下才转起来

　　炎炎夏日，电风扇是老百姓家里降温祛暑的必备良品，不过，相信多数人都遇到过这种情况，电风扇接通了电源，按下开关，风叶竟然不动?换几档都不行!但只要拨一下风扇叶片，马上就转起来了。这是怎么回事呢? 　　一般家用电风扇都是单相交流220V供电，所用的电机为单相异步电机，这种电机具有结构简单，成本低廉、运行等一系列的有点，所以广泛应用于如电风扇、洗衣机、电冰箱、空调等家电中。那么单相电机的运行...[详细]
电动汽车以什么样的充电方式才是最合适的

电动汽车续航里程越来越长，普及率越来越高。电动汽车充电有两种方式慢充和快充,哪一种方式最合适呢？慢充，就是采用交流220V或三相380V（普通家用照明电源或动力电源）使用输出功率为5kW左右的充电器给电动汽车充电。快充就是利用充电桩进行直流充电，插头接电动汽车的直流充电口进行充电，根据充电桩的功率可达30KW~60KW。电动汽车是以电动机动力行驶的汽车，而车载蓄电池是为电动机提供电能的核心...[详细]
芯对话|CBM108S085破局多通道DAC“同步+精度+低功耗”困局

一、多通道DAC技术瓶颈当前，多通道DAC技术的发展主要聚焦于两大核心难题：一方面，工业场景迫切需要‘多通道同步+高精度’的解决方案，而传统分立方案却因复杂度过高而难以满足需求，例如，在多轴机械臂控制中，需要实现8通道的纳秒级同步输出，分立DAC不仅占用大量PCB面积，还难以有效避免通道间的延迟误差；另一方面，便携式设备面临着‘低功耗’与‘高精度’之间的平衡挑战，如手持测量仪、可穿戴医...[详细]
探索当今TWS耳机的混合设计配置及OEM面临的工程挑战

消费者对高端聆听体验的需求推动无线耳机市场近年来快速迭代。混合设计在每只耳机中采用两种驱动单元，以提升音质、功能和佩戴舒适度。随着原始设备制造商（OEM）力求超越消费者预期并在市场中保持竞争力，这类设计正日益普及。真无线立体声（TWS）耳机领域正加速采用混合设计。混合方案的兴起促使 TWS 耳机经历重大技术重构，不仅影响制造商的产品架构，更为消费者带来显著优化的声音体验。本文将概述当今 T...[详细]
传感器组合如何为移动设备提供更加智能的通知

　　智能手机有时也会非常不智能。例如：办公室里坐满了人，每个人都在聚精会神地忙工作。寂静忽然被一阵吵闹的流行音乐打破，某个同事的手机在房间里响起，而他正好在外面吸烟休息。手机放在桌面上，由于振动一直移向桌子边沿，另外一个同事不得不起身把它放到一个安全的地方。　　从表面上看，智能手机这样的表现确实不够智能。毕竟，智能手机通常很容易察觉到它们和外部环境之间的关系。　　事实上，智能手机还需要一...[详细]

器件捷径: L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ

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