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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> CMBDM3590
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CMBDM3590

产品描述Small Signal Field-Effect Transistor, 0.16A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, FEMTOMINI-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小643KB，共2页
制造商Central Semiconductor
标准  
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CMBDM3590概述

Small Signal Field-Effect Transistor, 0.16A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, FEMTOMINI-3

CMBDM3590规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证不符合
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数3
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
其他特性LOGIC LEVEL COMPATIBLE
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)0.16 A
最大漏极电流 (ID)0.16 A
最大漏源导通电阻3 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-F3
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)0.125 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层MATTE TIN (315)
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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CMBDM3590 N-CH
CMBDM7590 P-CH
SURFACE MOUNT
N-CHANNEL AND P-CHANNEL
ENHANCEMENT-MODE
COMPLEMENTARY MOSFETS
Central
TM
Semiconductor Corp.
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMBDM3590 and
CMBDM7590 are complementary N-Channel and
P-Channel Enhancement-mode silicon MOSFETs
designed for high speed pulsed amplifier and driver
applications. These MOSFETs offer Low rDS(ON) and
Low Threshold Voltage.
MARKING CODES: CMBDM3590: R
CMBDM7590: W
SOT-923 CASE
• Devices are
Halogen Free
by design
APPLICATIONS:
• Load/Power Switches
• Power Supply Converter Circuits
• Battery Powered Portable Devices
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C)
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current (Steady State)
Continuous Drain Current (tp < 5s)
Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature
Thermal Resistance
ELECTRICAL CHARACTERISTICS:
(TA=25°C)
SYMBOL
TEST CONDITIONS
IGSSF, IGSSR VGS=5.0V, VDS=0V
VDS=5.0V, VGS=0V
IDSS
VDS=16V, VGS=0V
IDSS
BVDSS
VGS(th)
rDS(ON)
rDS(ON)
rDS(ON)
rDS(ON)
rDS(ON)
gFS
Crss
Ciss
Coss
ton
toff
VGS=0V, ID=250μA
VDS=VGS, ID=250μA
VGS=4.5V, ID=100mA
VGS=2.5V, ID=50mA
VGS=1.8V, ID=20mA
VGS=1.5V, ID=10mA
VGS=1.2V, ID=1.0mA
VDS=5.0V, ID=125mA
VDS=15V, VGS=0V, f=1.0MHz
VDS=15V, VGS=0V, f=1.0MHz
VDS=15V, VGS=0V, f=1.0MHz
VDD=10V, VGS=4.5V, ID=200mA
VDD=10V, VGS=4.5V, ID=200mA
FEATURES:
• Power Dissipation: 125mW
• Low Package Profile: 0.4mm
• Low rDS(ON)
• Low Threshold Voltage
• Logic Level Compatibility
• Small SOT-923 Surface Mount Package
SYMBOL
VDS
VGS
ID
ID
PD
TJ, Tstg
Θ
JA
CMBDM3590
20
8.0
160
200
125
-65 to +150
1000
CMBDM7590
MIN TYP MAX
-
-
100
-
-
20
0.4
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
4.0
5.5
8.0
11
20
1.3
1.0
12
2.7
60
210
50
100
-
1.0
5.0
7.0
10
17
-
-
-
-
-
-
-
140
180
CMBDM7590
UNITS
V
V
mA
mA
mW
°C
°C/W
CMBDM3590
MIN TYP MAX
-
-
100
-
-
20
0.4
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1.5
2.0
3.0
4.0
7.0
1.3
2.2
9.0
3.0
40
150
50
100
-
1.0
3.0
4.0
6.0
10
-
-
-
-
-
-
-
UNITS
nA
nA
nA
V
V
Ω
Ω
Ω
Ω
Ω
S
pF
pF
pF
ns
ns
R0 (9-March 2009)

CMBDM3590相似产品对比

CMBDM3590 CMBDM7590
描述 Small Signal Field-Effect Transistor, 0.16A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, FEMTOMINI-3 Small Signal Field-Effect Transistor, 0.14A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, FEMTOMINI-3
是否无铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3 FEMTOMINI-3
针数 3 3
Reach Compliance Code not_compliant unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
其他特性 LOGIC LEVEL COMPATIBLE LOGIC LEVEL COMPATIBLE
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 20 V 20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 0.16 A 0.14 A
最大漏极电流 (ID) 0.16 A 0.14 A
最大漏源导通电阻 3 Ω 5 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PDSO-F3 R-PDSO-F3
JESD-609代码 e3 e3
元件数量 1 1
端子数量 3 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 0.125 W 0.125 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子面层 MATTE TIN (315) MATTE TIN (315)
端子形式 FLAT FLAT
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON

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