Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> NAND08GR3B2CZL1E

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NAND08GR3B2CZL1E: 产品描述512M X 8 FLASH 3V PROM, 25000 ns, PDSO48; 产品类别存储存储; 文件大小2MB，共69页; 制造商Numonyx ( Micron ); 官网地址https://www.micron.com; 标准

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NAND08GR3B2CZL1E概述

512M X 8 FLASH 3V PROM, 25000 ns, PDSO48

512M × 8 FLASH 3V 可编程只读存储器, 25000 ns, PDSO48

NAND08GR3B2CZL1E规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Numonyx ( Micron )
零件包装代码	LGA
包装说明	VBGA, LGA52(UNSPEC)
针数	52
Reach Compliance Code	unknow
ECCN代码	3A991.B.1.A
最长访问时间	25000 ns
命令用户界面	YES
数据轮询	NO
JESD-30 代码	R-PBGA-B52
长度	17 mm
内存密度	8589934592 bi
内存集成电路类型	FLASH
内存宽度	8
功能数量	1
部门数/规模	8K
端子数量	52
字数	1073741824 words
字数代码	1000000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	1GX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	VBGA
封装等效代码	LGA52(UNSPEC)
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE
页面大小	2K words
并行/串行	PARALLEL
电源	1.8 V
编程电压	1.8 V
认证状态	Not Qualified
就绪/忙碌	YES
座面最大高度	0.65 mm
部门规模	128K
最大待机电流	0.00005 A
最大压摆率	0.02 mA
最大供电电压 (Vsup)	1.95 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	BALL
端子节距	1 mm
端子位置	BOTTOM
切换位	NO
类型	SLC NAND TYPE
宽度	12 mm

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NAND04G-B2D, NAND08G-BxC

4 Gbit, 8 Gbit, 2112 byte/1056 word page

multiplane architecture, 1.8 V or 3 V, NAND Flash memories

Preliminary Data

Features

■

High density NAND Flash Memory

– Up to 8 Gbit memory array

– Cost-effective solution for mass storage

applications

NAND interface

– x8 or 16x bus width

– Multiplexed address/data

Supply voltage: 1.8 V or 3.0 V device

Page size

– x8 device: (2048 + 64 spare) bytes

– x16 device: (1024 + 32 spare) words

Block size

– x8 device: (128K + 4 K spare) bytes

– x16 device: (64K + 2 K spare) words

Multiplane architecture

– Array split into two independent planes

– Program/erase operations can be

performed on both planes at the same time

Page read/program

– Random access: 25 µs (max)

– Sequential access: 25 ns (min)

– Page program time: 200 µs (typ)

– Multiplane page program time (2 pages):

200 µs (typ)

Copy back program with automatic error

detection code (EDC)

Cache read mode

Fast block erase

– Block erase time: 1.5 ms (typ)

– Multiblock erase time (2 blocks):

1.5 ms (typ)

Status Register

Electronic signature

Chip Enable ‘don’t care’

Serial number option

NAND08G-BxC

TSOP48 12 x 20 mm (N)

LGA

■

LGA52 12 x 17 mm (ZL)

■

Data protection:

– Hardware program/erase disabled during

power transitions

– Non-volatile protection option

ONFI 1.0 compliant command set

Data integrity

– 100 000 program/erase cycles (with ECC

(error correction code))

– 10 years data retention

ECOPACK

packages

Device Summary

Part number

NAND04GR3B2D

■

Table 1.

Reference

■

NAND04G-B2D

NAND04GW3B2D

NAND04GR4B2D

(1)

NAND04GW4B2D

(1)

NAND08GR3B2C,

NAND08GW3B2C

NAND08GR4B2C

(1)

NAND08GW4B2C

(1)

NAND08GR3B4C

NAND08GW3B4C

■

1. x16 organization only available for MCP products.

December 2007

Rev 3

1/69

www.numonyx.com

This is preliminary information on a new product now in development or undergoing evaluation. Details are subject to

change without notice.

Contents

NAND04G-B2D, NAND08G-BxC

Contents

Description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7

Memory array organization . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14

Signal descriptions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16

3.1

3.2

3.3

3.4

3.5

3.6

3.7

3.8

3.9

3.10

3.11

Inputs/outputs (I/O0-I/O7) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16

Inputs/Outputs (I/O8-I/O15) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16

Address Latch Enable (AL) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16

Command Latch Enable (CL) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16

Chip Enable (E) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16

Read Enable (R) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16

Write Enable (W) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17

Write Protect (WP) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17

Ready/Busy (RB) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17

supply voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17

ground . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17

Bus operations . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18

4.1

4.2

4.3

4.4

4.5

4.6

Command input . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18

Address input . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18

Data input . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18

Data output . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18

Write protect . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19

Standby . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19

Command set . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21

Device operations . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22

6.1

Read memory array . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22

6.1.1

6.1.2

Random read . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22

Page read . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22

6.2

Cache read . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24

2/69

NAND04G-B2D, NAND08G-BxC

Contents

6.3

Page program . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26

6.3.1

6.3.2

Sequential input . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26

Random data input in page . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26

6.4

6.5

6.6

6.7

6.8

6.9

6.10

6.11

Multiplane page program . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28

Copy back program . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29

Multiplane copy back program . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30

Block erase . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31

Multiplane block erase . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32

Error detection code (EDC) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32

Reset . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33

Read Status Register . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34

6.11.1

6.11.2

6.11.3

6.11.4

6.11.5

Write protection bit (SR7) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34

P/E/R Controller and cache ready/busy bit (SR6) . . . . . . . . . . . . . . . . . 34

P/E/R Controller bit (SR5) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34

Error bit (SR0) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34

SR4, SR3, SR2 and SR1 are reserved . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35

6.12

6.13

6.14

6.15

6.16

Read status enhanced . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35

Read EDC Status Register . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35

Read electronic signature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36

Read ONFI signature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39

Read parameter page . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39

Concurrent operations and extended read status . . . . . . . . . . . . . . . . 43

Data protection . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 43

Software algorithms . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44

9.1

9.2

9.3

9.4

9.5

Bad block management . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44

NAND Flash memory failure modes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45

Garbage collection . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 46

Wear-leveling algorithm . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 46

Error correction code . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 47

Program and erase times and endurance cycles . . . . . . . . . . . . . . . . . 48

3/69

NAND04G-B2D, NAND08G-BxC

List of tables

Table 1.

Table 2.

Table 3.

Table 4.

Table 5.

Table 6.

Table 7.

Table 8.

Table 9.

Table 10.

Table 11.

Table 12.

Table 13.

Table 14.

Table 15.

Table 16.

Table 17.

Table 18.

Table 19.

Table 20.

Table 21.

Table 22.

Table 23.

Table 24.

Table 25.

Table 26.

Table 27.

Table 28.

Table 29.

Table 30.

Table 31.

Table 32.

Table 33.

Table 34.

Table 35.

Device Summary . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1

Product description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8

Signal names . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10

Valid Blocks . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14

Bus operations . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19

Address insertion (x8 devices) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19

Address insertion (x16 devices) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20

Address definition (x8 devices) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20

Address definition (x16 devices) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20

Commands . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21

Copy back program addresses . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29

Address definition for EDC units (x8 devices) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33

Address definition for EDC units (x16 devices) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33

Status Register bits. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35

EDC Status Register bits . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36

Electronic signature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37

Electronic signature byte 3 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37

Electronic signature byte 4 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38

Electronic signature byte 5 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38

Read ONFI signature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39

Parameter page data structure . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40

Extended Read Status Register commands . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 43

Block failure . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45

Program erase times and program erase endurance cycles . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 48

Absolute maximum ratings . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 49

Operating and AC measurement conditions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50

Capacitance . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50

DC characteristics (1.8 V devices) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 51

DC characteristics (3 V devices). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 52

AC characteristics for command, address, data input . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 52

AC characteristics for operations . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 53

TSOP48 - 48 lead plastic thin small outline, 12 x 20 mm, package mechanical data. . . . . 65

LGA52 12 x 17 mm, 1 mm pitch, package mechanical data . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 66

Ordering information scheme . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 67

Document revision history . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 68

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　　2006年，英特尔在耗费了6年的时间和约50亿美元的资金投入后，最终放弃了手机芯片市场。时隔两年，英特尔缩小了PC芯片，使手持机具有可以与PC相媲美的处理能力，一款名为凌动的芯片成为英特尔重返手机市场的最新一次尝试。　　成功打造了PC产业链的英特尔，在这样短的时间内做出如此重大的战略转变，足以说明手机市场对其巨大的吸引力。那么，英特尔重返手机芯片市场的深刻内涵是什么？它又能否重新锻造出...[详细]
台湾晶圆厂登陆将进一步开放政策最快9月出台

　　马英九7月10日表示，晶圆厂赴大陆投资会进一步开放。这是否意味包括晶圆制程朝90纳米及十二英寸晶圆厂近期将可望解禁？台当局“经济部投审会”表示，“经济部”正在研议中，还未决定开放范围，预计八月会紧锣密鼓邀集相关单位及业者协商，晶圆产业进一步开放的具体政策最快九月才会宣布。　　据台湾中广新闻网报道，马英九支持对合理且必要的高科技业，进一步开放登陆投资。这番话被解读目前开放八英寸晶圆及0.1...[详细]
消除多路复用DAC的输出错误

