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C-13-002-PD-S2/APC-O

产品描述Laser Diode Module Emitter, 1290nm Min, 1330nm Max, 2500Mbps, Flange Mount, HEREMATICAL SEALED PACKAGE-4
产品类别无线/射频/通信    光纤   
文件大小328KB,共8页
制造商Source Photonics
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C-13-002-PD-S2/APC-O概述

Laser Diode Module Emitter, 1290nm Min, 1330nm Max, 2500Mbps, Flange Mount, HEREMATICAL SEALED PACKAGE-4

C-13-002-PD-S2/APC-O规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
Reach Compliance Codeunknown
内置特性MONITOR PHOTODIODE
通信标准GR-468
数据速率2500 Mbps
最长下降时间0.15 ns
光纤设备类型LASER DIODE MODULE EMITTER
光纤类型APC
安装特点FLANGE MOUNT
信道数量1
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
最大工作波长1330 nm
最小工作波长1290 nm
标称工作波长1310 nm
上升时间0.15 ns
光谱宽度3 nm
表面贴装NO
最小阈值电流10 mA
传输类型DIGITAL
Base Number Matches1

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P/N: C-13-002-XX-SXXXX/XXX-X-XX
1310nm 2.5Gbps Laser Diode Module
Features
l
Laser diode with Multi-quantum-well structure
l
Un-cooled operation at -40 to +85°
C
l
High temperature operation without active cooling
l
Built-in InGaAs monitor photodiode
l
Hermetically sealed active component
l
Complies with Telcordia Technologies GR-468-CORE
l
TOSA
l
FC/ST/SC Receptacle package with 2-hole flange
l
Fiber pigtailed with optional FC/ST/SC/MU/LC connector
l
Design for 2.5G high speed optics networks
l
RoHS Compliant available
Absolute Maximum Ratings (Tc=25°
C)
Parameter
Fiber Output Power
LD Reverse Voltage
PD Reverse Voltage
PD Forward Current
Operating Temperature
Storage Temperature
Soldering Temperature (<10sec)
L/M/H/2
Symbol
P
f
V
RLD
V
RPD
I
FPD
T
opr
T
stg
S
temp
Rating
1(L)/1.5(M)/2.5(H)/3(2)
2
10
2
-40 ~ 85
-40 ~ 85
260
Unit
mW
V
V
mA
°
C
°
C
°
C
(All optical data refer to a coupled 9/125μm SM fiber)
Optical and Electrical Characteristics (Tc=25°
C)
Parameter
Thres hold Current
L
Fiber Output Power
M
H
2
Peak Wavelength
Spectrum
Width
(RMS)
Forward Voltage
Rise Time / Fall Time
Tracking Error
PD Monitor Current
Receptacle
TOSA
Pigtail
Symbol
Ith
Min.
-
0.2
0.5
1
2
1290
-
Typ.
10
-
-
1.6
2.5
1310
2
-
-
1.2
-
-
-
Max.
15
0.5
1
-
-
1330
5
3
3
1.5
150
1.5
-
Unit
mA
Notes
CW
P
f
mW
CW, Ith+20mA, kink free
λ
Δλ
nm
CW, Pf = Pf (Min)
CW, Pf = Pf (Min)
CW, Pf = Pf (Min)
Ibias =Ith, 10%~90%
APC, -40 ~ 85°
C
CW, P
f
= P
f
(Min), V
RPD
= 2V
-
-
-
-
-1.5
100
nm
V
F
T
r
/ T
f
ΔP
f
/P
f
I
m
V
ps
dB
μ
A
1
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