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CMG03(T2L

产品描述Rectifier Diode
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小374KB,共4页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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CMG03(T2L概述

Rectifier Diode

CMG03(T2L规格参数

参数名称属性值
Reach Compliance Codeunknown
应用GENERAL PURPOSE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.1 V
JESD-30 代码R-PDSO-F2
最大非重复峰值正向电流80 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-40 °C
最大输出电流2 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
最大重复峰值反向电压600 V
最大反向电流10 µA
反向测试电压600 V
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置DUAL
Base Number Matches1

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CMG03
TOSHIBA Rectifier Silicon Diffused Type
CMG03
General-Purpose Rectifiers
Repetitive peak reverse voltage : V
RRM
= 600 V
Average forward current
Peak forward voltage
: I
F (AV)
= 2.0 A
Unit: mm
: V
FM
= 1.1 V (max)
Suitable for high-density board assembly due to the use of a small
Toshiba Nickname: M−FLAT
TM
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Characteristics
Repetitive peak reverse voltage
Average forward current
Non-repetitive peak forward surge current
Junction temperature
Storage temperature
Symbol
V
RRM
I
F (AV)
I
FSM
T
j
T
stg
Rating
600
2.0 (Note1)
80 (50 Hz)
−40
to 150
−40
to 150
Unit
V
A
A
°C
°C
1 ANODE
2 CATHODE
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
Note 1: Tℓ =106°C
Device mounted on a ceramic board
board size
: 50 mm
×
50 mm
Soldering land size : 2 mm
×
2 mm
board thickness
: 0.64 mm
Half-sine waveform :
α
= 180°
3-4E1S
Weight: 0.023 g (typ.)
Note : Using continuously under heavy loads (e.g. the application of
high temperature/current/voltage and the significant change in temperature, etc.) may cause this product to
decrease in the reliability significantly even if the operating conditions (i.e. operating
temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum ratings.
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test
report and estimated failure rate, etc.).
Electrical Characteristics
(Ta
=
25°C)
Characteristics
Peak forward voltage
Repetitive peak reverse current
Symbol
V
FM(1)
V
FM(2)
I
RRM
Test Condition
I
FM
= 1.0 A (Pulse test)
I
FM
= 2.0 A (Pulse test)
V
RRM
= 600 V (Pulse test)
Device mounted on a ceramic board
board size
50 mm
×
50 mm
soldering land size
2 mm
×
2 mm
board thickness
0.64 mm
Thermal resistance
(junction to ambient)
Device mounted on a glass-epoxy board
board size
50 mm
×
50 mm
soldering land size
6 mm
×
6 mm
board thickness
1.6 mm
Device mounted on a glass-epoxy board
board size
50 mm
×
50 mm
soldering land size
2.1 mm
×
1.4 mm
board thickness
1.6 mm
Thermal resistance (junction to lead)
R
th (j-ℓ)
Min
Typ.
0.88
0.92
Max
1.1
10
Unit
V
V
μA
60
R
th (j-a)
110
°C/W
180
16
°C/W
Start of commercial production
2004-06
1
2018-10-01

CMG03(T2L相似产品对比

CMG03(T2L CMG03(T2L,TEMQ)
描述 Rectifier Diode Rectifier Diode
Reach Compliance Code unknown unknown
应用 GENERAL PURPOSE GENERAL PURPOSE
配置 SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1.1 V 1.1 V
JESD-30 代码 R-PDSO-F2 R-PDSO-F2
最大非重复峰值正向电流 80 A 80 A
元件数量 1 1
相数 1 1
端子数量 2 2
最高工作温度 150 °C 150 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C
最大输出电流 2 A 2 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
最大重复峰值反向电压 600 V 600 V
最大反向电流 10 µA 10 µA
反向测试电压 600 V 600 V
表面贴装 YES YES
端子形式 FLAT FLAT
端子位置 DUAL DUAL
Base Number Matches 1 1
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