Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> NAND08GW3B2CZL6F

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NAND08GW3B2CZL6F: 产品描述512M X 8 FLASH 3V PROM, 25000 ns, PDSO48; 产品类别存储存储; 文件大小2MB，共69页; 制造商Numonyx ( Micron ); 官网地址https://www.micron.com; 标准

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NAND08GW3B2CZL6F概述

512M X 8 FLASH 3V PROM, 25000 ns, PDSO48

512M × 8 FLASH 3V 可编程只读存储器, 25000 ns, PDSO48

NAND08GW3B2CZL6F规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Numonyx ( Micron )
零件包装代码	LGA
包装说明	VBGA, LGA52(UNSPEC)
针数	52
Reach Compliance Code	unknow
ECCN代码	3A991.B.1.A
最长访问时间	25000 ns
命令用户界面	YES
数据轮询	NO
JESD-30 代码	R-PBGA-B52
长度	17 mm
内存密度	8589934592 bi
内存集成电路类型	FLASH
内存宽度	8
功能数量	1
部门数/规模	8K
端子数量	52
字数	1073741824 words
字数代码	1000000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	1GX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	VBGA
封装等效代码	LGA52(UNSPEC)
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE
页面大小	2K words
并行/串行	PARALLEL
电源	3/3.3 V
编程电压	3 V
认证状态	Not Qualified
就绪/忙碌	YES
座面最大高度	0.65 mm
部门规模	128K
最大待机电流	0.00005 A
最大压摆率	0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)	3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子形式	BALL
端子节距	1 mm
端子位置	BOTTOM
切换位	NO
类型	SLC NAND TYPE
宽度	12 mm

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NAND04G-B2D, NAND08G-BxC

4 Gbit, 8 Gbit, 2112 byte/1056 word page

multiplane architecture, 1.8 V or 3 V, NAND Flash memories

Preliminary Data

Features

■

High density NAND Flash Memory

– Up to 8 Gbit memory array

– Cost-effective solution for mass storage

applications

NAND interface

– x8 or 16x bus width

– Multiplexed address/data

Supply voltage: 1.8 V or 3.0 V device

Page size

– x8 device: (2048 + 64 spare) bytes

– x16 device: (1024 + 32 spare) words

Block size

– x8 device: (128K + 4 K spare) bytes

– x16 device: (64K + 2 K spare) words

Multiplane architecture

– Array split into two independent planes

– Program/erase operations can be

performed on both planes at the same time

Page read/program

– Random access: 25 µs (max)

– Sequential access: 25 ns (min)

– Page program time: 200 µs (typ)

– Multiplane page program time (2 pages):

200 µs (typ)

Copy back program with automatic error

detection code (EDC)

Cache read mode

Fast block erase

– Block erase time: 1.5 ms (typ)

– Multiblock erase time (2 blocks):

1.5 ms (typ)

Status Register

Electronic signature

Chip Enable ‘don’t care’

Serial number option

NAND08G-BxC

TSOP48 12 x 20 mm (N)

LGA

■

LGA52 12 x 17 mm (ZL)

■

Data protection:

– Hardware program/erase disabled during

power transitions

– Non-volatile protection option

ONFI 1.0 compliant command set

Data integrity

– 100 000 program/erase cycles (with ECC

(error correction code))

– 10 years data retention

ECOPACK

packages

Device Summary

Part number

NAND04GR3B2D

■

Table 1.

Reference

■

NAND04G-B2D

NAND04GW3B2D

NAND04GR4B2D

(1)

NAND04GW4B2D

(1)

NAND08GR3B2C,

NAND08GW3B2C

NAND08GR4B2C

(1)

NAND08GW4B2C

(1)

NAND08GR3B4C

NAND08GW3B4C

■

1. x16 organization only available for MCP products.

December 2007

Rev 3

1/69

www.numonyx.com

This is preliminary information on a new product now in development or undergoing evaluation. Details are subject to

change without notice.

Contents

NAND04G-B2D, NAND08G-BxC

Contents

Description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7

Memory array organization . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14

Signal descriptions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16

3.1

3.2

3.3

3.4

3.5

3.6

3.7

3.8

3.9

3.10

3.11

Inputs/outputs (I/O0-I/O7) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16

Inputs/Outputs (I/O8-I/O15) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16

Address Latch Enable (AL) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16

Command Latch Enable (CL) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16

Chip Enable (E) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16

Read Enable (R) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16

Write Enable (W) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17

Write Protect (WP) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17

Ready/Busy (RB) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17

supply voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17

ground . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17

Bus operations . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18

4.1

4.2

4.3

4.4

4.5

4.6

Command input . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18

Address input . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18

Data input . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18

Data output . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18

Write protect . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19

Standby . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19

Command set . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21

Device operations . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22

6.1

Read memory array . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22

6.1.1

6.1.2

Random read . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22

Page read . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22

6.2

Cache read . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24

2/69

NAND04G-B2D, NAND08G-BxC

Contents

6.3

Page program . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26

6.3.1

6.3.2

Sequential input . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26

Random data input in page . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26

