Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> CN25BR

文档预览

CN25BR: 产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 25A, 100V V(RRM), Silicon,; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小17KB，共2页; 制造商EIC [EIC discrete Semiconductors]; 标准

下载文档详细参数选型对比全文预览

CN25BR概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 25A, 100V V(RRM), Silicon,

CN25BR规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
包装说明	O-CEDB-N2
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
其他特性	HIGH RELIABILITY
应用	GENERAL PURPOSE
外壳连接	ANODE
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	1.1 V
JESD-30 代码	O-CEDB-N2
最大非重复峰值正向电流	400 A
元件数量	1
相数	1
端子数量	2
最高工作温度	175 °C
最低工作温度	-65 °C
最大输出电流	25 A
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状	ROUND
封装形式	DISK BUTTON
最大重复峰值反向电压	100 V
最大反向电流	5 µA
表面贴装	YES
端子形式	NO LEAD
端子位置	END
Base Number Matches	1

文档预览

下载PDF文档

全文
预览

CN25A - CN25M

PRV : 50 - 1000 Volts

Io : 25 Amperes

FEATURES :

High current capability

High surge current capability

High reliability

Low reverse current

Low forward voltage drop

Chip form

CELL RECTIFIER DIODES

C25A

6.20

5.47

ANODE

1.45

CATHODE

0.51

0.38

MECHANICAL DATA :

* Case : C25A

* Terminals : Solderable per MIL-STD-202,

Method 208 guaranteed

* Polarity : Cathode to bigger size slug, For

Anode to bigger size slug use "R" suffix.

* Mounting position : Any

* Weight : 0.31 gram

Dimensions in millimeter

Rating at 25

C ambient temperature unless otherwise specified.

Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%.

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

RATING

Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage

Maximum RMS Voltage

Maximum DC Blocking Voltage

Maximum Average Forward Current Tc = 75°C

Peak Forward Surge Current Single half sine wave

superimposed on rated load (JEDEC Method)

Maximum Forward Voltage at I

= 25 Amps.

Maximum DC Reverse Current

at rated DC Blocking Voltage

Ta = 25

°C

Ta = 100

°C

SYMBOL

CN25A CN25B CN25D CN25G CN25J CN25K CN25M

UNIT

RRM

RMS

F(AV)

100

200

140

200

400

280

400

600

420

600

800

560

800

1000

700

1000

Volts

Amps

FSM

R(H)

STG

400

1.1

5.0

1.0

300

- 65 to + 175

Amps

Volts

µA

°C/W

°C

Typical Junction Capacitance (Note 1)

