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NAND01GR3B2BN6F

产品描述128M X 8 FLASH 1.8V PROM, 25000 ns, PBGA63
产品类别存储    存储   
文件大小1MB,共60页
制造商Numonyx ( Micron )
官网地址https://www.micron.com
标准
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NAND01GR3B2BN6F概述

128M X 8 FLASH 1.8V PROM, 25000 ns, PBGA63

128M × 8 FLASH 1.8V 可编程只读存储器, 25000 ns, PBGA63

NAND01GR3B2BN6F规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码TSOP
包装说明TSSOP, TSSOP48,.8,20
针数48
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码3A991.B.1.A
Is SamacsysN
最长访问时间25000 ns
命令用户界面YES
数据轮询NO
JESD-30 代码R-PDSO-G48
长度18.4 mm
内存密度1073741824 bi
内存集成电路类型FLASH
内存宽度8
功能数量1
部门数/规模1K
端子数量48
字数134217728 words
字数代码128000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织128MX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSSOP
封装等效代码TSSOP48,.8,20
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
页面大小2K words
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源1.8 V
编程电压1.8 V
认证状态Not Qualified
就绪/忙碌YES
座面最大高度1.2 mm
部门规模128K
最大待机电流0.00005 A
最大压摆率0.015 mA
最大供电电压 (Vsup)1.95 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式GULL WING
端子节距0.5 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
切换位NO
类型NAND TYPE
宽度12 mm
Base Number Matches1

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NAND01G-B2B
NAND02G-B2C
1-Gbit, 2-Gbit,
2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory
Features
High density NAND flash memories
– Up to 2 Gbits of memory array
– Cost effective solutions for mass storage
applications
NAND interface
– x8 or x16 bus width
– Multiplexed address/ data
– Pinout compatibility for all densities
Supply voltage: 1.8 V/3.0 V
Page size
– x8 device: (2048 + 64 spare) bytes
– x16 device: (1024 + 32 spare) words
Block size
– x8 device: (128 K + 4 K spare) bytes
– x16 device: (64 K + 2 K spare) words
Page read/program
– Random access: 25 µs (max)
– Sequential access: 30 ns (min)
– Page program time: 200 µs (typ)
Copy back program mode
Cache program and cache read modes
Fast block erase: 2 ms (typ)
Status register
Electronic signature
Chip enable ‘don’t care’
TSOP48 12 x 20 mm
FBGA
VFBGA63 9.5 x 12 x 1 mm
VFBGA63 9 x 11 x 1 mm
Serial number option
Data protection
– Hardware block locking
– Hardware program/erase locked during
power transitions
Data integrity
– 100 000 program/erase cycles per block
(with ECC)
– 10 years data retention
ECOPACK
®
packages
Development tools
– Error correction code models
– Bad blocks management and wear leveling
algorithms
– Hardware simulation models
Table 1.
Device summary
Reference
NAND01G-B2B
Part number
NAND01GR3B2B, NAND01GW3B2B
NAND01GR4B2B
,
NAND01GW4B2B
(1)
NAND02GR3B2C, NAND02GW3B2C
NAND02G-B2C
NAND02GR4B2C, NAND02GW4B2C
(1)
1. x16 organization only available for MCP products.
April 2008
Rev 5
1/60
www.numonyx.com
1

 
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