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CBR10-080

产品描述Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 10A, 800V V(RRM), Silicon
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小30KB,共1页
制造商Central Semiconductor
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CBR10-080概述

Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 10A, 800V V(RRM), Silicon

CBR10-080规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
Reach Compliance Codenot_compliant
配置BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.2 V
JESD-30 代码S-PUFM-D4
JESD-609代码e0
最大非重复峰值正向电流300 A
元件数量4
相数1
端子数量4
最高工作温度175 °C
最大输出电流10 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状SQUARE
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压800 V
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式SOLDER LUG
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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