Thermal Resistance, Junction to Case

Junction Temperature Range

Storage Temperature Range

Note

: (1) Measured at 1.0 MHz and applied reverse Voltage of 4.0 V

UPDATE : APRIL 23, 1998

CN25BR相似产品对比

	CN25BR	CN25AR	CN25DR	CN25GR	CN25JR	CN25KR	CN25MR
描述	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 25A, 100V V(RRM), Silicon,	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 25A, 50V V(RRM), Silicon,	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 25A, 200V V(RRM), Silicon,	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 25A, 400V V(RRM), Silicon,	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 25A, 600V V(RRM), Silicon,	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 25A, 800V V(RRM), Silicon,	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 25A, 1000V V(RRM), Silicon,
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合
包装说明	O-CEDB-N2	O-CEDB-N2	O-CEDB-N2	O-CEDB-N2	O-CEDB-N2	O-CEDB-N2	O-CEDB-N2
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
其他特性	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY
应用	GENERAL PURPOSE	GENERAL PURPOSE	GENERAL PURPOSE	GENERAL PURPOSE	GENERAL PURPOSE	GENERAL PURPOSE	GENERAL PURPOSE
外壳连接	ANODE	ANODE	ANODE	ANODE	ANODE	ANODE	ANODE
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
二极管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	1.1 V	1.1 V	1.1 V	1.1 V	1.1 V	1.1 V	1.1 V
JESD-30 代码	O-CEDB-N2	O-CEDB-N2	O-CEDB-N2	O-CEDB-N2	O-CEDB-N2	O-CEDB-N2	O-CEDB-N2
最大非重复峰值正向电流	400 A	400 A	400 A	400 A	400 A	400 A	400 A
元件数量	1	1	1	1	1	1	1
相数	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	2	2	2	2	2	2	2
最高工作温度	175 °C	175 °C	175 °C	175 °C	175 °C	175 °C	175 °C
最低工作温度	-65 °C	-65 °C	-65 °C	-65 °C	-65 °C	-65 °C	-65 °C
最大输出电流	25 A	25 A	25 A	25 A	25 A	25 A	25 A
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND
封装形式	DISK BUTTON	DISK BUTTON	DISK BUTTON	DISK BUTTON	DISK BUTTON	DISK BUTTON	DISK BUTTON
最大重复峰值反向电压	100 V	50 V	200 V	400 V	600 V	800 V	1000 V
最大反向电流	5 µA	5 µA	5 µA	5 µA	5 µA	5 µA	5 µA
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
端子形式	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD
端子位置	END	END	END	END	END	END	END
Base Number Matches	1	1	1	1	1	1	1

推荐资源

带有防止飞弧短路保护功能的Y-△简降压动电路之一

关于向量表: .vectors 0 00000200 00000100 * 00000200 00000100 * .vectors (.vectors) vectors 0 00000300 00000100 * ......; bapi0908 DSP 与 ARM 处理器

讨论一下大家如何在F28335中实现多任务的？: 我目前的一个项目有4~6中断，直接用6个PWM定时器产生的中断分别执行不同的任务，每个中断任务根据需要进行拆分后分步执行，大家有没有更好的办法？ void ReaddResult_Tick(void) { static in ......; foobt 微控制器 MCU

为一个梦想而活: 不知道自己加这个论坛究竟是为了什么，或许是为了和一些有知识的人交流，或许是为了向别人多学习一些东西，但自己也不是特别的清楚，自己希望能够通过这个论坛能学习点什么……...; memegood11 嵌入式系统

数据校验码是什么意思？求大佬解释一下: 437144请教大佬，这个效验码怎么计算啊？看不懂比如我发送的是头码0XF1 中间三个数据 0X0D 0X1A 0X01 尾码0XF3 那么校验码是多少？？应该怎么计算？？？ ...; zhangxiaobudong 51单片机

KITLOutputDebugString 问题: 现在调试eboot 的时候遇到一个奇怪的问题，现在进入KITLOutputDebugString就重启，跟踪到是在 pOutputByte 结束之后就出现问题了。 static void pOutputByte( unsigned char c ) { ......; lingd 嵌入式系统

分享经典教程：嵌入式实时操作系统UCOS-II教程（邵贝贝译）: 分享经典教程：嵌入式实时操作系统UCOS-II教程（邵贝贝译）86396分享经典教程：嵌入式实时操作系统UCOS-II教程（邵贝贝译）86397下载地址1：http://zhengoogle.qjwm.com/down_2900170.html下 ......; zhengoogle 实时操作系统RTOS

用MC68HC05JB4开发USB外设

当今的计算机外部设备，都在追求高速度和高通用性。为了满足用户的需求，以Intel为首的七家公司于1994年推出了USB（Universal Serial Bus，通用串行总线）总线协议，专用于低、中速的计算机外设。目前，USB端口已成为微机主板的标准端口；而在不久的将来，所有的微机外设，包括键盘、鼠标、显示器、打印机、数字相机、扫描仪和游戏柄等等，都将通过USB与主机相连。 ...[详细]
C8051F350单片机在全自动CCFL观片仪亮度

