Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> NAND01GW3B2CN1E

文档预览

NAND01GW3B2CN1E: 产品描述128M X 8 FLASH 1.8V PROM, 25000 ns, PBGA63; 产品类别存储存储; 文件大小1MB，共60页; 制造商Numonyx ( Micron ); 官网地址https://www.micron.com; 标准

下载文档详细参数全文预览

NAND01GW3B2CN1E概述

128M X 8 FLASH 1.8V PROM, 25000 ns, PBGA63

128M × 8 FLASH 1.8V 可编程只读存储器, 25000 ns, PBGA63

NAND01GW3B2CN1E规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Numonyx ( Micron )
零件包装代码	TSOP
包装说明	TSSOP, TSSOP48,.8,20
针数	48
Reach Compliance Code	unknow
ECCN代码	3A991.B.1.A
最长访问时间	25000 ns
命令用户界面	YES
数据轮询	NO
JESD-30 代码	R-PDSO-G48
长度	18.4 mm
内存密度	1073741824 bi
内存集成电路类型	FLASH
内存宽度	8
功能数量	1
部门数/规模	1K
端子数量	48
字数	134217728 words
字数代码	128000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	128MX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSSOP
封装等效代码	TSSOP48,.8,20
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
页面大小	2K words
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	3/3.3 V
编程电压	3 V
认证状态	Not Qualified
就绪/忙碌	YES
座面最大高度	1.2 mm
部门规模	128K
最大待机电流	0.00005 A
最大压摆率	0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)	3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	GULL WING
端子节距	0.5 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
切换位	NO
类型	SLC NAND TYPE
宽度	12 mm
最长写入周期时间 (tWC)	25 ms

文档预览

下载PDF文档

全文
预览

NAND01G-B2B

NAND02G-B2C

1-Gbit, 2-Gbit,

2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory

Features

■

High density NAND flash memories

– Up to 2 Gbits of memory array

– Cost effective solutions for mass storage

applications

NAND interface

– x8 or x16 bus width

– Multiplexed address/ data

– Pinout compatibility for all densities

Supply voltage: 1.8 V/3.0 V

Page size

– x8 device: (2048 + 64 spare) bytes

– x16 device: (1024 + 32 spare) words

Block size

– x8 device: (128 K + 4 K spare) bytes

– x16 device: (64 K + 2 K spare) words

Page read/program

– Random access: 25 µs (max)

– Sequential access: 30 ns (min)

– Page program time: 200 µs (typ)

Copy back program mode

Cache program and cache read modes

Fast block erase: 2 ms (typ)

Status register

Electronic signature

Chip enable ‘don’t care’

■

TSOP48 12 x 20 mm

FBGA

■

VFBGA63 9.5 x 12 x 1 mm

VFBGA63 9 x 11 x 1 mm

■

Serial number option

Data protection

– Hardware block locking

– Hardware program/erase locked during

power transitions

Data integrity

– 100 000 program/erase cycles per block

(with ECC)

– 10 years data retention

ECOPACK

packages

Development tools

– Error correction code models

– Bad blocks management and wear leveling

algorithms

– Hardware simulation models

■

Table 1.

Device summary

Reference

NAND01G-B2B

Part number

NAND01GR3B2B, NAND01GW3B2B

NAND01GR4B2B

NAND01GW4B2B

(1)

NAND02GR3B2C, NAND02GW3B2C

NAND02G-B2C

NAND02GR4B2C, NAND02GW4B2C

(1)

1. x16 organization only available for MCP products.

April 2008

Rev 5

1/60

www.numonyx.com

Contents

NAND01G-B2B, NAND02G-B2C

Contents

Description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7

Memory array organization . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12

2.1

Bad blocks . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12

Signals description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14

3.1

3.2

3.3

3.4

3.5

3.6

3.7

3.8

3.9

3.10

3.11

Inputs/outputs (I/O0-I/O7) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14

Inputs/outputs (I/O8-I/O15) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14

Address Latch Enable (AL) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14

Command Latch Enable (CL) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14

Chip Enable (E) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14

Read Enable (R) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14

Write Enable (W) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15

Write Protect (WP) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15

Ready/Busy (RB) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15

supply voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15

ground . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15

Bus operations . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16

4.1

4.2

4.3

4.4

4.5

4.6

Command input . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16

Address input . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16

Data input . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16

Data output . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16

Write Protect . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17

Standby . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17

Command set . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19

Device operations . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20

6.1

Read memory array . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20

6.1.1

6.1.2

Random read . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20

Page read . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20

2/60

NAND01G-B2B, NAND02G-B2C

Contents

6.2

6.3

Cache read . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23

Page program . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24

6.3.1

6.3.2

Sequential input . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24

Random data input in a page . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24

6.4

6.5

6.6

6.7

6.8

Copy back program . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26

Cache program . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28

Block erase . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29

Reset . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29

Read status register . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30

6.8.1

6.8.2

6.8.3

6.8.4

6.8.5

6.8.6

Write protection bit (SR7) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30

P/E/R controller and cache ready/busy bit (SR6) . . . . . . . . . . . . . . . . . 30

P/E/R controller bit (SR5) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30

Cache program error bit (SR1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31

Error bit (SR0) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31

SR4, SR3 and SR2 are reserved . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31

6.9

Read electronic signature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32

Data protection . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34

Software algorithms . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35

8.1

8.2

8.3

8.4

8.5

8.6

Bad block management . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35

NAND flash memory failure modes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35

Garbage collection . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37

Wear-leveling algorithm . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37

Error correction code . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37

Hardware simulation models . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38

8.6.1

8.6.2

Behavioral simulation models . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38

IBIS simulations models . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38

Program and erase times and endurance cycles . . . . . . . . . . . . . . . . . 39

Maximum ratings . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40

DC and AC parameters . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 41

11.1

11.2

Ready/Busy signal electrical characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 52

Data protection . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 54

3/60

NAND01G-B2B, NAND02G-B2C

List of tables

Table 1.

Table 2.

Table 3.

Table 4.

Table 5.

Table 6.

Table 7.

Table 8.

Table 9.

Table 10.

Table 11.

Table 12.

Table 13.

Table 14.

Table 15.

Table 16.

Table 17.

Table 18.

Table 19.

Table 20.

Table 21.

Table 22.

Table 23.

Table 24.

Table 25.

Table 26.

Table 27.

Table 28.

Table 29.

Table 30.

Device summary . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1

Product description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8

Signal names . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9

Valid blocks. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12

Bus operations . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17

Address insertion, x8 devices . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17

Address insertion, x16 devices . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18

Address definitions, x8 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18

Address definitions, x16 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18

Commands . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19

Copy back program x8 addresses . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26

Copy back program x16 addresses . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26

Status register bits . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31

Electronic signature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32

Electronic signature byte 3 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32

Electronic signature byte/word 4. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33

NAND flash failure modes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36

Program, erase times and program erase endurance cycles . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39

Absolute maximum ratings . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40

Operating and AC measurement conditions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 41

Capacitance . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 41

DC characteristics, 1.8 V devices . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 43

DC characteristics, 3 V devices . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 43

AC characteristics for command, address, data input . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44

AC characteristics for operations . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45

TSOP48 - 48 lead plastic thin small outline, 12 x 20 mm, package mechanical data. . . . . 55

VFBGA63 9.5 x 12 mm - 6 x 8 ball array, 0.80 mm pitch, package mechanical data. . . . . 56

VFBGA63 9 x 11 mm - 6 x 8 active ball array, 0.80 mm pitch, package mechanical data . 57

Ordering information scheme . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 58

Document revision history . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 59

5/60

推荐资源

IPv6领域的研究与实践: IPv6是一个新版"网络层协议"，其设计的最初目的就是为了克服传统互联网的核心协议-IPv4协议的不足之处。自从1991年IPv6的概念被提出以来，在各方的努力下，包括地址结构、路由、IPv4/IPv6过渡、 ......; clj2004000 无线连接

Wince能否像桌面系统一样设置path=: Wince能否像桌面系统一样设置path路径?...; daniel_zhang 嵌入式系统

开关电源的几个问题: 开关电源的几个问题，如图，那个坛友对开关电源熟悉的，帮忙回复下 ...; QWE4562009 分立器件

二极管的检测和使用以及三极管的测量和使用: 二极管的测量；（1）普通二极管的测试；鉴别二极管好坏最简单的方法使用万用表的电阻档测其正。反向电阻用万用表的红表笔接二极管的阴极,黑表皮接二极管的阳极，测 ......; Jacktang 模拟与混合信号

关于TLV5638的问题: 本帖最后由 paulhyde 于 2014-9-15 04:03 编辑用TLV5638输出两路电压，在给恒定值的情况下两路都正常输出，而用键盘输入输出值时，A路可以根据所输的电压输出，而B路只输出第一次给的电压值， ......; txyang0613 电子竞赛

