Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> NAND01GW4B2BZA1F

文档预览

NAND01GW4B2BZA1F: 产品描述128M X 8 FLASH 1.8V PROM, 25000 ns, PBGA63; 产品类别存储存储; 文件大小1MB，共60页; 制造商Numonyx ( Micron ); 官网地址https://www.micron.com

下载文档详细参数全文预览

NAND01GW4B2BZA1F概述

128M X 8 FLASH 1.8V PROM, 25000 ns, PBGA63

128M × 8 FLASH 1.8V 可编程只读存储器, 25000 ns, PBGA63

NAND01GW4B2BZA1F规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Numonyx ( Micron )
零件包装代码	BGA
包装说明	9 X 11 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 PITCH, ROHS COMPLIANT, VFBGA-63
针数	63
Reach Compliance Code	unknow
ECCN代码	3A991.B.1.A
最长访问时间	25000 ns
JESD-30 代码	R-PBGA-B63
JESD-609代码	e1
长度	11 mm
内存密度	1073741824 bi
内存集成电路类型	FLASH
内存宽度	16
功能数量	1
端子数量	63
字数	67108864 words
字数代码	64000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	64MX16
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TFBGA
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260
编程电压	3 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.05 mm
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)	3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	TIN SILVER COPPER
端子形式	BALL
端子节距	0.8 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	9 mm

文档预览

下载PDF文档

全文
预览

NAND01G-B2B

NAND02G-B2C

1-Gbit, 2-Gbit,

2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory

Features

■

High density NAND flash memories

– Up to 2 Gbits of memory array

– Cost effective solutions for mass storage

applications

NAND interface

– x8 or x16 bus width

– Multiplexed address/ data

– Pinout compatibility for all densities

Supply voltage: 1.8 V/3.0 V

Page size

– x8 device: (2048 + 64 spare) bytes

– x16 device: (1024 + 32 spare) words

Block size

– x8 device: (128 K + 4 K spare) bytes

– x16 device: (64 K + 2 K spare) words

Page read/program

– Random access: 25 µs (max)

– Sequential access: 30 ns (min)

– Page program time: 200 µs (typ)

Copy back program mode

Cache program and cache read modes

Fast block erase: 2 ms (typ)

Status register

Electronic signature

Chip enable ‘don’t care’

■

TSOP48 12 x 20 mm

FBGA

■

VFBGA63 9.5 x 12 x 1 mm

VFBGA63 9 x 11 x 1 mm

■

Serial number option

Data protection

– Hardware block locking

– Hardware program/erase locked during

power transitions

Data integrity

– 100 000 program/erase cycles per block

(with ECC)

– 10 years data retention

ECOPACK

packages

Development tools

– Error correction code models

– Bad blocks management and wear leveling

algorithms

– Hardware simulation models

■

Table 1.

Device summary

Reference

NAND01G-B2B

Part number

NAND01GR3B2B, NAND01GW3B2B

NAND01GR4B2B

NAND01GW4B2B

(1)

NAND02GR3B2C, NAND02GW3B2C

NAND02G-B2C

NAND02GR4B2C, NAND02GW4B2C

(1)

1. x16 organization only available for MCP products.

April 2008

Rev 5

1/60

www.numonyx.com

Contents

NAND01G-B2B, NAND02G-B2C

Contents

Description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7

Memory array organization . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12

2.1

Bad blocks . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12

Signals description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14

3.1

3.2

3.3

3.4

3.5

3.6

3.7

3.8

3.9

3.10

3.11

Inputs/outputs (I/O0-I/O7) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14

Inputs/outputs (I/O8-I/O15) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14

Address Latch Enable (AL) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14

Command Latch Enable (CL) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14

Chip Enable (E) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14

Read Enable (R) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14

Write Enable (W) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15

Write Protect (WP) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15

Ready/Busy (RB) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15

supply voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15

ground . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15

Bus operations . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16

4.1

4.2

4.3

4.4

4.5

4.6

Command input . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16

Address input . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16

Data input . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16

Data output . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16

Write Protect . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17

Standby . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17

Command set . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19

Device operations . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20

6.1

Read memory array . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20

6.1.1

6.1.2

Random read . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20

Page read . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20

2/60

NAND01G-B2B, NAND02G-B2C

Contents

6.2

6.3

Cache read . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23

Page program . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24

6.3.1

6.3.2

Sequential input . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24

Random data input in a page . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24

