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NAND02GR4B2BZA6F: 产品描述128M X 8 FLASH 1.8V PROM, 25000 ns, PBGA63; 产品类别存储; 文件大小1MB，共60页; 制造商Numonyx ( Micron ); 官网地址https://www.micron.com

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NAND02GR4B2BZA6F概述

128M X 8 FLASH 1.8V PROM, 25000 ns, PBGA63

128M × 8 FLASH 1.8V 可编程只读存储器, 25000 ns, PBGA63

NAND02GR4B2BZA6F规格参数

参数名称	属性值
功能数量	1
端子数量	63
最大工作温度	85 Cel
最小工作温度	-40 Cel
最大供电/工作电压	1.95 V
最小供电/工作电压	1.7 V
额定供电电压	1.8 V
最大存取时间	25000 ns
加工封装描述	9 X 11 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, VFBGA-63
无铅	Yes
欧盟RoHS规范	Yes
状态	TRANSFERRED
包装形状	RECTANGULAR
包装尺寸	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
表面贴装	Yes
端子形式	BALL
端子间距	0.8000 mm
端子涂层	NOT SPECIFIED
端子位置	BOTTOM
包装材料	PLASTIC/EPOXY
温度等级	INDUSTRIAL
内存宽度	8
组织	128M X 8
存储密度	1.02E9 deg
操作模式	ASYNCHRONOUS
位数	1.28E8 words
位数	128M
内存IC类型	FLASH 1.8V PROM
串行并行	PARALLEL

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NAND01G-B2B

NAND02G-B2C

1-Gbit, 2-Gbit,

2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory

Features

■

High density NAND flash memories

– Up to 2 Gbits of memory array

– Cost effective solutions for mass storage

applications

NAND interface

– x8 or x16 bus width

– Multiplexed address/ data

– Pinout compatibility for all densities

Supply voltage: 1.8 V/3.0 V

Page size

– x8 device: (2048 + 64 spare) bytes

– x16 device: (1024 + 32 spare) words

Block size

– x8 device: (128 K + 4 K spare) bytes

– x16 device: (64 K + 2 K spare) words

Page read/program

– Random access: 25 µs (max)

– Sequential access: 30 ns (min)

– Page program time: 200 µs (typ)

Copy back program mode

Cache program and cache read modes

Fast block erase: 2 ms (typ)

Status register

Electronic signature

Chip enable ‘don’t care’

■

TSOP48 12 x 20 mm

FBGA

■

VFBGA63 9.5 x 12 x 1 mm

VFBGA63 9 x 11 x 1 mm

■

Serial number option

Data protection

– Hardware block locking

– Hardware program/erase locked during

power transitions

Data integrity

– 100 000 program/erase cycles per block

(with ECC)

– 10 years data retention

ECOPACK

packages

Development tools

– Error correction code models

– Bad blocks management and wear leveling

algorithms

– Hardware simulation models

■

Table 1.

Device summary

Reference

NAND01G-B2B

Part number

NAND01GR3B2B, NAND01GW3B2B

NAND01GR4B2B

NAND01GW4B2B

(1)

NAND02GR3B2C, NAND02GW3B2C

NAND02G-B2C

NAND02GR4B2C, NAND02GW4B2C

(1)

1. x16 organization only available for MCP products.

April 2008

Rev 5

1/60

www.numonyx.com

Contents

NAND01G-B2B, NAND02G-B2C

Contents

Description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7

Memory array organization . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12

2.1

Bad blocks . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12

Signals description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14

3.1

3.2

3.3

3.4

3.5

3.6

3.7

3.8

3.9

3.10

3.11

Inputs/outputs (I/O0-I/O7) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14

Inputs/outputs (I/O8-I/O15) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14

Address Latch Enable (AL) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14

Command Latch Enable (CL) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14

Chip Enable (E) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14

Read Enable (R) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14

Write Enable (W) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15

Write Protect (WP) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15

Ready/Busy (RB) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15

supply voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15

ground . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15

Bus operations . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16

4.1

4.2

4.3

4.4

4.5

4.6

Command input . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16

Address input . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16

Data input . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16

Data output . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16

Write Protect . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17

Standby . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17

Command set . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19

Device operations . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20

6.1

Read memory array . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20

6.1.1

6.1.2

Random read . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20

Page read . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20

2/60

NAND01G-B2B, NAND02G-B2C

Contents

6.2

6.3

Cache read . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23

Page program . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24

6.3.1

6.3.2

Sequential input . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24

Random data input in a page . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24

6.4

6.5

6.6

6.7

6.8

Copy back program . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26

Cache program . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28

Block erase . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29

Reset . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29

Read status register . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30

6.8.1

6.8.2

6.8.3

6.8.4

6.8.5

6.8.6

Write protection bit (SR7) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30

P/E/R controller and cache ready/busy bit (SR6) . . . . . . . . . . . . . . . . . 30

P/E/R controller bit (SR5) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30

Cache program error bit (SR1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31

Error bit (SR0) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31

SR4, SR3 and SR2 are reserved . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31

6.9

Read electronic signature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32

Data protection . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34

Software algorithms . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35

8.1

8.2

8.3

8.4

8.5

8.6

Bad block management . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35

NAND flash memory failure modes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35

Garbage collection . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37

Wear-leveling algorithm . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37

Error correction code . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37

Hardware simulation models . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38

8.6.1

8.6.2

Behavioral simulation models . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38

IBIS simulations models . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38

Program and erase times and endurance cycles . . . . . . . . . . . . . . . . . 39

Maximum ratings . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40

DC and AC parameters . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 41

11.1

11.2

Ready/Busy signal electrical characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 52

Data protection . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 54

3/60

NAND01G-B2B, NAND02G-B2C

List of tables

Table 1.

Table 2.

Table 3.

Table 4.

Table 5.

Table 6.

Table 7.

Table 8.

Table 9.

Table 10.

Table 11.

Table 12.

Table 13.

Table 14.

Table 15.

Table 16.

Table 17.

Table 18.

Table 19.

Table 20.

Table 21.

Table 22.

Table 23.

Table 24.

Table 25.

Table 26.

Table 27.

Table 28.

Table 29.

Table 30.

Device summary . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1

Product description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8

Signal names . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9

Valid blocks. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12

Bus operations . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17

Address insertion, x8 devices . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17

Address insertion, x16 devices . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18

Address definitions, x8 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18

Address definitions, x16 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18

Commands . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19

Copy back program x8 addresses . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26

Copy back program x16 addresses . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26

Status register bits . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31

Electronic signature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32

Electronic signature byte 3 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32

Electronic signature byte/word 4. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33

NAND flash failure modes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36

Program, erase times and program erase endurance cycles . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39

Absolute maximum ratings . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40

Operating and AC measurement conditions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 41

Capacitance . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 41

DC characteristics, 1.8 V devices . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 43

DC characteristics, 3 V devices . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 43

AC characteristics for command, address, data input . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44

AC characteristics for operations . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45

TSOP48 - 48 lead plastic thin small outline, 12 x 20 mm, package mechanical data. . . . . 55

VFBGA63 9.5 x 12 mm - 6 x 8 ball array, 0.80 mm pitch, package mechanical data. . . . . 56

VFBGA63 9 x 11 mm - 6 x 8 active ball array, 0.80 mm pitch, package mechanical data . 57

Ordering information scheme . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 58

Document revision history . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 59

5/60

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宝马将全景天窗改造成电视几乎覆盖整个车顶

据外媒报道，宝马（BMW）刚刚获得了一项屏幕专利，该屏幕可以覆盖整个车顶。宝马希望将车辆顶棚（headliner）至少大部分变成显示屏。宝马指出全景玻璃天窗存在重量过大、安全性不足、以及导致座舱过热等问题，因此将这块巨型屏幕作为普通玻璃的潜在升级选项。（图片来源：宝马公司）该曲面显示屏幕将覆盖车辆顶棚90%以上的面积。当乘客仰视时，其视野主体将由屏幕占据。该屏幕并非用于娱乐内容播放或...[详细]
速腾聚创：ADAS激光雷达收入下降，但机器人业务扛起大旗