引言跨入21世纪以来，信息的世界变换迅速，说不定今天出了某高科技产品明天就会有更优秀的同类产品面世。其中电子计算机科学技术更新周期大概就是2到3年。随着电子计算机等科学技术的发展，医疗设备的现代化、智能化研究越来越受到人们的关注，大量的科学家及工程技术人员都积极地投入到这一场医疗设备的革命中，其中，对各种类型射线底片观片设备的研究也是医疗设备开发的重点。由于传统的观片设备亮度低、均匀性差、...[详细]
百度联盟验证码推广抓住“7秒钟”的推广机会

近期，百度联盟的产品列表里将出现一种新颖的推广产品——验证码。用户在填写验证码的过程中，会“仔细”地阅读验证码图片，然后按照提示问题，输入正确的信息完成验证。业内人士曾精确计算过整个过程平均耗时为7秒钟，验证码广告就是通过在7秒的时间里用户的高度关注与信息互动，使受众对验证码图片中的信息进行完整浏览与深刻记忆。其实，验证码广告在国外已初具规模，并被誉为“最具前景的广告模式”之一，百度联盟...[详细]
基于FPGA分布式算法的低通FIR滤波器的设计与实现

0 引言传统数字滤波器硬件的实现主要采用专用集成电路(ASIC)和数字信号处理器(DSP)来实现。FPGA内部的功能块中采用了SRAM的查找表(lo-ok up table，LUT)结构，这种结构特别适用于并行处理结构，相对于传统方法来说，其并行度和扩展性都很好，它逐渐成为构造可编程高性能算法结构的新选择。分布式算法是一种适合FPGA设计的乘加运算，由于FPGA中硬件乘法器资源有限，...[详细]
智能化升级捷径视频分析模块特征与应用

　　智能视频分析算法固态化和模块化是当前智能视频分析技术应用的趋势，其是将智能视频分析技术与高效的数字信号处理器(DSP)完美结合，能够将智能视频技术嵌入到摄像机、DVR以及任何网络视频监控产品内，使其立即晋级为智能化的视频监控解决方案，大幅增加了产品的附加价值和经济效益。其具有的高性能处理器和嵌入式平台及强大的智能视频分析算法，是DVR/DVS/IPCAM产品智能化升级的捷径。下面就功...[详细]
基于ARM嵌入式IPCamera的设计与实现

0 前言随着社会的发展，人们对安全防范工作日益重视，监控产品也从以前只在重要单位使用发展到各个领域都在应用。监控产品的技术也从模拟向数字和网络技术发展。网络监控产品使用较多的是硬盘录像机，但价格比较高。有些场合对监控的要求并不高，也不需要录像，但有时又要在远程了解一下当地的画面，这时就希望使用一种低价的，又能实现远程操作的监控产品。所以就计划设计IPCamera（网络照相机），它能够接受网络...[详细]
NI发布全新Single-Board RIO嵌入式设备

配备多功能的I / O，可实现自定制应用程序开发新闻要点 • 板级可重配置I / O（RIO）产品新增多功能I / O ,并包含内置模拟I / O • 通过两种模型上的子卡进行自定制 • 更多的内置外设，包括两个RS232串行端口、一个RS485端口、CAN端口以太网和选项、USB端口和SDHC卡插槽 • 减轻了设计人员的负担，使他们专注于各自应用的自定制部分，而不是从零开始设计一个完整的...[详细]
PROFIBUS-MODBUS网桥在电力系统中的应用

1 引言 PROFIBUS是一种国际化、开放式、不依赖于设备生产商的现场总线标准。广泛适用于制造业自动化、流程工业自动化和楼宇、交通、电力等其他领域自动化。PROFIBUS由三个兼容部分组成，即PROFIBUS-DP（Decentralized Periphery）、PROFIBUS-PA（Process Automation）、PROFIBUS-FMS（Fieldbus Me...[详细]
联发科受益低端智能机销售成倍增长

