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NAND01GR4B2BN1F: 产品描述128M X 8 FLASH 1.8V PROM, 25000 ns, PBGA63; 产品类别存储存储; 文件大小1MB，共60页; 制造商Numonyx ( Micron ); 官网地址https://www.micron.com

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NAND01GR4B2BN1F概述

128M X 8 FLASH 1.8V PROM, 25000 ns, PBGA63

128M × 8 FLASH 1.8V 可编程只读存储器, 25000 ns, PBGA63

NAND01GR4B2BN1F规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Numonyx ( Micron )
零件包装代码	TSOP
包装说明	12 X 20 MM, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP-48
针数	48
Reach Compliance Code	unknow
ECCN代码	3A991.B.1.A
最长访问时间	25000 ns
JESD-30 代码	R-PDSO-G48
JESD-609代码	e3/e6
长度	18.4 mm
内存密度	1073741824 bi
内存集成电路类型	FLASH
内存宽度	16
功能数量	1
端子数量	48
字数	67108864 words
字数代码	64000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	64MX16
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP1
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260
编程电压	1.8 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)	1.95 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	TIN/TIN BISMUTH
端子形式	GULL WING
端子节距	0.5 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	12 mm

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NAND01G-B2B

NAND02G-B2C

1-Gbit, 2-Gbit,

2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory

Features

■

High density NAND flash memories

– Up to 2 Gbits of memory array

– Cost effective solutions for mass storage

applications

NAND interface

– x8 or x16 bus width

– Multiplexed address/ data

– Pinout compatibility for all densities

Supply voltage: 1.8 V/3.0 V

Page size

– x8 device: (2048 + 64 spare) bytes

– x16 device: (1024 + 32 spare) words

Block size

– x8 device: (128 K + 4 K spare) bytes

– x16 device: (64 K + 2 K spare) words

Page read/program

– Random access: 25 µs (max)

– Sequential access: 30 ns (min)

– Page program time: 200 µs (typ)

Copy back program mode

Cache program and cache read modes

Fast block erase: 2 ms (typ)

Status register

Electronic signature

Chip enable ‘don’t care’

■

TSOP48 12 x 20 mm

FBGA

■

VFBGA63 9.5 x 12 x 1 mm

VFBGA63 9 x 11 x 1 mm

■

Serial number option

Data protection

– Hardware block locking

– Hardware program/erase locked during

power transitions

Data integrity

– 100 000 program/erase cycles per block

(with ECC)

– 10 years data retention

ECOPACK

packages

Development tools

– Error correction code models

– Bad blocks management and wear leveling

algorithms

– Hardware simulation models

■

Table 1.

Device summary

Reference

NAND01G-B2B

Part number

NAND01GR3B2B, NAND01GW3B2B

NAND01GR4B2B

NAND01GW4B2B

(1)

NAND02GR3B2C, NAND02GW3B2C

NAND02G-B2C

NAND02GR4B2C, NAND02GW4B2C

(1)

1. x16 organization only available for MCP products.

April 2008

Rev 5

1/60

www.numonyx.com

Contents

NAND01G-B2B, NAND02G-B2C

Contents

Description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7

Memory array organization . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12

2.1

Bad blocks . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12

Signals description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14

3.1

3.2

3.3

3.4

3.5

3.6

3.7

3.8

3.9

3.10

3.11

Inputs/outputs (I/O0-I/O7) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14

Inputs/outputs (I/O8-I/O15) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14

Address Latch Enable (AL) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14

Command Latch Enable (CL) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14

Chip Enable (E) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14

Read Enable (R) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14

Write Enable (W) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15

Write Protect (WP) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15

Ready/Busy (RB) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15

supply voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15

ground . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15

Bus operations . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16

4.1

4.2

4.3

4.4

4.5

4.6

Command input . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16

Address input . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16

Data input . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16

Data output . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16

Write Protect . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17

Standby . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17

Command set . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19

Device operations . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20

6.1

Read memory array . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20

6.1.1

6.1.2

Random read . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20

Page read . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20

2/60

NAND01G-B2B, NAND02G-B2C

Contents

6.2

6.3

Cache read . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23

Page program . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24

6.3.1

6.3.2

Sequential input . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24

Random data input in a page . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24