　　在某些应用(如数据记录器)中，具有多路复用模拟输出是非常理想的。当一次仅有单个输出有效时，电压输出DAC" 数模转换器 (DAC)和模拟多路复用器可以实现这个需求。你可以使用此类信号来激活桥路。还可能需要双极输出，但是你可能不愿意放弃哪怕是一比特的分辨率。　　要解决第一个问题，设计者通常实现多路复用器(图1a)。但是这种方法有一个严重缺点：输出准确度可能会由于多路复用器的内部阻抗而大大下降...[详细]
无线射频识别技术(RFID)

　　无线射频识别技术(RFID)作为本世纪最有发展前途的信息技术之一，已得到全球业界的高度重视；中国拥有产品门类最为齐全的装备制造业，又是全球IT产品最重要的生产加工基地和消费市场，同时还是世界第三大贸易国。这些都为中国电子标签产业与应用的发展提供了巨大的市场空间、带来了难得的发展机遇，RFID技术与电子标签应用必将成为中国信息产业发展和信息化建设的一个新机遇、成为国民经济新的增长点。　　未来...[详细]
高性能、低饱和线性稳压器的开发

　　在整机设备不断实现小型化和省电化的今天，功耗小的低漏失线性稳压器（LDO)正成为开关电源用线性稳压器市场的主流。为了实现高性能和高速度，设备内部采用的微型计算机或数字信号处理器(DSP)工艺年年都在取得突飞猛进的进步和发展，与此同时，这些微型计算机或数字信号处理器必不可少的电源电压也越来越低。另外，不同制造工艺对应的电压各自存在差异，因此要求各种各样的供电电压。为解决这一问题，各生产厂商开始在...[详细]
数字助听器的设计挑战

　　助听器的设计人员有着严格的技术要求。助听器必须足够小以便放入人体的耳内或耳后，运行功率必须超低，并且没有噪声或失真。为满足这些要求，现有的助听设备消耗的功率要低于 1mA，工作电压为 1V，利用的芯片面积少于 10mm2，这通常意味着两个或三个设备相互叠放。典型的模拟助听器由具有非线性输入/输出功能和频率相关增益的放大器组成。但此模拟处理依赖于自定义电路，与数字处理相比，缺乏可编程性且成本更高...[详细]
台湾媒体称马英九暗示开放12吋晶圆厂“登陆”

　　马英九10日抛出扩大开放晶圆厂登陆想法。他表示，美国半导体大厂英特尔公司，去年宣布成立大陆12吋晶圆90纳米制程的生产工厂，如果美国可以容许英特尔到大陆去，“我相信我们进一步开放应该是合理、也是必要的政策”。　　据台湾《联合报》报道，马英九昨天在接见美商应用材料公司全球总裁史宾林特，马英九说，台湾半导体晶圆代工产业是世界龙头，IC设计所占比例名列前茅，封装测试也是全球第一，因此应用材料公...[详细]
三星拟投资逾10亿美元改造内存芯片生产线

　　三星电子（Samsung Electronics）本周一宣布，该公司计划今年投资1.05万亿韩元（合10.5亿美元）对内存芯片生产线进行技术改造。　　三星电子在向证监会递交的文件中表示，这笔投资将用于改造生产线，改进生产工艺，以提高该公司在内存芯片产量和价格方面的竞争力。 ...[详细]
能够实时转换任意格式的视频是未来趋势

　　当今视频娱乐市场以内容为王，能够实时转换任意格式的视频内容是未来市场发展的一个核心趋势。即使不被众人所了解，但是视频转码技术必将得到广泛的使用。视频转码是指将某一视频格式转换为另一视频格式的过程，通常都是先将视频暂时解码，然后重新编码成需要的格式和数据编码速度。　　IDC分析指出了三种主要的转码需求：不同视频格式间的转换，例如从MPEG-2或者MPEG-4转到H.264；内容传输，改变比特率...[详细]
200M速率电力线Modem设计与实现(图)

　　电力线通信(Power line Communication)简称“PLC”，是一种利用输电和供电的电力线进行高速数据传输的技术。　　1 电力线传输的优点　　电力线遍布城市和乡村，其覆盖面是任何网络无法比拟的，有利于电力线通信（PLC）网络的推广。PLC通过电力线传输数据，不需要增设更多的线路及设备，只需将调制解调器插入电力插座就可以通信，使用简单，成本低廉，有利于信息资源共享和家电...[详细]
英特尔宣布完成首款无线WiMax芯片设计

　　英特尔近日宣布已经完成了首款移动WiMax芯片的设计，预计这一产品最早将于2008年出现在笔记本中。值得注意的是，英特尔计划将WiMax芯片同Wi-Fi整合在一起，打造一款名为“WiMax Connection 2300”的芯片组。　　首款WiMax芯片设计的完成，意味着英特尔距离创建一个完整移动WiMax平台的目标又近了一步。英特尔希望通过这一平台在更广阔的范围内为用户提供更快的无线互...[详细]

器件捷径: S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY

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