毛利率从去年上半年的13.6%跃升至25.9%，几乎同比翻倍。 8月21日，速腾聚创发布了中期业绩报告，其中毛利率的增长非常亮眼。财报显示，速腾聚创今年上半年收今年第二季度达到了27.7%。其中 ADAS 的毛利率为19.4%，机器人及其他为41.5%，毛利率已经连续第6个季度稳步上升。在电话会上，速腾聚创CEO邱纯潮在业绩会上透露，在L4全球领域的领先企业中，速腾聚创合作的...[详细]
智驭未来出行，臻测安全新境：罗德与施瓦茨亮相汽车测试盛会ATE 2025

8月27日，汽车测试及质量监控博览会(以下简称“ATE 2025”)即将拉开帷幕。罗德与施瓦茨（以下简称“R&S”）在本次展会上，围绕“智驭未来出行，臻测安全新境”主题，展示汽车测试相关六大解决方案，覆盖车外通信、车内网络、车外感知、以及整车验证等全测试场景。R&S旨在通过前沿、精准且高度可靠的测试解决方案，为智能网联汽车从研发到量产的每一环节提供强大的技术支撑，助力客户克服新技术挑战、提升安全...[详细]
消息称三星正为 2nm 尖端制程导入 Hyper Cell 技术

8 月 22 日消息，韩媒 Nate 当地时间 20 日报道称，三星电子正在向其当下最先进的 2nm 级制程工艺中导入 Hyper Cell 技术，力图以晶体管设计上的更大灵活性提升性能与能效表现，增强工艺在 AI / HPC 芯片代工市场的竞争力。单元 (Cell) 是半导体芯片设计中最基本的单位，而传统的标准单元具有相对固定的高度尺寸和排列方式（即所谓的 6T 库、7.5T 库）。三星的 ...[详细]
工信部推动制定首个电器电子产品有害物质管控强制性国家标准

8 月 22 日消息，据工信部官网消息，近日，我国电器电子产品有害物质管控领域首个强制性国家标准《电器电子产品有害物质限制使用要求》（GB 26572—2025）经国家标准化管理委员会批准发布，将于 2027 年 8 月 1 日正式实施。该标准由工业和信息化部提出并归口管理，中国电子技术标准化研究院联合电器电子行业生产制造企业、认证检测机构、行业协会及科研院所等 60 余家单位共同研制。从官方...[详细]
stm32与BQ4050通讯

最近在做一个关于电池管理的项目，用到了TI公司的BQ4050，这个IC是专门对电池进行管理、保护和数据采集的，在TI配套的上位机中可以对这个芯片进行配置，具体的配置方法还有各种寄存器的意义可以参照手册，实际上我对怎么配置这个IC也不怎么明白，基本上是按照默认配置来的。不过因为项目中我们用到四串的电池，所以必须配置为4串，不然第四个电池就不能获取到电压。具体的寄存器描述如图：接下来，我们...[详细]
电动汽车的轮胎真的是越大就越费电吗

轮胎对于汽车来说，是很重要的一个部件，关乎车辆的用车体验，我们在日常生活中和汽车几乎是分不开的对于轮胎来说，根据轮胎对于车辆在行车当中的作用来说，轮胎越大对于车辆的稳定性就越好，但是不足点就是车辆会导致车辆的对于车辆的在运转的过程当中加大轮胎与路面之间的阻力，而不管是纯电动汽车还是燃油车，都会有这种的影响，对于电动汽车来说，轮胎越大是费电的。首先从轮胎的结构上面来说，轮胎在结构上面，是由轮...[详细]

器件捷径: L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ

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