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CR250F-6

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 0.25A, 6000V V(RRM), Silicon
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小66KB,共1页
制造商Central Semiconductor
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CR250F-6概述

Rectifier Diode, 1 Element, 0.25A, 6000V V(RRM), Silicon

CR250F-6规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)9.2 V
JESD-30 代码O-PALF-W2
JESD-609代码e0
最大非重复峰值正向电流20 A
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流0.25 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压6000 V
最大反向恢复时间0.2 µs
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

CR250F-6相似产品对比

CR250F-6 CR250F-5
描述 Rectifier Diode, 1 Element, 0.25A, 6000V V(RRM), Silicon Rectifier Diode, 1 Element, 0.25A, 5000V V(RRM), Silicon
是否无铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
外壳连接 ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 9.2 V 9.2 V
JESD-30 代码 O-PALF-W2 O-PALF-W2
JESD-609代码 e0 e0
最大非重复峰值正向电流 20 A 20 A
元件数量 1 1
端子数量 2 2
最高工作温度 175 °C 175 °C
最低工作温度 -65 °C -65 °C
最大输出电流 0.25 A 0.25 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND ROUND
封装形式 LONG FORM LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
认证状态 Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 6000 V 5000 V
最大反向恢复时间 0.2 µs 0.2 µs
表面贴装 NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 WIRE WIRE
端子位置 AXIAL AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
Base Number Matches 1 1

 
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