6.4

6.5

6.6

6.7

6.8

Copy back program . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26

Cache program . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28

Block erase . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29

Reset . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29

Read status register . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30

6.8.1

6.8.2

6.8.3

6.8.4

6.8.5

6.8.6

Write protection bit (SR7) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30

P/E/R controller and cache ready/busy bit (SR6) . . . . . . . . . . . . . . . . . 30

P/E/R controller bit (SR5) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30

Cache program error bit (SR1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31

Error bit (SR0) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31

SR4, SR3 and SR2 are reserved . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31

6.9

Read electronic signature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32

Data protection . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34

Software algorithms . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35

8.1

8.2

8.3

8.4

8.5

8.6

Bad block management . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35

NAND flash memory failure modes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35

Garbage collection . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37

Wear-leveling algorithm . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37

Error correction code . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37

Hardware simulation models . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38

8.6.1

8.6.2

Behavioral simulation models . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38

IBIS simulations models . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38

Program and erase times and endurance cycles . . . . . . . . . . . . . . . . . 39

Maximum ratings . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40

DC and AC parameters . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 41

11.1

11.2

Ready/Busy signal electrical characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 52

Data protection . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 54

3/60

NAND01G-B2B, NAND02G-B2C

List of tables

Table 1.

Table 2.

Table 3.

Table 4.

Table 5.

Table 6.

Table 7.

Table 8.

Table 9.

Table 10.

Table 11.

Table 12.

Table 13.

Table 14.

Table 15.

Table 16.

Table 17.

Table 18.

Table 19.

Table 20.

Table 21.

Table 22.

Table 23.

Table 24.

Table 25.

Table 26.

Table 27.

Table 28.

Table 29.

Table 30.

Device summary . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1

Product description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8

Signal names . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9

Valid blocks. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12

Bus operations . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17

Address insertion, x8 devices . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17

Address insertion, x16 devices . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18

Address definitions, x8 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18

Address definitions, x16 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18

Commands . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19

Copy back program x8 addresses . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26

Copy back program x16 addresses . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26

Status register bits . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31

Electronic signature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32

Electronic signature byte 3 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32

Electronic signature byte/word 4. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33

NAND flash failure modes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36

Program, erase times and program erase endurance cycles . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39

Absolute maximum ratings . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40

Operating and AC measurement conditions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 41

Capacitance . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 41

DC characteristics, 1.8 V devices . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 43

DC characteristics, 3 V devices . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 43

AC characteristics for command, address, data input . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44

AC characteristics for operations . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45

TSOP48 - 48 lead plastic thin small outline, 12 x 20 mm, package mechanical data. . . . . 55

VFBGA63 9.5 x 12 mm - 6 x 8 ball array, 0.80 mm pitch, package mechanical data. . . . . 56

VFBGA63 9 x 11 mm - 6 x 8 active ball array, 0.80 mm pitch, package mechanical data . 57

Ordering information scheme . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 58

Document revision history . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 59

5/60

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数学函数非常重要，在模拟量的处理、PID控制等很多场合都要用到数学函数指令。 (12)计算正弦值指令(SIN) “计算正弦值”指令，可以计算角度的正弦值，角度大小在IN输入处以弧度的形式指定。指令结果由OUT输出。计算正弦值指令(SIN)和参数见表图1。图1 注意：可以从指令框的“＞”下拉列表中选择该指令的数据类型。用一个例子来说明计算正弦值指令(SIN)，梯形图如图2所示。图2...[详细]
智慧轮椅系统

引言　　截止2014年底，中国60岁及以上的老年人占中国人口总数15.5%，达到了2.12亿;65岁及以上老年人占人口总数10.1%，达到了1.37亿。失能及半失能老年人近4000万。根据联合国预测，从1999年至2020年，世界老龄人口的平均增速约为2.5%，而我国人口的老龄化速度远高于世界平均水平，约为3.3%。在某些大城市，例如北京、上海等，老年人的比例已经接近五分之一。另外，中国还有近...[详细]
STEER Tech与HEVO合作推出全球首个无线自主充电解决方案

