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NAND08GR4B2DN6E: 产品描述512M X 8 FLASH 3V PROM, 25000 ns, PDSO48; 产品类别存储; 文件大小2MB，共69页; 制造商Numonyx ( Micron ); 官网地址https://www.micron.com

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NAND08GR4B2DN6E概述

512M X 8 FLASH 3V PROM, 25000 ns, PDSO48

512M × 8 FLASH 3V 可编程只读存储器, 25000 ns, PDSO48

NAND08GR4B2DN6E规格参数

参数名称	属性值
功能数量	1
端子数量	48
最小工作温度	-40 Cel
最大工作温度	85 Cel
额定供电电压	3 V
最小供电/工作电压	2.7 V
最大供电/工作电压	3.6 V
加工封装描述	12 X 20 MM, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP-48
状态	Transferred
ype	NAND TYPE
sub_category	Flash Memories
ccess_time_max	25000 ns
command_user_interface	YES
data_polling	NO
jesd_30_code	R-PDSO-G48
存储密度	4.29E9 bit
内存IC类型	FLASH
内存宽度	8
umber_of_sectors_size	4K
位数	5.37E8 words
位数	512M
操作模式	ASYNCHRONOUS
组织	512MX8
包装材料	PLASTIC/EPOXY
ckage_code	TSSOP
ckage_equivalence_code	TSSOP48,.8,20
包装形状	RECTANGULAR
包装尺寸	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
ge_size__words_	2K
串行并行	PARALLEL
wer_supplies__v_	3/3.3
gramming_voltage__v_	3
qualification_status	COMMERCIAL
eady_busy	YES
seated_height_max	1.2 mm
sector_size__words_	128K
standby_current_max	5.00E-5 Amp
最大供电电压	0.0300 Amp
表面贴装	YES
工艺	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子涂层	NOT SPECIFIED
端子形式	GULL WING
端子间距	0.5000 mm
端子位置	DUAL
ggle_bi	NO
length	18.4 mm
width	12 mm

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NAND04G-B2D, NAND08G-BxC

4 Gbit, 8 Gbit, 2112 byte/1056 word page

multiplane architecture, 1.8 V or 3 V, NAND Flash memories

Preliminary Data

Features

■

High density NAND Flash Memory

– Up to 8 Gbit memory array

– Cost-effective solution for mass storage

applications

NAND interface

– x8 or 16x bus width

– Multiplexed address/data

Supply voltage: 1.8 V or 3.0 V device

Page size

– x8 device: (2048 + 64 spare) bytes

– x16 device: (1024 + 32 spare) words

Block size

– x8 device: (128K + 4 K spare) bytes

– x16 device: (64K + 2 K spare) words

Multiplane architecture

– Array split into two independent planes

– Program/erase operations can be

performed on both planes at the same time

Page read/program

– Random access: 25 µs (max)

– Sequential access: 25 ns (min)

– Page program time: 200 µs (typ)

– Multiplane page program time (2 pages):

200 µs (typ)

Copy back program with automatic error

detection code (EDC)

Cache read mode

Fast block erase

– Block erase time: 1.5 ms (typ)

– Multiblock erase time (2 blocks):

1.5 ms (typ)

Status Register

Electronic signature

Chip Enable ‘don’t care’

Serial number option

NAND08G-BxC

TSOP48 12 x 20 mm (N)

LGA

■

LGA52 12 x 17 mm (ZL)

■

Data protection:

– Hardware program/erase disabled during

power transitions

– Non-volatile protection option

ONFI 1.0 compliant command set

Data integrity

– 100 000 program/erase cycles (with ECC

(error correction code))

– 10 years data retention

ECOPACK

packages

Device Summary

Part number

NAND04GR3B2D

■

Table 1.

Reference

■

NAND04G-B2D

NAND04GW3B2D

NAND04GR4B2D

(1)

NAND04GW4B2D

(1)

NAND08GR3B2C,

NAND08GW3B2C

NAND08GR4B2C

(1)

NAND08GW4B2C

(1)

NAND08GR3B4C

NAND08GW3B4C

■

1. x16 organization only available for MCP products.

December 2007

Rev 3

1/69

www.numonyx.com

This is preliminary information on a new product now in development or undergoing evaluation. Details are subject to

change without notice.