北京时间7月10日下午消息，台湾第一大芯片设计厂商联发科预计，今年第三季度其智能手机芯片出货量将出现两位数增长，同时该公司还有望从低端智能手机的需求增长中进一步获益。　　市场主导力量　　联发科设计的芯片控制着智能手机和其他电子设备的功能，是低端智能手机市场的主导力量。售价60美元至700美元的智能手机产品许多都采用联发科的芯片。　　联发科当前市值约为105亿美元左右，上个月收购了竞争对手...[详细]
未来医疗技术展望：检测设备相互融合

MRI和PET被融合到一台设备中，不仅可以同时采集患者的两种影像信息，也大大节省了医疗费用。多种医疗设备的融合正在成为未来的趋势。　　选择PET(正电子发射计算机断层扫描)还是MRI(磁共振成像)？MRI可以提供清晰的图像，让医生对人体器官的结构和功能有细致的了解；而PET则可以提供更深入的、关于人体细胞代谢的信息。这两类信息在临床诊断上都必不可少，所以医生们经常会面临这样的抉择，而结果...[详细]
联想最新的中国移动定制智能手机搭载意法•爱立信平台

中国北京，2012年7月10日 – 全球领先的移动平台和半导体供应商意法•爱立信今天宣布，联想最新的乐Phone S899t中国移动定制智能手机采用意法•爱立信的Nova™ A9500应用处理器。内置1.0GHz双核ARM Cortex-A9 CPU和高端3D图形加速器，Nova A9500让联想乐Phone用户能够在中国移动TD网络上尽情体验智能手机的使用乐趣。联想乐PhoneS899t是...[详细]
瑞萨电子推出新款超级结MOSFET

2012年6月21日，日本东京讯 — 瑞萨电子公司 (TSE: 6723)，高级半导体解决方案的主要供应商，今天宣布推出三款新型超级结金属氧化物场效应三极管（超级结MOSFET）（注1），具有如下的特点：600V功率半导体器件中的导通电阻X栅极电荷，适用于高速电机驱动、DC-DC转换器和DC-AC逆变器应用。这一行业领先的低导通电阻和低栅极电压的组合平台，同时结合了快速体二极管的性能，使新...[详细]
使用6487型皮安计源或6517A型静电计测量电容器的泄漏电阻

　　电容器是各种电子设备中的基本元件，广泛地应用于对电子电路进行旁路、耦合、滤波和调谐等。然而，要使用电容器就必须明白其特性：包括电容值、额定电压值、温度系数以及泄漏电阻等。电容器制造厂家对这些参数进行测试；最终用户也进行这类测试。　　本文讨论的应用实例是使用6487型皮安计源或6517A型静电计测量电容器的泄漏电阻。此泄漏电阻可以用“IR”（绝缘电阻）来代表，并用兆欧-微...[详细]
基于北斗二代系统的嵌入式船用导航仪硬件设计

摘要：随着北斗二代系统的研制与建设，在导航领域我国将会从GPS主宰的局面转向为以我国自主研发的北斗二代全球导航系统为主的局面。为了实现北斗船用导航仪更轻便、快捷、低功耗和低成本，提出了一种采用ARM9系列的S3C2440A为处理器的北斗船用导航仪硬件设计方案，详细给出了系统的硬件体系结构和具体的硬件选型及接口电路设计。并对整个系统进行了硬件平台的搭建和测试，给出了北斗信号处理部分的硬件设计电...[详细]
云端如何成功？专家点出四大关键

埃哲森( Accenture )公司近日出版的云端服务未来报告作者们进行了一场讨论，为希望在云端时代获得成功的企业们提出了四点建议。就在消费者和企业们同声赞扬“云端”能够带来的灵活、低成本和更便利的运算能力之际，传统的硬体和软体供应商看到的创新往往有些不同。对他们而言，云端威胁着他们的竞争力，在某些情况下甚至会扼杀他们的生存空间。因此，要在在这个快...[详细]

器件捷径: S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多