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NAND02GR3B2DZA6E

产品描述256M X 8 FLASH 1.8V PROM, 25000 ns, PBGA63
产品类别存储    存储   
文件大小2MB,共69页
制造商Numonyx ( Micron )
官网地址https://www.micron.com
标准
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NAND02GR3B2DZA6E概述

256M X 8 FLASH 1.8V PROM, 25000 ns, PBGA63

256M × 8 FLASH 1.8V 可编程只读存储器, 25000 ns, PBGA63

NAND02GR3B2DZA6E规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Numonyx ( Micron )
零件包装代码BGA
包装说明TFBGA, BGA63,10X12,32
针数63
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
最长访问时间25000 ns
命令用户界面YES
数据轮询NO
JESD-30 代码R-PBGA-B63
长度11 mm
内存密度2147483648 bi
内存集成电路类型FLASH
内存宽度8
功能数量1
部门数/规模2K
端子数量63
字数268435456 words
字数代码256000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织256MX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TFBGA
封装等效代码BGA63,10X12,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
页面大小2K words
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源1.8 V
编程电压1.8 V
认证状态Not Qualified
就绪/忙碌YES
座面最大高度1.05 mm
部门规模128K
最大待机电流0.00005 A
最大压摆率0.02 mA
最大供电电压 (Vsup)1.95 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
切换位NO
类型SLC NAND TYPE
宽度9 mm
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