6.4

6.5

6.6

6.7

6.8

Copy back program . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26

Cache program . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28

Block erase . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29

Reset . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29

Read status register . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30

6.8.1

6.8.2

6.8.3

6.8.4

6.8.5

6.8.6

Write protection bit (SR7) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30

P/E/R controller and cache ready/busy bit (SR6) . . . . . . . . . . . . . . . . . 30

P/E/R controller bit (SR5) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30

Cache program error bit (SR1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31

Error bit (SR0) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31

SR4, SR3 and SR2 are reserved . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31

6.9

Read electronic signature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32

Data protection . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34

Software algorithms . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35

8.1

8.2

8.3

8.4

8.5

8.6

Bad block management . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35

NAND flash memory failure modes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35

Garbage collection . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37

Wear-leveling algorithm . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37

Error correction code . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37

Hardware simulation models . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38

8.6.1

8.6.2

Behavioral simulation models . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38

IBIS simulations models . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38

Program and erase times and endurance cycles . . . . . . . . . . . . . . . . . 39

Maximum ratings . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40

DC and AC parameters . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 41

11.1

11.2

Ready/Busy signal electrical characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 52

Data protection . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 54

3/60

NAND01G-B2B, NAND02G-B2C

List of tables

Table 1.

Table 2.

Table 3.

Table 4.

Table 5.

Table 6.

Table 7.

Table 8.

Table 9.

Table 10.

Table 11.

Table 12.

Table 13.

Table 14.

Table 15.

Table 16.

Table 17.

Table 18.

Table 19.

Table 20.

Table 21.

Table 22.

Table 23.

Table 24.

Table 25.

Table 26.

Table 27.

Table 28.

Table 29.

Table 30.

Device summary . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1

Product description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8

Signal names . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9

Valid blocks. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12

Bus operations . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17

Address insertion, x8 devices . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17

Address insertion, x16 devices . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18

Address definitions, x8 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18

Address definitions, x16 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18

Commands . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19

Copy back program x8 addresses . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26

Copy back program x16 addresses . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26

Status register bits . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31

Electronic signature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32

Electronic signature byte 3 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32

Electronic signature byte/word 4. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33

NAND flash failure modes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36

Program, erase times and program erase endurance cycles . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39

Absolute maximum ratings . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40

Operating and AC measurement conditions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 41

Capacitance . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 41

DC characteristics, 1.8 V devices . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 43

DC characteristics, 3 V devices . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 43

AC characteristics for command, address, data input . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44

AC characteristics for operations . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45

TSOP48 - 48 lead plastic thin small outline, 12 x 20 mm, package mechanical data. . . . . 55

VFBGA63 9.5 x 12 mm - 6 x 8 ball array, 0.80 mm pitch, package mechanical data. . . . . 56

VFBGA63 9 x 11 mm - 6 x 8 active ball array, 0.80 mm pitch, package mechanical data . 57

Ordering information scheme . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 58

Document revision history . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 59

5/60

推荐资源

2016 英飞凌电源管理巡回研讨会火热报名中…（6月16日-07月05日）: 2016英飞凌“节能高效，共创未来”电源管理巡回研讨会火热报名中！四城技术盛宴即将开启！欲报从速！北京站 6月16日北京北辰洲际酒店 >>点击报名武汉站 6月21日武汉香格里拉大酒店 > ......; EEWORLD社区能源基础设施

基于蓝牙的房间监控系统: 对于办公室等一系列人流量大的小型空间内，人多手杂，总是会出现一系列的物品丢失情况，所以，为了减少情况的发生，我们需要有人监控并且记录内部人员情况，以便在丢失后能够获得第一手资料，找 ......; kiroking 无线连接

酓ummy_isr error, interrupt num:5 ,INTMSK = 0xffffffda是什么意思啊: 搞2440的外部中断，一按下键，超级终端就出现上面的东西，然后程序也不动了。这个是什么意思呢？拜托各位大虾帮忙看看吧:)...; ounie 嵌入式系统

透视中国电子工程社群：谁在拿高薪？: 一谈到高薪，任职于深圳一家著名手机设计公司的小Z就跳了起来，“现在房子、车子、女朋友……哪一个不得花钱？薪水绝对是我找工作的第一因素。”或许是由于中国各大城市的生活成本不断上涨，在 ......; 呱呱工作这点儿事

