Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> NAND02GW4B2DZA6F

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NAND02GW4B2DZA6F: 产品描述256M X 8 FLASH 1.8V PROM, 25000 ns, PBGA63; 产品类别存储存储; 文件大小2MB，共69页; 制造商Numonyx ( Micron ); 官网地址https://www.micron.com; 标准

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NAND02GW4B2DZA6F概述

256M X 8 FLASH 1.8V PROM, 25000 ns, PBGA63

256M × 8 FLASH 1.8V 可编程只读存储器, 25000 ns, PBGA63

NAND02GW4B2DZA6F规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Numonyx ( Micron )
零件包装代码	BGA
包装说明	TFBGA, BGA63,10X12,32
针数	63
Reach Compliance Code	unknow
ECCN代码	3A991.B.1.A
最长访问时间	25000 ns
命令用户界面	YES
数据轮询	NO
JESD-30 代码	R-PBGA-B63
长度	12 mm
内存密度	2147483648 bi
内存集成电路类型	FLASH
内存宽度	16
功能数量	1
部门数/规模	2K
端子数量	63
字数	134217728 words
字数代码	128000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	128MX16
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TFBGA
封装等效代码	BGA63,10X12,32
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
页面大小	1K words
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	3/3.3 V
编程电压	3 V
认证状态	Not Qualified
就绪/忙碌	YES
座面最大高度	1.05 mm
部门规模	64K
最大待机电流	0.00005 A
最大压摆率	0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)	3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子形式	BALL
端子节距	0.8 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
切换位	NO
类型	SLC NAND TYPE
宽度	9.5 mm

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NAND02G-B2D

2-Gbit, 2112-byte/1056-word page

multiplane architecture, 1.8 V or 3 V, NAND flash memories

Preliminary Data

Features

■

High density NAND flash memory

– Up to 2 Gbits of memory array

– Cost-effective solution for mass storage

applications

NAND interface

– x8 or x16 bus width

– Multiplexed address/data

Supply voltage: 1.8 V or 3.0 V device

Page size

– x8 device: (2048 + 64 spare) bytes

– x16 device: (1024 + 32 spare) words

Block size

– x8 device: (128 K + 4 K spare) bytes

– x16 device: (64 K + 2 K spare) words

Multiplane architecture

– Array split into two independent planes

– Program/erase operations can be

performed on both planes at the same time

Page read/program

– Random access: 25 µs (max)

– Sequential access: 25 ns (min)

– Page program time: 200 µs (typ)

– Multiplane page program time (2 pages):

200 µs (typ)

Copy back program with automatic EDC (error

detection code)

Cache read mode

Fast block erase

– Block erase time: 1.5 ms (typ)

– Multiblock erase time (2 blocks): 1.5 ms

(typ)

■

TSOP48 12 x 20 mm (N)

■

FBGA

VFBGA63 9.5 x 12 mm (ZA)

■

Status register

Electronic signature

Chip Enable ‘don’t care’

Serial number option

Data protection:

– Hardware program/erase disabled during

power transitions

– Non-volatile protection option

ONFI 1.0 compliant command set

Data integrity

– 100,000 program/erase cycles (with ECC)

– 10 years data retention

ECOPACK

packages

Device summary

Part number

NAND02GR3B2D

NAND02G-B2D

NAND02GW3B2D

NAND02GR4B2D

(1)

NAND02GW4B2D

(1)

■

Table 1.

Reference

1. x 16 organization only available for MCP products.

April 2008

Rev 3

1/69

www.numonyx.com

This is preliminary information on a new product now in development or undergoing evaluation. Details are subject to

change without notice.

Contents

NAND02G-B2D

Contents

Description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7

Memory array organization . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13

Signal descriptions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15

3.1

3.2

3.3

3.4

3.5

3.6

3.7

3.8

3.9

3.10

3.11

Inputs/outputs (I/O0-I/O7) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15

Inputs/outputs (I/O8-I/O15) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15

Address Latch Enable (AL) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15

Command Latch Enable (CL) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15

Chip Enable (E) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15

Read Enable (R) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15

Write Enable (W) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16

Write Protect (WP) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16

Ready/Busy (RB) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16

supply voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16

ground . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16

Bus operations . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17

4.1

4.2

4.3

4.4

4.5

4.6

Command input . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17

Address input . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17

Data input . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17

Data output . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17

Write protect . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18

Standby . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18

Command set . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20

Device operations . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21

6.1

Read memory array . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21

6.1.1

6.1.2

Random read . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21

Page read . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21

6.2

Cache read . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23

2/69

NAND02G-B2D

Contents

6.3

Page program . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25

6.3.1

6.3.2

Sequential input . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25

Random data input in page . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25

6.4

6.5

6.6

6.7

6.8

6.9

6.10

6.11

Multiplane page program . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27

Copy back program . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28

Multiplane copy back program . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30

Block erase . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32

Multiplane block erase . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33

Error detection code (EDC) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34

Reset . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35

Read status register . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35

6.11.1

6.11.2

6.11.3

6.11.4

6.11.5

Write protection bit (SR7) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35

P/E/R controller and cache ready/busy bit (SR6) . . . . . . . . . . . . . . . . . 36

P/E/R controller bit (SR5) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36

Error bit (SR0) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36

SR4, SR3, SR2 and SR1 are reserved . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36

6.12

6.13

6.14

6.15

6.16

Read status enhanced . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37

Read EDC status register . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37

Read electronic signature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38

Read ONFI signature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40

Read parameter page . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40

Data protection . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44

Software algorithms . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44

8.1

8.2

8.3

8.4

8.5

Bad block management . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44

NAND flash memory failure modes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45

Garbage collection . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 46

Wear-leveling algorithm . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 46

Error correction code . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 47

Program and erase times and endurance cycles . . . . . . . . . . . . . . . . . 48

Maximum ratings . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 49

3/69

NAND02G-B2D

List of tables

Table 1.

Table 2.

Table 3.

Table 4.

Table 5.

Table 6.

Table 7.

Table 8.

Table 9.

Table 10.

Table 11.

Table 12.

Table 13.

Table 14.

Table 15.

Table 16.

Table 17.

Table 18.

Table 19.

Table 20.

Table 21.

Table 22.

Table 23.

Table 24.

Table 25.

Table 26.

Table 27.

Table 28.

Table 29.

Table 30.

Table 31.

Table 32.

Device summary . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1

Product description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8

Signal names . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10

Bus operations . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18

Address insertion (x 8 devices). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18

Address insertion (x 16 devices). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19

Address definition (x 8 devices) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19

Address definition (x 16 devices) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19

Commands . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20

Address definition for EDC units (x8 devices) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34

Address definition for EDC units (x16 devices) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35

Status register bits . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36

EDC status register bits . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37

Electronic signature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38

Electronic signature byte 3 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38

Electronic signature byte 4 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39

Electronic signature byte 5 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39

Read ONFI signature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40

Parameter page data structure . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 41

Block failure . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45

Program erase times and program erase endurance cycles . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 48

Absolute maximum ratings . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 49

Operating and AC measurement conditions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50

Capacitance . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50

DC characteristics (1.8 V devices) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 51

DC characteristics (3 V devices). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 52

AC characteristics for command, address, data input . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 52

AC Characteristics for operations . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 53

TSOP48 - 48 lead plastic thin small outline, 12 x 20 mm, package mechanical data. . . . . 65

VFBGA63 9.5 x 12 mm - 6 x 8 active ball array, 0.80 mm pitch, package mechanical

data . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 66

Ordering information scheme . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 67

Document revision history . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 68

5/69

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三星拟投资逾10亿美元改造内存芯片生产线

　　三星电子（Samsung Electronics）本周一宣布，该公司计划今年投资1.05万亿韩元（合10.5亿美元）对内存芯片生产线进行技术改造。　　三星电子在向证监会递交的文件中表示，这笔投资将用于改造生产线，改进生产工艺，以提高该公司在内存芯片产量和价格方面的竞争力。 ...[详细]
欧胜第一款用于手机的主动噪音消除芯片

2008年7月欧胜微电子宣布，其第一款专为手机应用而设计的主动噪音消除芯片现已开始提供样品。语音通信依然是手机的主要功能。现在的用户期望在任何时间和地点，甚至是在闹市或聚会场所等非常嘈杂环境中都能够进行稳定可靠、清晰可辨的通话。理想的清晰通话需要尽量减少双方的噪音，使通话双方可以听清交谈的全部要点。到目前为止，手机制造商仅仅能够在发送通道上降噪，因此背景噪音未被传...[详细]
北京“急救信息平台”奥运会期间亮相

　　7月17日，由北京市科委、北京市卫生局合作的北京重大科技成果“急救信息平台”正式在人民医院启动，这套系统将先期装载在50辆999急救车上，并首先为奥运会和残奥会服务，将在北京的紧急医疗救助保障中广泛使用。今后，救护车还行驶在路上的时候，就可以把患者的生命体征等信息传输到医院，医院立即准备人员和设备抢救病人。这样一套远程急救信息平台大大缩短了抢救患者生命的时间。　　“采用现场急救人员、...[详细]
在Nehalem时代　Intel推出单芯片设计

　　在我们还在诟病NVIDIA单芯片设计，发热量惊人的时候，Intel也开始向单芯片设计迈进了。Intel在Nehalem时代，终于将内存控制器集成到CPU内部，这让主板芯片组进一步简化。在这种情况下，Intel决定将其Ibex Peak变成一款仅仅使用单芯片设计（Single Chip core-logic）的主板。　　从Intel的路线图中，我们可以看到IPex Peak将能够简化目前繁...[详细]
QuickLogic的SDIO 配置多个不同记忆卡

2008 年 7 月 22 日， QuickLogic® 公司宣布，可以提供配备多个、独立记忆卡能力的强化已验证 SDIO 主控制器解决方案。强化主控制器解决方案作为 QuickLogic 的 CSSP 产品的验证系统模块之一，专门针对手持式系统设计。日前，首款配置了四张独立记忆卡。 QuickLogic 还可根据客户需求，为 PSB 配置更多记忆卡...[详细]
新型三维物体识别和图像处理可检测肿瘤

　　英国赫特福德大学的研究人员开发出一项新技术，该技术可以使肿瘤的检测更加准确。 Soodamani Ramalingam博士及其领导的研究小组开发了一种三维物体识别和图像处理技术，该技术可帮助医生得到更加准确的人类肿瘤图像，从而使恶性肿瘤得到更好的识别和更佳的治疗机会。该研究小组目前正在寻求合作者以及进一步的资金支持，并计划在三年内将该技术普及到英国国内医院。该研究...[详细]
富士通推出AUTOSAR 2.1标准的汽车板载MCU驱动

富士通微电子宣布推出用于其MB91460系列高性能32位汽车微控制器的新型微控制器驱动。这款驱动由富士通微电子和芬兰的伊莱比特公司共同研发，符合汽车软件标准组织AUTOSAR联盟制定的汽车开放软件架构标准AUTOSAR 2.1(*1)。两家公司自2008年7月18日开始供应这款驱动。配合使用富士通微电子的微控制器，这款驱动不仅帮助客户提高汽车板载应用的代码复用性，还能提高汽车软件的开发效率...[详细]
反馈线性化直接方法的理论分析与改进

　　0基于动平衡状态理论的反馈线性化直接方法介绍　　基于动平衡状态理论的反馈线性化直接方法的基本思想是：首先根据对被控对象的性能要求，设计出具有希望动态特性的线性参考模型；然后将参考模型的状态作为控制系统的动平衡状态，再利用李亚普诺夫第二方法设计控制律使系统对动平衡状态渐近稳定。这样被控系统的动态过程将收敛于参考模型给出的希望动态过程，从而使系统获得预期的性能。　　这种方法分为两步：(1...[详细]

器件捷径: L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ

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