电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

NAND02GW3B2BZA6F

产品描述128M X 8 FLASH 1.8V PROM, 25000 ns, PBGA63
产品类别存储    存储   
文件大小1MB,共60页
制造商Numonyx ( Micron )
官网地址https://www.micron.com
下载文档 详细参数 全文预览

NAND02GW3B2BZA6F概述

128M X 8 FLASH 1.8V PROM, 25000 ns, PBGA63

128M × 8 FLASH 1.8V 可编程只读存储器, 25000 ns, PBGA63

NAND02GW3B2BZA6F规格参数

参数名称属性值
厂商名称Numonyx ( Micron )
零件包装代码BGA
包装说明TFBGA,
针数63
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码3A991.B.1.A
最长访问时间25000 ns
JESD-30 代码R-PBGA-B63
长度12 mm
内存密度2147483648 bi
内存集成电路类型FLASH
内存宽度8
功能数量1
端子数量63
字数268435456 words
字数代码256000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织256MX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TFBGA
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行PARALLEL
编程电压3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.05 mm
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)2.7 V
标称供电电压 (Vsup)3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
宽度9.5 mm

文档预览

下载PDF文档
NAND01G-B2B
NAND02G-B2C
1-Gbit, 2-Gbit,
2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory
Features
High density NAND flash memories
– Up to 2 Gbits of memory array
– Cost effective solutions for mass storage
applications
NAND interface
– x8 or x16 bus width
– Multiplexed address/ data
– Pinout compatibility for all densities
Supply voltage: 1.8 V/3.0 V
Page size
– x8 device: (2048 + 64 spare) bytes
– x16 device: (1024 + 32 spare) words
Block size
– x8 device: (128 K + 4 K spare) bytes
– x16 device: (64 K + 2 K spare) words
Page read/program
– Random access: 25 µs (max)
– Sequential access: 30 ns (min)
– Page program time: 200 µs (typ)
Copy back program mode
Cache program and cache read modes
Fast block erase: 2 ms (typ)
Status register
Electronic signature
Chip enable ‘don’t care’
TSOP48 12 x 20 mm
FBGA
VFBGA63 9.5 x 12 x 1 mm
VFBGA63 9 x 11 x 1 mm
Serial number option
Data protection
– Hardware block locking
– Hardware program/erase locked during
power transitions
Data integrity
– 100 000 program/erase cycles per block
(with ECC)
– 10 years data retention
ECOPACK
®
packages
Development tools
– Error correction code models
– Bad blocks management and wear leveling
algorithms
– Hardware simulation models
Table 1.
Device summary
Reference
NAND01G-B2B
Part number
NAND01GR3B2B, NAND01GW3B2B
NAND01GR4B2B
,
NAND01GW4B2B
(1)
NAND02GR3B2C, NAND02GW3B2C
NAND02G-B2C
NAND02GR4B2C, NAND02GW4B2C
(1)
1. x16 organization only available for MCP products.
April 2008
Rev 5
1/60
www.numonyx.com
1
用单芯片开发usb读写技巧
开发手册:39526...
lanxunlanya 单片机
wince ads7845
求助:哪位大侠用过ADS7845的控制器,或者在wince下面做过5线电阻屏! 本人在用ads7845采到的数据会有偏差!...
rango 嵌入式系统
国家规定的安全电压等级
国家标准《安全电压》规定我国安全电压额定值的等级为42V、36V、24V、12V和6V,应根据作业场所、操作员条件、使用方式、供电方式、线路状况等因素选用。安全电压是不致造成人身触电事故的 ......
qwqwqw2088 模拟与混合信号
想做一个感应手势的腕环 具体可以配备什么种类的传感器和处理器?
本帖最后由 niuyuzhe 于 2015-5-18 15:28 编辑 如题,想要设计一个类似MYO的手环,可能需要检测的是环绕腕部的压力变化以及生物电变化,目前国内的技术可以采用什么型号的传感器呢?...
niuyuzhe 消费电子
PCB板的規格計算
請問一塊PCB板有哪些規格? 怎樣計算一塊PCB板的功率? IC器件的功率從DATASHEET中就可以查到,但是電路中的電容、電感、電阻等一些元件的耗能怎樣計算呢? ...
zhonghuadianzie PCB设计
这个距离小于0.254mm的问题
429735 这个警告,如何修改规则?谢谢! ...
chenbingjy PCB设计

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 1539  1041  1230  2082  1712  31  21  25  42  35 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved