Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> NAND08GW3B2BN6E

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NAND08GW3B2BN6E: 产品描述512M X 8 FLASH 3V PROM, PDSO48; 产品类别存储存储; 文件大小1005KB，共58页; 制造商Numonyx ( Micron ); 官网地址https://www.micron.com; 标准

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NAND08GW3B2BN6E概述

512M X 8 FLASH 3V PROM, PDSO48

512M × 8 FLASH 3V 可编程只读存储器, PDSO48

NAND08GW3B2BN6E规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
零件包装代码	TSOP
包装说明	TSOP1,
针数	48
Reach Compliance Code	compli
ECCN代码	3A991.B.1.A
Is Samacsys	N
最长访问时间	25 ns
JESD-30 代码	R-PDSO-G48
JESD-609代码	e3
长度	18.4 mm
内存密度	8589934592 bi
内存集成电路类型	FLASH
内存宽度	8
功能数量	1
端子数量	48
字数	1073741824 words
字数代码	1000000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	1GX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP1
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260
编程电压	3 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)	3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	Tin (Sn)
端子形式	GULL WING
端子节距	0.5 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
类型	NAND TYPE
宽度	12 mm
Base Number Matches	1

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NAND04GW3B2B

NAND08GW3B2A

4 Gbit, 8 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page

3V, NAND Flash Memories

Features

■

High density NAND Flash Memory

– up to 8 Gbit memory array

– Up to 256 Mbit spare area

– Cost effective solution for mass storage

applications

NAND Interface

– x8 bus width

– Multiplexed Address/ Data

Supply voltage

– 3.0V device: V

= 2.7 to 3.6V

Page size

– (2048 + 64 spare) Bytes

Block size

– (128K + 4K spare) Bytes

Page Read/Program

– Random access: 25µs (max)

– Sequential access: 30ns (min)

– Page program time: 200µs (typ)

Copy Back Program mode

– Fast page copy without external buffering

Cache Program and Cache Read modes

– Internal Cache Register to improve the

program and read throughputs

Fast Block Erase

– Block erase time: 2ms (typ)

Status Register

Electronic Signature

Chip Enable ‘don’t care’

– for simple interface with microcontroller

Serial Number option

■

TSOP48 12 x 20mm

■

Data protection

– Hardware and Software Block Locking

– Hardware Program/Erase locked during

Power transitions

Data integrity

– 100,000 Program/Erase cycles (with ECC)

– 10 years Data Retention

ECOPACK

package

Development tools

– Error Correction Code software and

hardware models

– Bad Blocks Management and Wear

Leveling algorithms

– File System OS Native reference software

– Hardware simulation models

■

December 2007

Rev 5

1/58

www.numonyx.com

Contents

NAND04GW3B2B, NAND08GW3B2A

Contents

Description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7

Memory array organization . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11

2.1

Bad Blocks . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11

Signal descriptions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13

3.1

3.2

3.3

3.4

3.5

3.6

3.7

3.8

3.9

3.10

3.11

Inputs/Outputs (I/O0-I/O7) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13

Address Latch Enable (AL) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13

Command Latch Enable (CL) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13

Chip Enable (E) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13

Read Enable (R) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13

Power-Up Read Enable, Lock/Unlock Enable (PRL) . . . . . . . . . . . . . . . . 13

Write Enable (W) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14

Write Protect (WP) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14

Ready/Busy (RB) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14

Supply Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14

Ground . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14

Bus operations . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15

4.1

4.2

4.3

4.4

4.5

4.6

Command Input . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15

Address Input . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15

Data Input . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15

Data Output . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15

Write Protect . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16

Standby . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16

Command set . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17

Device operations . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18

6.1

Read Memory Array . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18

6.1.1

6.1.2

Random Read . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18

Page Read . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18

2/58

NAND04GW3B2B, NAND08GW3B2A

Contents

6.2

6.3

Cache Read . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21

Page Program . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22

6.3.1

6.3.2

Sequential Input . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22

Random Data Input in page . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22

6.4

6.5

6.6

6.7

6.8

Copy Back Program . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24

Cache Program . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26

Block Erase . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27

Reset . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27

Read Status Register . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28

6.8.1

6.8.2

6.8.3

6.8.4

6.8.5

6.8.6

Write Protection Bit (SR7) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28

P/E/R Controller and Cache Ready/Busy Bit (SR6) . . . . . . . . . . . . . . . 28

P/E/R Controller Bit (SR5) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28

Cache Program Error Bit (SR1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28

Error Bit (SR0) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29

SR4, SR3 and SR2 are Reserved . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29

6.9

Read Electronic Signature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30

Data Protection . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32

7.1

7.2

7.3

7.4

Blocks Lock . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32

Blocks Unlock . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32

Blocks Lock-Down . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33

Block Lock Status . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33

Software algorithms . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36

8.1

8.2

8.3

8.4

8.5

8.6

Bad Block Management . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36

NAND Flash memory failure modes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36

Garbage Collection . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38

Wear-leveling algorithm . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38

Error Correction Code . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38

Hardware simulation models . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39

8.6.1

8.6.2

Behavioral simulation models . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39

IBIS simulations models . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39

Program and Erase times and endurance cycles . . . . . . . . . . . . . . . . . 40

3/58

NAND04GW3B2B, NAND08GW3B2A

List of tables

Table 1.