求助: #include "msp430x54x.h" void main(void){ WDTCTL = WDTPW + WDTHOLD; // Stop WDT P1DIR |= 0x01; // P1.0 output TA1CTL = TASSEL_1 + MC_1 + TACLR + TAIE; // ACLK, contmode, clear TAR ......; zzbaizhi 微控制器 MCU

keil中的<time.h>有没有对应的库函数: 我在项目中引用了<time.h>声明，似乎keil并没有实现相应的功能，只是给出了一个空声明。对应的函数好象需要自己实现，就如同pritf函数一样。求各位高手指点！谢谢。 #pragma pop ......; bigbat 单片机

英特尔为iPhone供应芯片重返手机市场

　　据台湾《经济日报》报道，苹果iPhone 3G下一代产品将采用英特尔Atom处理器，预计于2009、2010年上市。　　3G版iPhone将于7月11日在22个国家和地区同步上市，由于其极具竞争力的价格，甚至在某些国家是零元手机，因此受到了消费者的广泛关注，同时也使诺基亚、三星等手机大厂倍感压力。　　据悉，3G iPhone目前采用的是三星处理器核心，但因英特尔Atom处理器具有省电...[详细]
高清晰度数字电视传输系统设计与实现方案

　　在有限带宽内传输高清晰度数字电视对视频、音频压缩编码和信道编码都提出了更高的要求，而且在进行地面传输的情况下无线环境的各种衰减和干扰也不可避免，同时考虑到移动环境下的接收需求，在新一代的地面数字电视传输系统中必需引入无线通信的最新技术。数字电视广播和现代数字通讯技术的结合，使得传统的电视传媒得以在通信网络的基础上新生。　　清华大学在综合吸收国外已有高清晰度数字电视标准优点的基础上，完全...[详细]
英飞凌首超意法瑞萨工业份额排名第一

　　据市场调研公司Semicast最近发表的研究报告，英飞凌（Infineon）首次在工业市场排名第一，超过了意法半导体（ST）和瑞萨（Renesas）科技。　　据这项反映2007年市场状况的研究报告，英飞凌的市场份额从上一年的6.4%上升到7.5%。意法半导体的份额则从7.8%降至7.0%。瑞萨科技的市场份额从5.4%提高到6.5%。德州仪器（TI）的市场从5.7%上升到6.3%，但它的排...[详细]
手机无线芯片出货量放缓但前景可期

　　市场研究集团Forward Concepts通过对WSTS的最新半导体出货量统计数据进行分析，认为尽管出现了手机芯片的出货量放缓现象，但对统计的数据表示质疑。　　手机专用DSP和RISC芯片的五月份出货量比四月份增加了8%，从去年五月份累计增长率为47%。　　Forward Concepts的总裁Will Strauss同时也指出，WSTS的报告称用于无线设备的DSP五月份出货量比四...[详细]
RFID产业增长：真正的商机在哪里

　　【提要】 2007 RFID智能卷标大会二月在美国波士顿举行，约有500名代表参加此次大会。从大会上我们了解到，今后RFID产业发展的重心已不是人们絮叨的零售业巨头和美国国防部对超高频卷标的指令性要求而带动的这些以托盘和包装卷标技术为主的市场，真正的商机已在别处。　　“RFID产业将在各个领域大放异彩，而不再是零售业者和军队对RFID卷标要求带动的领域，”主办公司IDTechEx...[详细]
支持网上医疗设备的显示模块

　　具有网上标准分辨率的TFT-LCD能支持未来可升级的网上医疗设备平台　　医疗电子产品对个人电脑技术及企业网络和数据库的使用率正在不断提高。这些成果有助于护理人员的患者数据管理，并使得信息能够从采集地点迅速而高效地传递至诊断专家和检查医师那里。　　许多医疗设备现已拥有了联网能力，从而为诸如患者集中监护或将医学图像从X光片技师传送至放射线学者等应用的实现奠定了基础。从事此类显示器...[详细]
2011年供应链解决方案推动超高频RFID市场

2007年8月27日--据IDC最新发布的报告《中国RFID行业解决方案市场2007－2011年预测与分析》（文档号#CN383110P）显示，2006年RFID跨行业应用总体市场规模为 24.2亿元（约3.02亿美元），涵盖的应用领域包括供应链、人员、财产、车辆管理，门禁控制、防伪、动物识别等，其中超高频RFID应用市场规模占RFID总体应用规模的10.4%。2006年的超高频市场在供应链、车...[详细]
超高频RFID:以核心创优势以竞争促发展