圣诞版boosterpack: 构造很简单哦！圣诞树造型，加上blink-blink的LED。实际上这不是严格意义上的booterpack，毕竟没有提供咱们标准的boosterpack接口。 138579 138578...; wstt 微控制器 MCU

人机交互的方式有哪些？

人机交互的方式有多种多样，以下列举出比较常见的方式：鼠标交互：通过鼠标来操作电脑和进行交互，这是早期最为普遍的一种人机交互方式。触摸式交互：随着智能设备的发展，通过手指在触摸屏上进行操作，也成为了一种非常便捷的人机交互方式。语音识别交互：通过语音识别技术来进行人机交互，用户可以通过语音输入指令来实现一些操作，如搜索、查询、控制等。动作识别交互：利用摄像头、传感器等设备捕捉用户的动作和手势...[详细]
EtherCAT FP介绍系列文章—多网段

EtherCAT（Ethernet for Control Automation Technology）是一种基于以太网的开发构架的实时工业现场总线通讯协议，EtherCAT是最快的工业以太网技术之一，同时它提供纳秒级精确同步。相对于设置了相同循环时间的其他总线系统，EtherCAT系统结构通常能减少25%-30%的CPU负载，EtherCAT的出现为系统的实时性能和拓扑的灵活性树立了新的标准。...[详细]
电动汽车的电磁辐射对人体健康有没有危害

电动汽车产生的电磁辐射对人体伤害大？近段时间，围绕电动汽车电磁辐射的问题引发广泛关注，然而，事实上，公众的认知大多是错误的，对电动汽车的电磁辐射缺乏正确的认知。9月30日，中国汽车工业协会（以下简称“中汽协”）副秘书长许艳华接受媒体专访，用真实的测试数据做出科学判断：电动汽车产生的电磁辐射对人体健康没有危害。我们生活的环境中，可以说电磁辐射无所不在，电动汽车也不例外，甚至传统的燃油车也有电...[详细]
盖世汽车供应链：透视中国汽车芯片产业

随着智能电动汽车的快速普及，汽车芯片正从辅助控制单元，跃升为支撑整车智能化的“底座”。其应用范围从动力控制、底盘域、智能座舱、辅助驾驶域延展至整车中央计算平台，构建出一个高算力、高安全、高可靠的硬核体系。在全球芯片巨头如英伟达、高通、英飞凌等持续加码的同时，华为、比亚迪、地平线、黑芝麻智能等本土企业正快速崛起，推动国产替代加速落地。伴随整车架构向中央计算与域控制器转型，汽车芯片的产业链格局正被深...[详细]
单片机stm32的5个时钟源的详细分析

　　众所周知STM32有5个时钟源HSI、HSE、LSI、LSE、PLL，其实他只有四个，因为从上图中可以看到PLL都是由HSI或HSE提供的。　　其中，高速时钟(HSE和HSI)提供给芯片主体的主时钟.低速时钟(LSE和LSI)只是提供给芯片中的RTC(实时时钟)及独立看门狗使用，图中可以看出高速时钟也可以提供给RTC。　　内部时钟是在芯片内部RC振荡器产生的，起振较快，所以时钟在芯片刚上...[详细]
基于多线程扫描的网络拓扑边界监测系统设计

　　随着国家电子政务网络规模和业务应用的不断深化，通过网络传输的数据和业务变得越来越敏感和重要。为了保障业务数据在网络传输交换过程中不被非法获取与篡改，相应的网络信息安全防护措施已在不同层面进行了部署。然而，大多数的业务专网对于网络的访问控制几乎都集中在网络的出入关口，而对网络内部结构和接入边界却没有施行必要的监测与管理。这种只注重网关出入防护的安全策略虽然配置了大量的防火墙、多重安全网关和网闸...[详细]
导航可不可以辅助自动驾驶

通常，我们通过观察和简单的GPS工具根据周围事物的对比来确定我们的位置及想要去的地方，但是对于无人驾驶的汽车来说，这种推理是非常困难的，汽车要先绘制和分析所在的新道路，后进行动态等复杂项目的处理，这是非常困难耗时间的。麻省理工学院的研究人员在机器人与自动化国际会议上发表研究成果，他们创建了卷积神经网络（CNN）的机器学习系统，该系统仅使用简单的地图和摄影机的影像数据，使无人驾驶汽车能够在新...[详细]
免拆卸、快速维修辊压机空心轴轴颈磨损，让维修变得简单高效