Contents

NAND04G-B2D, NAND08G-BxC

Contents

Description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7

Memory array organization . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14

Signal descriptions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16

3.1

3.2

3.3

3.4

3.5

3.6

3.7

3.8

3.9

3.10

3.11

Inputs/outputs (I/O0-I/O7) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16

Inputs/Outputs (I/O8-I/O15) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16

Address Latch Enable (AL) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16

Command Latch Enable (CL) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16

Chip Enable (E) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16

Read Enable (R) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16

Write Enable (W) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17

Write Protect (WP) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17

Ready/Busy (RB) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17

supply voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17

ground . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17

Bus operations . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18

4.1

4.2

4.3

4.4

4.5

4.6

Command input . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18

Address input . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18

Data input . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18

Data output . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18

Write protect . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19

Standby . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19

Command set . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21

Device operations . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22

6.1

Read memory array . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22

6.1.1

6.1.2

Random read . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22

Page read . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22

6.2

Cache read . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24

2/69

NAND04G-B2D, NAND08G-BxC

Contents

6.3

Page program . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26

6.3.1

6.3.2

Sequential input . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26

Random data input in page . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26

6.4

6.5

6.6

6.7

6.8

6.9

6.10

6.11

Multiplane page program . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28

Copy back program . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29

Multiplane copy back program . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30

Block erase . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31

Multiplane block erase . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32

Error detection code (EDC) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32

Reset . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33

Read Status Register . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34

6.11.1

6.11.2

6.11.3

6.11.4

6.11.5

Write protection bit (SR7) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34

P/E/R Controller and cache ready/busy bit (SR6) . . . . . . . . . . . . . . . . . 34

P/E/R Controller bit (SR5) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34

Error bit (SR0) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34

SR4, SR3, SR2 and SR1 are reserved . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35

6.12

6.13

6.14

6.15

6.16

Read status enhanced . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35

Read EDC Status Register . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35

Read electronic signature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36

Read ONFI signature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39

Read parameter page . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39

Concurrent operations and extended read status . . . . . . . . . . . . . . . . 43

Data protection . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 43

Software algorithms . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44

9.1

9.2

9.3

9.4

9.5

Bad block management . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44

NAND Flash memory failure modes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45

Garbage collection . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 46

Wear-leveling algorithm . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 46

Error correction code . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 47

Program and erase times and endurance cycles . . . . . . . . . . . . . . . . . 48

3/69

NAND04G-B2D, NAND08G-BxC

List of tables

Table 1.

Table 2.

Table 3.

Table 4.

Table 5.

Table 6.

Table 7.

Table 8.

Table 9.

Table 10.

Table 11.

Table 12.

Table 13.

Table 14.

Table 15.

Table 16.

Table 17.

Table 18.

Table 19.

Table 20.

Table 21.

Table 22.

Table 23.

Table 24.

Table 25.

Table 26.

Table 27.

Table 28.

Table 29.

Table 30.

Table 31.

Table 32.

Table 33.

Table 34.

Table 35.

Device Summary . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1

Product description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8

Signal names . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10

Valid Blocks . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14

Bus operations . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19

Address insertion (x8 devices) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19

Address insertion (x16 devices) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20

Address definition (x8 devices) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20

Address definition (x16 devices) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20

Commands . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21

Copy back program addresses . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29

Address definition for EDC units (x8 devices) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33

Address definition for EDC units (x16 devices) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33

Status Register bits. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35

EDC Status Register bits . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36

Electronic signature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37

Electronic signature byte 3 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37

Electronic signature byte 4 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38

Electronic signature byte 5 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38

Read ONFI signature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39

Parameter page data structure . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40

Extended Read Status Register commands . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 43

Block failure . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45

Program erase times and program erase endurance cycles . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 48

Absolute maximum ratings . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 49

Operating and AC measurement conditions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50

Capacitance . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50

DC characteristics (1.8 V devices) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 51

DC characteristics (3 V devices). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 52

AC characteristics for command, address, data input . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 52

AC characteristics for operations . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 53

TSOP48 - 48 lead plastic thin small outline, 12 x 20 mm, package mechanical data. . . . . 65

LGA52 12 x 17 mm, 1 mm pitch, package mechanical data . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 66

Ordering information scheme . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 67

Document revision history . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 68

5/69

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电动汽车以什么样的充电方式才是最合适的

电动汽车续航里程越来越长，普及率越来越高。电动汽车充电有两种方式慢充和快充,哪一种方式最合适呢？慢充，就是采用交流220V或三相380V（普通家用照明电源或动力电源）使用输出功率为5kW左右的充电器给电动汽车充电。快充就是利用充电桩进行直流充电，插头接电动汽车的直流充电口进行充电，根据充电桩的功率可达30KW~60KW。电动汽车是以电动机动力行驶的汽车，而车载蓄电池是为电动机提供电能的核心...[详细]
STM32-电源控制、低功耗模式

STM32的电源控制 STM32的电源框图 STM32的工作电压（VDD）为2.0～3.6V。通过内置的电压调节器提供所需的1.8V电源。当主电源VDD掉电后，通过VBAT脚为实时时钟(RTC)和备份寄存器提供电源。下面是STM32的电源框图：注意：框图中的VDDA和VSSA必须分别联到VDD和VSS。独立的A/D转换器供电和参考电压为了提高转换的精确度，ADC使用一个独立的...[详细]
Keil5 STM32 C++开发 ARM V6编译器的使用教程