8月14日，电动汽车无线充电基础设施开发商HEVO与车队车库运营高精度自动驾驶汽车技术公司STEER Tech宣布建立具有里程碑意义的合作伙伴关系，共同打造全球首个完全集成的无线自动驾驶充电解决方案。图片来源： HEVO 这项合作将结合HEVO的专利无线充电平台与STEER成熟的自动驾驶软件，使商业车队能够实现端到端的无人驾驶车辆导航、对接和无线充电，无需人工干预。 “此次合作将...[详细]
用了这么多年手机，竟不知道这些充电方式都潜藏爆炸危机

自从智能手机普及以来，其续航性能便成为了大家诟病的主要因素，尽管现在的手机动辄三四千毫安时的大电池，但依然逃脱不了重度用户的两天一冲甚至一天一冲的情况。就目前来说，受限于电极材料/结构的发展，锂电的能量密度不能无限制地增大。因此充电成为我们日常生活中必不可少的环节。那究竟手机充电又有什么学问呢?今天笔者和大家聊聊“如何正确、安全地充电。” 　　手机锂电池充电原理简述充电先经过①恒流阶...[详细]
音箱的分类、结构及重放特点

音箱又称扬声器箱，它是将高、中、低音扬声器组装在专门设计的箱体内，并经过分频网络将高、中、低频信号分别送至相应的扬声器进行重放。扬声器安装在音箱内后，可以利用音箱内部的声音的传播特性，扩展扬声器低频重放范围，使重放声产生较宏大的声场。音箱按分频的方式分类主要有：单扬声器音箱；二分频音箱；三分频音箱；四分频音箱；多分频音箱；超低音音箱（低音炮）。音箱按用途分类主要有：落地式音箱；书架式音箱；...[详细]
Yole表示，到2030年，数据中心芯片市场规模将达到5000亿美元

Yole表示，受生成式人工智能、高性能计算和超大规模计算的推动，数据中心半导体市场（涵盖计算、内存、网络和电源）的规模将从2024年的2090亿美元增长到2030年的4920亿美元。 GPU占据主导地位，2024年市场规模将达到1000亿美元，到2030年预计将增长一倍以上。市场研究与战略咨询公司Yole Group预测，GPU的收入将从2024年的1000亿美元增长到2030年的2150亿...[详细]
具身智能汹涌，激光雷达爆单：头部玩家600%年增长，出货超20万台

新浪潮将至，往往供应链先行。在智能汽车的普及落地浪潮中，激光雷达成为了“安全带”一样的智能车必选配置。定点项目、出货量、技术前沿探索……捷报频传，每个财报季，都是它们刷新纪录的固定舞台。但智能汽车延续的新浪潮里，关键供应链展现的作用再次明确而笃定。刚刚开幕的WRC世界机器人大会上，激光雷达展现出远超“安全冗余”的价值和作用。新场景、新应用，也是激光雷达技...[详细]
钢铁之躯也有“有趣的灵魂”——2025世界机器人大会观后

8月8日的北京阴雨绵绵，北人亦创国际会展中心门口却排起了长龙。不少人冒雨前来参观2025世界机器人大会，只为一睹机器人前沿产品和应用。展览会场里，1500多台机器人展品正以不同的姿态吸引观众的注意力：一部分化身“打工人”——搬运物料箱、流水线组装、制作料理、手冲咖啡，另一部分则登台“秀肌肉”——踢足球、大跳热舞、打拳击、过障碍、爬楼梯，引发观众的阵阵惊呼。机器人也有“打工魂” ...[详细]
Linux操作系统在移动电话上的设计应用

随着半导体产品性能和效率的不断提高，今天的移动设备正在迅速提升其功能和复杂性。尤其是，随着移动设备开始超越昨天的PC功能，且出货量也大大超过后者(大于5:1)，移动电话正在成为下一代的客户端设备。但这一趋势同时也带来了大量的问题，市场成熟度就是其中之一。移动电话市场的成熟正引起早期入市和新近入行的移动电话制造商之间的激烈竞争。随着市场增长速度放缓，移动电话制造商在替代业务方面的竞争日益加剧...[详细]

器件捷径: L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ

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