一、故障现象和原因分析 1.设备运转过程中，由于胀紧套部位承受较大的扭矩，长期运转使用中轴与轴套配合面发生相对运动，因而造成轴套与轴头之间的磨损，胀紧套无法锁紧，造成停机； 2.设备在正常检修过程中，企业人员忽视了对胀紧套上的预紧螺栓的紧固，长时间的设备运行，造成螺栓断裂，使轴与轴套产生相对运动，造成轴与轴套之间的磨损； 3.由于一些老设备上的减速机会经常拆卸外出加工修复，在拆卸设备的空心轴减...[详细]
基于iGaN的300W高能效游戏适配器参考设计

在科技演进浪潮中，能源技术已逐渐成为现代产业发展的核心驱动力。从移动设备到云服务器，从电动车到智慧城市，科技产品日益强调效能、速度与可持续能源的平衡，而这一切的背后都需要更高效、更稳定的电源转换技术。随着各种应用对能源效率与功率密度的要求不断提高，传统以硅（Silicon, Si）为基础的功率元件正面临物理与性能的极限挑战。这也促使业界开始寻求更具潜力的新型材料，其中氮化镓（Gallium...[详细]
Keil5 STM32 C++开发 ARM V6编译器的使用教程

　　Keil5更新之后，开始支持ARM V6编译器，新版本的编译器对C++有了更多的支持，在编译方面也做了很多的改善，具体的没有详细了解，本文只是对STM32 开发下，使用V6版本的编译器进行STM32的C++开发作一个记录，方便和大家交流和参考。至于说为什么STM32要C++开发，这个没有解释，只是个人觉得C++比C有更多的方便，使得编程更加的容易，C++有更多的生态.... 　　开始上教程：...[详细]
通信用二次模块电源的定义，分板供电两种方式

在通信电源领域里，把AC/DC整流电源称为一次电源或基础电源，而DC/DC变换器称为二次电源。现代通信设备(如数字程控交换设备和传输设备)的输入电压标称值大多数为48V，少数的传输和中继设备供电电压为24V。通信用二次模块电源是什么对于交换设备中的数字电路、接口电路、逻辑单元电路、驱动器及一些线性电路需要提供1.2~3.3V、士5V、±12V等低压直流二次电源。这就需要将通信设备输入的4...[详细]
一文看懂车载以太网gPTP时间同步

01、引言随着车载网络从 CAN 总线向以太网迁移，传统毫秒级同步精度已无法满足多传感器融合、线控系统协同的需求。比如在多传感器时空对齐中，激光雷达的点云、摄像头的图像、毫米波雷达的回波信号，需在同一时间基准下融合。而当以 120km/h 车速计算，1ms 的时间偏差会导致 3.3cm 的空间误差，造成自动驾驶的安全风险。因此，gPTP 通过 ±50ns ...[详细]
基于M600的便携终端显示界面设计

0 引言便携终端将计算机和显示屏集成在一个便携设备上，由于便携设备的空间有限，以往的便携设备考虑到体积和性价比的需求，往往选用单片机加上段式液晶或小分辨率单色液晶的组合方式，使得便携终端的显示效果极为一般。随着显示需求的复杂化，这类组合方式己不能满足客户需求。科技的发展也使得另一种显示方式成为可能，即单片机加上TFT彩屏液晶。不过TFT彩屏液晶的控制接口一般为总线接口或者RGB接口，单片机资...[详细]
Cadence 携手 NVIDIA 革新功耗分析技术，加速开发十亿门级 AI 设计

Cadence 携手 NVIDIA 革新功耗分析技术，加速开发十亿门级 AI 设计 Cadence 全新 Palladium Dynamic Power Analysis 应用程序助力 AI/ML 芯片和系统设计工程师打造高能效设计，缩短产品上市时间中国上海，2025 年 8 月 20 日 —— 楷登电子（美国 Cadence 公司，）近日宣布，通过与 NVIDIA 的紧密合作，公司...[详细]
轴承位磨损的几种不同的修复工艺

轴承位磨损问题作为制造业常见的设备问题普遍存在，在提倡控制生产成本的今天，利用修复技术减少因轴承位磨损造成的报废更换，既符合当前“再制造”形势的要求，又可以缩短企业停机时间、节约更换成本，达到为企业创造经济效益的目的。轴承位磨损的常见原因？ 1、轴承位易出现金属疲劳，使轴承内圈和轴的配合面由过盈配合变成间隙配合，不再处于“抱紧”状态，导致轴承内圈与轴出现相对位移，造成轴承位磨损加剧； 2、轴...[详细]

器件捷径: L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多