6.4

6.5

6.6

6.7

6.8

6.9

6.10

6.11

Multiplane page program . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28

Copy back program . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29

Multiplane copy back program . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30

Block erase . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31

Multiplane block erase . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32

Error detection code (EDC) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32

Reset . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33

Read Status Register . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34

6.11.1

6.11.2

6.11.3

6.11.4

6.11.5

Write protection bit (SR7) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34

P/E/R Controller and cache ready/busy bit (SR6) . . . . . . . . . . . . . . . . . 34

P/E/R Controller bit (SR5) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34

Error bit (SR0) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34

SR4, SR3, SR2 and SR1 are reserved . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35

6.12

6.13

6.14

6.15

6.16

Read status enhanced . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35

Read EDC Status Register . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35

Read electronic signature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36

Read ONFI signature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39

Read parameter page . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39

Concurrent operations and extended read status . . . . . . . . . . . . . . . . 43

Data protection . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 43

Software algorithms . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44

9.1

9.2

9.3

9.4

9.5

Bad block management . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44

NAND Flash memory failure modes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45

Garbage collection . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 46

Wear-leveling algorithm . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 46

Error correction code . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 47

Program and erase times and endurance cycles . . . . . . . . . . . . . . . . . 48

3/69

NAND04G-B2D, NAND08G-BxC

List of tables

Table 1.

Table 2.

Table 3.

Table 4.

Table 5.

Table 6.

Table 7.

Table 8.

Table 9.

Table 10.

Table 11.

Table 12.

Table 13.

Table 14.

Table 15.

Table 16.

Table 17.

Table 18.

Table 19.

Table 20.

Table 21.

Table 22.

Table 23.

Table 24.

Table 25.

Table 26.

Table 27.

Table 28.

Table 29.

Table 30.

Table 31.

Table 32.

Table 33.

Table 34.

Table 35.

Device Summary . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1

Product description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8

Signal names . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10

Valid Blocks . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14

Bus operations . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19

Address insertion (x8 devices) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19

Address insertion (x16 devices) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20

Address definition (x8 devices) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20

Address definition (x16 devices) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20

Commands . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21

Copy back program addresses . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29

Address definition for EDC units (x8 devices) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33

Address definition for EDC units (x16 devices) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33

Status Register bits. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35

EDC Status Register bits . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36

Electronic signature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37

Electronic signature byte 3 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37

Electronic signature byte 4 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38

Electronic signature byte 5 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38

Read ONFI signature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39

Parameter page data structure . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40

Extended Read Status Register commands . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 43

Block failure . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45

Program erase times and program erase endurance cycles . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 48

Absolute maximum ratings . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 49

Operating and AC measurement conditions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50

Capacitance . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50

DC characteristics (1.8 V devices) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 51

DC characteristics (3 V devices). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 52

AC characteristics for command, address, data input . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 52

AC characteristics for operations . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 53

TSOP48 - 48 lead plastic thin small outline, 12 x 20 mm, package mechanical data. . . . . 65

LGA52 12 x 17 mm, 1 mm pitch, package mechanical data . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 66

Ordering information scheme . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 67

Document revision history . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 68

5/69

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2月4日消息，近日，欣旺达在互动平台回答投资者提问时表示，公司的固态电池研发按计划推进，第一代、第二代半固态电池已实现规模化生产，能量密度分别为320Wh/kg、380Wh/kg，分别适配轻型无人机、eVTOL等领域，并与部分低空经济领军企业达成合作，2027年全固态电池有望实现量产。作为下一代高性能电池技术，固态电池凭借高能量密度、高安全性等显著优势，正加速从实验室走向产业化。随着政策红...[详细]
已有VLM，自动驾驶为什么还要探索VLA?

自动驾驶技术正处于发展的转折点。过去十几年间，行业长期依赖模块化的技术路径，即将驾驶任务拆解为感知、预测、规划和控制四个独立环节。这种结构虽然清晰，但在面对突发状况时（长尾场景），会因规则覆盖不足而表现僵化。随着大语言模型和视觉语言模型（VLM）的爆发，开发者们意识到，如果车辆能像人类一样拥有常识，理解什么是“潮汐车道”，知道“救护车在后方鸣笛需要避让”，那么自动驾驶的上限将得到极大提升。...[详细]
恩智浦研发新技术，抵御软件定义汽车面临的网络攻击

软件定义汽车面临的一大主要风险是，随着计算能力的提升，其网络安全面临的威胁也在增加。最新的计算革命涉及量子计算的兴起 —— 这是一种利用量子力学的系统，可同时处理数字 1 和 0，从而实现更快的计算速度。然而，这种更快的性能也带来了更多网络黑客攻击的风险。因此，恩智浦半导体（NXP Semiconductors）研发了名为 “后量子密码学”（Post Quantum Crypt...[详细]
研华模块化电脑SOM-7583：通过模块化架构应对人形机器人应用挑战

市场趋势在处理复杂任务和支持智能自动化的需求不断攀升的推动下，人形机器人技术正在以前所未有的速度发展。人工智能在计算、感知以及运动控制方面取得的重大突破，正在促使这些机器人走出实验室，迈向物流、检查以及医疗保健等真实应用场景。它们擅长承担危险或重复性的工作，通过机器视觉、人工智能推理以及传感器融合技术灵活适应动态变化的环境。应用挑战 1、异构计算集成现代人形机器人通常...[详细]
消息称日立拟剥离存储业务，售价最高达 2000 亿日元

1 月 30 日消息，据彭博社今日报道，日立正考虑以最高 2000 亿日元（现汇率约合 90.8 亿元人民币）的价格出售数据存储业务。日立公司暂未对此置评。据多方消息人士透露，该公司将进行资产重组，包括出售低利润业务以公司结构。目前，日立已聘请财务顾问为出售存储业务做准备，并已向包括私募股权基金在内的潜在买家分发了该业务的概要。此次出售的目标是两家日本和美国的子公司，其中包括全资子公司 Hi...[详细]
消息称 AMD、高通考虑导入 SOCAMM 内存，恐加剧 LPDDR 市场紧张

1 月 28 日消息，《韩国经济日报》今日报道称，除积极推动 SOCAMM 商业化的英伟达外，AMD 和高通也在探索为其 AI 服务器芯片导入这一类型的内存模组。相较板载 LPDDR DRAM Die 方案，SOCAMM 具备维护便利性上的天然优势；而与基于 DDR 的 DIMM 模组方案相比，SOCAMM 在主板 PCB 上的面积占用更低，能效更为优秀。消息人士表示，AMD 和高通考虑...[详细]
【匠师共研】系列之一器件赋能系统，打通从生物大脑到新型半导体器件应用新途

【引言】从生物大脑出发的一次工程对话当AI算力竞赛愈演愈烈，一条源于生物大脑的技术路径，正在悄然重塑半导体器件与系统架构。近日，泰克专家在展台与类脑器件领域资深研究者万老师展开深度交流，围绕“器件如何赋能系统、打通从生物大脑到新型半导体应用的工程路径”这一核心议题，探讨类脑计算背后的器件逻辑与现实挑战。从尖峰信号出发：类脑计算的器件原点万老师指出，传统计算体系依赖二进制逻辑，...[详细]
国产高性能ONFI IP解决方案全解析

1.什么是ONFI IP？其在AI时代的作用是什么？ ONFI (Open NAND Flash Interface) 是连接闪存控制器与NAND颗粒的关键高速接口协议。在AI和高性能计算（HPC）时代，数据存储的吞吐量瓶颈日益凸显，高性能的ONFI IP能够确保大规模数据的高效存取，是SSD及先进存储系统的核心技术基石。 2. 奎芯科技 ONFI IP 的核心技术规格奎芯科技提供...[详细]
星途ES8首搭全固态电池奇瑞2026技术攻势引关注

2026开年，奇瑞集团以17款全新及改款车型的强劲攻势聚焦行业目光，目标直指年销320万辆，较2025年增长14%。这场产品盛宴背后，是奇瑞从规模扩张向价值竞争的战略转型，而星途品牌旗下的ES8猎装旗舰因全球首搭全固态电池，成为技术突破的核心载体，有望改写电动车技术格局。全固态电池是行业公认的下一代电池技术，相比传统液态锂离子电池，在能量密度、安全性、低温性能上具备质的飞跃，但量产落地一直是...[详细]
基于RT-Thread的物联网温控箱简易实现与技术集锦

目录项目概述使用情况概述硬件框架软件框架说明演示效果改进方向代码地址 1 项目概述本项目是一个简易的、较的、易于扩展的桌面级温控系统。实现对箱内温度的精确控制，并通过接入网络，配套了功能完善的Web可视化监控和调参Dashboard，实现了完整的闭环。整个项目充分利用了RT-Thread多线程、设备驱动框架和网络组件的能力，实现了一个软硬件结合的...[详细]
英特尔发布2025年第四季度及全年财报

第四季度营收137亿美元，同比下降4%。全年营收529亿美元，与去年持平。上述同比数据尚未针对2025年第三季度剥离Altera业务进行调整。英特尔第四季度每股收益（EPS）为-0.12美元；非通用会计准则（Non-GAAP）每股收益为0.15美元。全年每股收益为-0.06美元；非通用会计准则每股收益为0.42美元。预计2026年第一季度营收为117亿美元至127亿美元；预计第一季度英...[详细]
Betterfrost 创新型供电网络实现创纪录的玻璃除霜速度

高密度电源模块以二十分之一的能耗实现 60 秒快速除霜传统除霜方法将内燃机（ICE）产生的大量废热导引至挡风玻璃为其除霜。这种方式效率低下，且热量在玻璃表面分布不均。随着电动汽车日益普及，其依靠电池供电的座舱空调系统也沿用了这种原始的除霜技术。此外，由于电动汽车座舱为降噪而密封更严，车窗内部起雾问题也更加突出。因此，电动汽车需要重新思考除冰除雾方案，因为传统的 HVAC 除霜方法不仅效率低...[详细]

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