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CMLDM5757TRTIN/LEAD

产品描述Transistor
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小1MB,共3页
制造商Central Semiconductor
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CMLDM5757TRTIN/LEAD概述

Transistor

CMLDM5757TRTIN/LEAD规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
Reach Compliance Codeunknown
最大漏极电流 (Abs) (ID)0.43 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
极性/信道类型P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)0.35 W
表面贴装YES
Base Number Matches1

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CMLDM5757
SURFACE MOUNT SILICON
DUAL P-CHANNEL
ENHANCEMENT-MODE
MOSFET
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMLDM5757
consists of dual P-Channel enhancement-mode silicon
MOSFETs designed for high speed pulsed amplifier
and driver applications. These MOSFETs offer very low
rDS(ON) and low threshold voltage.
MARKING CODE: 77C
FEATURES:
• ESD protection up to 1800V (Human Body Model)
• 350mW power dissipation
• Very low rDS(ON)
• Low threshold voltage
• Logic level compatible
• Small, SOT-563 surface mount package
• Complementary dual N-Channel device: CMLDM3737
SYMBOL
VDS
VGS
ID
IDM
PD
PD
PD
TJ, Tstg
Θ
JA
UNITS
V
V
mA
mA
mW
mW
mW
°C
°C/W
UNITS
μA
μA
V
1.0
1.2
0.9
1.2
2.0
20
175
30
V
V
Ω
Ω
Ω
pF
pF
pF
SOT-563 CASE
APPLICATIONS:
• Load switch/Level shifting
• Battery charging
• Boost switch
• Electro-luminescent backlighting
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C)
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current (Steady State)
Maximum Pulsed Drain Current (tp=10μs)
Power Dissipation (Note 1)
Power Dissipation (Note 2)
Power Dissipation (Note 3)
Operating and Storage Junction Temperature
Thermal Resistance (Note 1)
20
8.0
430
750
350
300
150
-65 to +150
357
MAX
2.0
1.0
ELECTRICAL CHARACTERISTICS PER TRANSISTOR:
(TA=25°C)
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
IGSSF, IGSSR VGS=4.5V, VDS=0
IDSS
VDS=16V, VGS=0
BVDSS
VGS(th)
VSD
rDS(ON)
rDS(ON)
rDS(ON)
Crss
Ciss
Coss
VGS=0, ID=250μA
VDS=VGS, ID=250μA
VGS=0, IS=350mA
VGS=4.5V, ID=430mA
VGS=2.5V, ID=300mA
VGS=1.8V, ID=150mA
VDS=16V, VGS=0, f=1.0MHz
VDS=16V, VGS=0, f=1.0MHz
VDS=16V, VGS=0, f=1.0MHz
20
0.45
Notes: (1) Ceramic or aluminum core PC Board with copper mounting pad area of 4.0mm
2
(2) FR-4 Epoxy PC Board with copper mounting pad area of 4.0mm
2
(3) FR-4 Epoxy PC Board with copper mounting pad area of 1.4mm
2
R2 (5-June 2013)

CMLDM5757TRTIN/LEAD相似产品对比

CMLDM5757TRTIN/LEAD CMLDM5757TRLEADFREE CMLDM5757TR
描述 Transistor Transistor Transistor
是否Rohs认证 不符合 符合 不符合
Reach Compliance Code unknown compliant unknown
最大漏极电流 (Abs) (ID) 0.43 A 0.43 A 0.43 A
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C
极性/信道类型 P-CHANNEL P-CHANNEL P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 0.35 W 0.35 W 0.35 W
表面贴装 YES YES YES
Base Number Matches 1 1 1
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