Insulated Gate Bipolar Transistor, N-Channel
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
包装说明 | MICROELECTRONIC ASSEMBLY, R-XXMA-X |
Reach Compliance Code | compliant |
外壳连接 | ISOLATED |
配置 | BRIDGE, 6 ELEMENTS |
JESD-30 代码 | R-XXMA-X |
JESD-609代码 | e0 |
元件数量 | 6 |
封装主体材料 | UNSPECIFIED |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子面层 | TIN LEAD |
端子形式 | UNSPECIFIED |
端子位置 | UNSPECIFIED |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管元件材料 | SILICON |
Base Number Matches | 1 |
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