　　Keil5更新之后，开始支持ARM V6编译器，新版本的编译器对C++有了更多的支持，在编译方面也做了很多的改善，具体的没有详细了解，本文只是对STM32 开发下，使用V6版本的编译器进行STM32的C++开发作一个记录，方便和大家交流和参考。至于说为什么STM32要C++开发，这个没有解释，只是个人觉得C++比C有更多的方便，使得编程更加的容易，C++有更多的生态.... 　　开始上教程：...[详细]
择用符合自己逆变电源方法

市场上的逆变器电源产品,大体可分两种,一种是正弦波逆变器,一种是方波逆变器,有些工程师也喜欢把纯正弦波逆变器的另分一类,那就是正弦波,纯正弦波,方波。 1.正弦波,它输出的波形就如同我们用的市电一样的波,但它输出的波形要比市电的好,所以这种产品的对于所有的用电设备都合适.但它的价格较高,一般300W的就卖到800多元.一般用天高精密设备,探测,研发,军事等地方多.而对于家电,我们也不必用哪么高要...[详细]
纯电动汽车在市场中受欢迎的原因是什么

新能源汽车在国家政策的支持和鼓励下，一些互联网造车企业也加入到造车里面去，从造车新势力来说，基本上都是纯电动汽车，对于造车新势力而言为何都喜欢做纯电动汽车？对于造车新势力来说喜欢做纯电动汽车，有几个方面的原因，首先第一点外行人造车选择纯电动汽车，有两个方面的原因，第一个方面的原因，那就是国家对新能源汽车行业有一定的补贴，而造纯电动汽车的补贴标准和政策是刚好符合补贴标准和要求的，其次从车辆的...[详细]
探索当今TWS耳机的混合设计配置及OEM面临的工程挑战

消费者对高端聆听体验的需求推动无线耳机市场近年来快速迭代。混合设计在每只耳机中采用两种驱动单元，以提升音质、功能和佩戴舒适度。随着原始设备制造商（OEM）力求超越消费者预期并在市场中保持竞争力，这类设计正日益普及。真无线立体声（TWS）耳机领域正加速采用混合设计。混合方案的兴起促使 TWS 耳机经历重大技术重构，不仅影响制造商的产品架构，更为消费者带来显著优化的声音体验。本文将概述当今 T...[详细]
stm32单片机时钟

1 引言：# 单片机（Microcontrollers），采用超大规模集成电路技术把具有数据处理能力的中央处理器CPU、随机存储器RAM、只读存储器ROM、多种I/O口和中断系统、定时器/计数器等功能（可能还包括显示驱动电路、脉宽调制电路、模拟多路转换器、A/D转换器等电路）集成到一块硅片上构成的一个小而完善的微型计算机系统，在工业控制领域广泛应用。单片机时钟可以说如同人的心脏那样重要，我们在...[详细]
隔行扫描电视新的三场信息综合去隔行算法

引言　　随着信息高速公路以及互联网的发展，广播电视在全球范围内普及开来。不同时期、不同领域出现的电视信息有多种格式，如早期彩色电视的PAL、NTSC和SCREAM制式;近期数字电视的DVB(欧洲)、ATSC(美国)和ISDB(日本);以及数字电视的SDTV(标清电视)和HDTV(高清电视)等。格式多样化的存在不可避免地提出了解决电视信号格式间转换的新课题。　　尽管电视信号格式种类多，但...[详细]
采用 GaN 的 Cyclo 转换器如何帮助优化微型逆变器和便携式电源设计

1. 简介微型逆变器中的功率转换系统通常采用两级式设计，如图 1-1 所示。图 1-1. 微型逆变器两级拓扑在这种方案中，首先是一个直流/直流级（反激式或推挽式升压级），然后是另一个交流/直流级（自换向交流/直流或图腾柱 PFC），将光伏电池板提供的直流电转换为通常在 400VDC 左右的临时直流总线。然后，根据国家或地区的电网情况，将直流总线转换为交流电压 (110VAC...[详细]
Cadence 携手 NVIDIA 革新功耗分析技术，加速开发十亿门级 AI 设计

Cadence 携手 NVIDIA 革新功耗分析技术，加速开发十亿门级 AI 设计 Cadence 全新 Palladium Dynamic Power Analysis 应用程序助力 AI/ML 芯片和系统设计工程师打造高能效设计，缩短产品上市时间中国上海，2025 年 8 月 20 日 —— 楷登电子（美国 Cadence 公司，）近日宣布，通过与 NVIDIA 的紧密合作，公司...[详细]

器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

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