9 A BUF OR INV BASED MOSFET DRIVER, PDSO8
9 A 缓冲或反向 场效应管管驱动器, PDSO8
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Microchip(微芯科技) |
零件包装代码 | DIP |
包装说明 | DIP, DIP8,.3 |
针数 | 8 |
Reach Compliance Code | _compli |
ECCN代码 | EAR99 |
高边驱动器 | NO |
接口集成电路类型 | BUFFER OR INVERTER BASED MOSFET DRIVER |
JESD-30 代码 | R-PDIP-T8 |
JESD-609代码 | e0 |
长度 | 9.525 mm |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 8 |
最高工作温度 | 70 °C |
最低工作温度 | |
标称输出峰值电流 | 9 A |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | DIP |
封装等效代码 | DIP8,.3 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE |
峰值回流温度(摄氏度) | 240 |
电源 | 4.5/18 V |
认证状态 | Not Qualified |
最大供电电压 | 18 V |
最小供电电压 | 4.5 V |
表面贴装 | NO |
技术 | BCDMOS |
温度等级 | COMMERCIAL |
端子面层 | Tin/Lead (Sn85Pb15) |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子节距 | 2.54 mm |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
断开时间 | 0.08 µs |
接通时间 | 0.08 µs |
宽度 | 7.62 mm |
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