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CMXSH2-4LCTR: 产品描述Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.2A, 40V V(RRM),; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小533KB，共2页; 制造商Central Semiconductor

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CMXSH2-4LCTR概述

Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.2A, 40V V(RRM),

CMXSH2-4LCTR规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	EAR99
配置	SINGLE
二极管类型	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	0.325 V
JESD-609代码	e0
最大非重复峰值正向电流	1 A
元件数量	1
最高工作温度	150 °C
最大输出电流	0.2 A
最大重复峰值反向电压	40 V
最大反向恢复时间	0.005 µs
表面贴装	YES
技术	SCHOTTKY
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches	1

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CMXSH2-4LC

SURFACE MOUNT

DUAL PAIR, COMMON CATHODE

LOW VF

SILICON SCHOTTKY DIODES

w w w. c e n t r a l s e m i . c o m

DESCRIPTION:

The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMXSH2-4LC

consists of Dual, Common Cathode pairs of Low VF

Silicon Schottky Diodes, and is manufactured in a

SUPERmini™ SOT-26 surface mount package.

MARKING CODE: CXC4L

SOT-26 CASE

•

Device is

Halogen Free

by design

MAXIMUM RATINGS:

(TA=25°C)

Peak Repetitive Reverse Voltage

Continuous Forward Current

Peak Repetitive Forward Current

Peak Forward Surge Current, tp=10ms

Power Dissipation

Operating and Storage Junction Temperature

Thermal Resistance

SYMBOL

VRRM

IFRM

IFSM

TJ, Tstg

200

350

1.0

350

-65 to +150

357

UNITS

°C

°C/W

ELECTRICAL CHARACTERISTICS PER DIODE:

(TA=25°C)

SYMBOL TEST CONDITIONS

MIN

BVR

trr

VR=20V

IR=100μA

IF=10mA

IF=100mA

IF=200mA

VR=4.0V, f=1.0MHz

IF=IR=30mA, Irr=3.0mA, RL=100Ω

TYP

0.24

0.35

0.42

8.5

4.0

MAX

0.325

0.4

0.5

5.0

UNIT

μA

R1 (12-February 2010)

CMXSH2-4LCTR相似产品对比

	CMXSH2-4LCTR	CMXSH2-4LCTRLEADFREE
描述	Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.2A, 40V V(RRM),	Rectifier Diode, 2 Element, 40V V(RRM),
是否Rohs认证	不符合	符合
Reach Compliance Code	not_compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99
二极管类型	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	0.325 V	0.325 V
最高工作温度	150 °C	150 °C
最大重复峰值反向电压	40 V	40 V
最大反向恢复时间	0.005 µs	0.005 µs
表面贴装	YES	YES
Base Number Matches	1	1

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