近期，规模庞大、具有显著推广和示范作用的“北京市城市汽车环保检测RFID系统项目”由清华同方、先施科技联合竞投中标。本次竞标成功也意味着，国内超高频RFID品牌在与国际品牌的角逐中胜出。为此，RFID射频快报特别访问了深圳先施科技总经理冯建华先生，就国内与国际品牌各自的竞争优势以及国内品牌如何积极应对国际竞争的问题，与冯总进行了深入交流。　 RFID射频快报记者（以下简称RFID射频快报）：冯...[详细]
欲攻手机芯片市场破除高通垄断成关键

　　2006年，英特尔在耗费了6年的时间和约50亿美元的资金投入后，最终放弃了手机芯片市场。时隔两年，英特尔缩小了PC芯片，使手持机具有可以与PC相媲美的处理能力，一款名为凌动的芯片成为英特尔重返手机市场的最新一次尝试。　　成功打造了PC产业链的英特尔，在这样短的时间内做出如此重大的战略转变，足以说明手机市场对其巨大的吸引力。那么，英特尔重返手机芯片市场的深刻内涵是什么？它又能否重新锻造出...[详细]
合众达电子与中国科大再建Xilinx联合实验室

　　7月9日上午，中国科技大学与美国赛灵思(XILINX)联合建设的“中国科技大学—XILINX公司联合实验室”揭牌仪式在中国科技大学信息科学技术学院电子科学与技术系隆重举行。　　联合实验室采用了Xilinx公司SPARTAN-3E系列为主的FPGA教学实验开发系统，另外配备多套开发软件，主要承担了中国科技大学“PLD与数字系统设计”研究生课程和电子科学与技术系“电子系统设计”课程的教学任务...[详细]
数字助听器的设计挑战

　　助听器的设计人员有着严格的技术要求。助听器必须足够小以便放入人体的耳内或耳后，运行功率必须超低，并且没有噪声或失真。为满足这些要求，现有的助听设备消耗的功率要低于 1mA，工作电压为 1V，利用的芯片面积少于 10mm2，这通常意味着两个或三个设备相互叠放。典型的模拟助听器由具有非线性输入/输出功能和频率相关增益的放大器组成。但此模拟处理依赖于自定义电路，与数字处理相比，缺乏可编程性且成本更高...[详细]
AMD推出巴塞罗那“芯”动曙光5000A

　　自AMD推出真四核皓龙处理器“巴塞罗那”后，一直在寻找发力的机会，中国首款百万亿次超级计算机曙光5000A的出现，让“巴塞罗那”站了起来。　　首款百万亿次计算机亮相　　7月8日，《华夏时报》记者获悉中国首款百万亿次超级计算机曙光5000A宣布正式推出，并将落户上海超级计算中心。　　据悉，此超级计算机拥有超过200万亿次的超强计算能力，有消息称此计算机运算能力相当于世界第七，从性能...[详细]
1-Wire总线与DS18B20应用仿真(图)

　　作为一种单主机多从机的总线系统，在一条1-Wire总线上可挂接的从器件数量几乎不受限制。为了不引起逻辑上的冲突，所有从器件的1-Wire总线接口都是漏极开路的，因此在使用时必须对总线外加上拉电阻（一般取5kΩ左右）。主机对1-Wire总线的基本操作分为复位、读和写三种，其中所有的读写操作均为低位在前高位在后。复位、读和写是1-Wire总线通信的基础，下面通过具体程序详细介绍这3种操作的时序要...[详细]
基于Bang-Bang控制的温湿度调节系统(图)

　　在一些仓储管理、生产制造、气象观测、科学研究以及日常生活中，对温湿度的要求普遍存在，如《档案库房技术管理暂行规定》中就明确指出：档案库房（含胶片库、磁带库）的温度应控制在14～24℃，有设备的库房日变化幅度不超过±2℃；相对湿度应控制在45%～60%，有设备的库房日变化幅度不超过±5%。本文利用新型的C8051F020单片机和I2C总线数字式温湿度传感器SHT11设计了一套满足此要求的自动化...[详细]
非接触式高压验电器的改进(图)

　　安全是生产过程中的重中之重，对于危险性的作业尤其重要，在高压线路停电检修时必须遵循停电、验电、挂地再开始操作的规定。验电操作必须通过验电器来完成。验电器是用来检测电力设备上是否存在电压的常用电力安全工具之一，通过验电器明确验证停电设备是否确无电压，再进行其他操作，以防止出现带电装接地线（合接地刀闸)、误碰有电设备等恶性事故的发生。因此，在电力行业中验电器的作用不可忽视。　　工程背景 ...[详细]

器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多