Table 2.

Table 3.

Table 4.

Table 5.

Table 6.

Table 7.

Table 8.

Table 9.

Table 10.

Table 11.

Table 12.

Table 13.

Table 14.

Table 15.

Table 16.

Table 17.

Table 18.

Table 19.

Table 20.

Table 21.

Table 22.

Table 23.

Table 24.

Product Description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8

Signal Names . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9

Valid Blocks . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11

Bus Operations . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16

Address Insertion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16

Address Definition. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16

Commands . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17

Copy Back Program addresses . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24

Status Register Bits . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29

Electronic Signature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30

Electronic Signature Byte 3 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30

Electronic Signature Byte 4 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31

Block Lock Status . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34

Block failure . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37

Program, Erase Times and Program Erase Endurance Cycles . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40

Absolute Maximum Ratings . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 41

Operating and AC Measurement Conditions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 42

Capacitance . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 42

DC Characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 43

AC Characteristics for Command, Address, Data Input . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44

AC Characteristics for operations . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44

TSOP48 - 48 lead Plastic Thin Small Outline, 12 x 20 mm, Package Mechanical Data. . . 55

Ordering Information Scheme. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 56

Document revision history . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 57

5/58

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引言　　据《中国火灾统计年鉴》显示，近十年的火灾事故中，电气火灾所占比例在30%以上，且呈逐年上升的趋势，已成为火灾的主要致灾因素，引起巨大的人财物损失。电气火灾产生的主要原因有短路、过载、接触电阻过大、静电等，其中接地性电弧短路是最危险也多发的电气火灾成因，主要是由于故障点接触不良，未被熔融而迸发出电或者电火花。而且发生电弧性短路的故障点阻抗较大，它的短路电流并不大(略大于300mA的电流...[详细]
电动汽车在电池进行充电时需要注意些什么

现在电动汽车是普及了，但是带来的一系列问题出现了，最主要的就是电动汽车的充电问题。小型电动汽车(电动汽车)是在能源日益枯竭，中央大力提倡新能源汽车的大环境下新兴的一种交通工具。那么，问题又来了。小型电动汽车与传统汽油车有所不同，在使用和保养上都有需要特别注意的地方，操作不当可能会对车的安全和使用寿命造成影响。所以在使用时，一些常识我们必须要了解。对电动汽车来说，电池就相当于它的“心脏”，控...[详细]
电动汽车以什么样的充电方式才是最合适的

电动汽车续航里程越来越长，普及率越来越高。电动汽车充电有两种方式慢充和快充,哪一种方式最合适呢？慢充，就是采用交流220V或三相380V（普通家用照明电源或动力电源）使用输出功率为5kW左右的充电器给电动汽车充电。快充就是利用充电桩进行直流充电，插头接电动汽车的直流充电口进行充电，根据充电桩的功率可达30KW~60KW。电动汽车是以电动机动力行驶的汽车，而车载蓄电池是为电动机提供电能的核心...[详细]
纯电动汽车的双电机与单电机各自的特点是什么

对于电动汽车而言，最核心的部件之一就是电机。电源为电机提供电能，而电机的作用就是将这些电能转化为机械能，进而通过传动装置来驱动车轮前进，因此汽车的能量转换效率与电机的性能密不可分。而为了提升汽车性能，双电机模式也被应用到了电动汽车当中。那么相较于传统的单电机模式，双电机模式拥有着哪些优势，是否只是单电机的叠加呢？首先，目前的双电机驱动主要是有三种方式，第一种是两个功率相同的电机进行叠加，实...[详细]
Power Integrations推出太阳能赛车专用参考设计，采用高效率氮化镓芯片

PowiGaN在轻载和满载时均实现95%高效率，满足关键的运行和安全功能需求澳大利亚达尔文及美国加州圣何塞， 2025年8月22日讯 –Power Integrations推出一款专为太阳能赛车量身定制的参考设计套件。与此同时，37支学生队伍已整装待发，将参加于8月24日开始的普利司通世界太阳能挑战赛，穿越澳洲内陆地区。该套件型号为RDK-85SLR，采用了PI™公司一款集成Po...[详细]

器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

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