电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

C-1350A-DFB2.5-E-LA-NT

产品描述DFB Laser Diode Emitter, 1348nm Min, 1352nm Max, Through Hole Mount
产品类别无线/射频/通信    光纤   
文件大小1MB,共6页
制造商Source Photonics
下载文档 详细参数 全文预览

C-1350A-DFB2.5-E-LA-NT概述

DFB Laser Diode Emitter, 1348nm Min, 1352nm Max, Through Hole Mount

C-1350A-DFB2.5-E-LA-NT规格参数

参数名称属性值
Reach Compliance Codeunknown
主体高度3.3 mm
主体长度或直径3.85 mm
最长下降时间0.15 ns
光纤设备类型DFB LASER DIODE EMITTER
安装特点THROUGH HOLE MOUNT
信道数量2
最高工作温度70 °C
最低工作温度
最大工作波长1352 nm
最小工作波长1348 nm
标称工作波长1350 nm
上升时间0.15 ns
光谱宽度1 nm
最大供电电压1.7 V
表面贴装NO
最小阈值电流20 mA
传输类型DIGITAL
Base Number Matches1

文档预览

下载PDF文档
1.27um~1.61um MQW-DFB Laser
Diodes for CWDM
C-1XXX-DFB2.5-E-XX-NT
Absolute Maximum Rating (Tc=25ºC)
Parameter
Optical Output Power
LD Reverse Voltage
LD Forward Current
PD Reverse Voltage
PD Forward Current
Operating Temperature
Storage Temperature
Symbol
Po
V
RLD
I
FLD
V
RPD
I
FPD
T
opr
T
stg
Value
8 (CW)
2
150
15
2
0 to +70
-40 to +85
Unit
mW
V
mA
V
mA
ºC
ºC
Optical and Electrical Characteristics( Tc=70ºC )
Parameter
Threshold Current
Optical Output Power
Symbol
I
th
P
o
Min
-
6
Typical
-
8
Max
50
-
Unit
mA
mW
Test Condition
CW
CW, I
th
=60mA
Optical and Electrical Characteristics( Tc=25ºC)
Parameter
Threshold Current
Optical Output Power
Peak Wavelength*
Side Mode Suppression Ratio
Forward Voltage
Temperature Dependence of
Peak Wavelength
Rise/Fall Time
Spectral Width
PD Monitor Current
PD Dark Current
PD Capacitance
Symbol
I
th
P
o
λ
Sr
V
F
∆λ/∆T
t
r
/ t
f
∆λ
I
m
I
DARK
C
t
Min
-
3
n-2
30
-
-
-
-
100
-
-
Typical
-
4
n
35
-
0.1
-
-
-
0.3
10
Max
20
-
n+2
-
1.7
0.12
150
1
1200
1.0
-
Unit
mA
mW
nm
dB
V
nm/ºC
ps
nm
µA
µA
pF
Test Condition
CW
CW, I=I
th
+20mA
CW,P
o
=5mW
CW,P
o
=5mW (0 to 70ºC)
CW
CW,P
o
=5mW (0 to 70ºC)
I
bias
=I
th
, 20%- 80%
Lead Length<1mm
CW,P
o
=5mW,-20dB
CW,P
o
=5mW, V
RPD
=5V
V
RPD
=
5V
V
RPD
=
5V
,
f
=
1MH
z
* Peak wavelength n=1270nm,1290nm,1310nm,1330nm,1350nm,1370nm,1390nm,1410nm,1430nm,
1450nm,1470nm,1490nm,1510nm,1530nm,1550nm,1570nm,1590nm,1610nm
* Precaution :
1. Avoid eye skin exposure to laser radiations.
2.The device is sensitivity to the electro-static damages(ESD). The device should be handled with ESD
proof tools. To assemble the device on PCB,proper grounding is required to prevent ESD.
3.The performance and reliability of the device are not guaranteed when it is operated under strong
vibration environment.
LUMINENTOIC.COM
20550 Nordhoff St. • Chatsworth, CA 91311 • tel: 818.773.9044 • fax: 818.576.9486
9F, No 81, Shui Lee Rd. • Hsinchu, Taiwan, R.O.C. • tel: 886.3.5169222 • fax: 886.3.5169213
LUMNDS721-SEP2204
rev. A.0
1

推荐资源

CC430家庭用户指南
CC430 Family User's Guide85719...
EEWORLD社区 微控制器 MCU
小车
小车消息 楼下几位 我已经又发了一次 这总不会是忽悠吧 (19:29 最后一次)...
someone 单片机
(转)Just for fun (1)
大学里有间教室,里面的挂钟有问题,只要被东西敲到就会愈走愈快,敲一次就快5分钟。 一天教授上课,发现同学们都趁他在黑板上写字的时候用橡皮丢挂钟,但教授却不声张,依旧按钟上下课 ......
shuangshumei 聊聊、笑笑、闹闹
约饭走起!12月20日晚EEWorld网友深圳线下聚餐,快来报名啦~~
约饭啦约饭啦~~EEWorld邀你线下聚餐啦~~ 告诉大家个好消息~下周管管将飞深圳,邀请大家12月20日一起约个饭,聚一聚啦~~ 你们可以饱餐一顿,还会看到一直呆在线上扯皮的管仔我 到时 ......
okhxyyo 聊聊、笑笑、闹闹
关于eboot的几个问题
1、为什么我编译成功的eboot.bin烧写到nor中不起作用?害得我每次都的烧写eboot.nb0,但是板商提供的bootloader是.bin格式的 怎么才能让.bin格式的eboot在nor中运行起来?是在boot.bib中有一些 ......
chinaxu1986 嵌入式系统
如何得到zigbee网络的拓扑结构?
如果想得到zigbee网络中所有节点的如下信息:ieee address,short address,type(coordinator,router,end device),应该怎样做?我用的是Ti的z-stack协议栈,CC2430,我不知道该用mt,还是zdo或是其他的 ......
999ljw 嵌入式系统

热门文章更多

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 1366  220  2254  1689  1009  28  5  46  34  21 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved